Для полностью симметричной схемы при воздействии синфазного сигнала СС разностный сигнал на выходе ДК отсутствует, поэтому оценивают выходной сигнал относительно общей шины.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.K1c |
K 2c |
Uвых1 |
|
|
S Rк |
|
Rк |
1. |
|
||
|
Ucc |
|
|
S |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
1 |
|
2 R0 |
|
2 R0 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вывод. ДК ослабляет синфазный входной сигнал благодаря глубокой ООС по току через R0, поэтому
чем больше R0, тем глубже ОС, тем больше ослабление СС.
Режим большого сигнала ДК
В дифференциальном каскаде ток IO стремятся сделать стабильным:
IO IЭ1 IЭ2 I K 1 I K 2 Const .
При воздействии на каскад дифференциального сигнала токи коллекторов изменяются таким образом, что их сумма всегда остается постоянной. Определим зависимость тока коллектора каждого из транзисторов от входного сигнала.
Ток каждого из транзисторов ДК зависит от приложенного к его переходу Э-Б напряжения:
UБЭ 1
IK 1 ISO e mi Т ,
UБЭ 2
IK 2 ISO e mi Т .
Учтем дополнительное условие их связи IO и получим зависимость:
IK 1 |
|
IO |
IK 1 |
|
|
IO |
|
IK 1 |
|
|
|
|
IO |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
IO |
|
|
|
|
|
IK 1 IK 2 |
1 |
|
IK 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IK 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U Д |
|
|||||
|
|
|
IO |
|
|
|
|
|
|
IO |
|
|
|
|
|
IO |
|
|
IO e mi Т |
. |
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
UБЭ 2 U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
U |
БЭ 2 |
|
|
БЭ 1 |
|
|
|
|
U Д |
|
|
|
|
|
|
|
U Д |
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 e |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
e mi Т |
1 e |
|
|
mi Т |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
1 |
|
|
|
mi Т |
|
|
|
|
|
1 e mi Т |
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UБЭ 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
e mi Т |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Крутизна |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
gm |
dIK 1 |
|
|
|
|
1 |
|
|
|
IK 1 |
. |
|
|
||||||||||||||||||||||||
характеристики или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
U Д |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
передаточная |
|
|
|
|
|
|
dU Д |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
mi T |
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 e mi T |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
проводимость ДК: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
Линейный участок, где gm Const, составляет +-2 T.
На выходе ДК всегда присутствует емкость нагрузки, скорость перезаряда которой определяет скорость нарастания выходного большого сигнала:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
v dUC |
IO |
|
2 IKP |
|
2 mi T S |
. |
|
|
|
|
|
|
||||
|
dt CO |
CO |
CO |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Из выражения следует, что импульсные свойства каскада с ростом исходного тока коллектора транзисторов ДК улучшаются (растет скорость нарастания), однако это приводит к росту входных токов, что увеличивает погрешности каскада по постоянному току.
С0
I0
3.2. Работа ДК при использовании одного из |
|
|||||||
входов |
|
|
|
|
|
|
||
|
ДК управляется от входного |
|||||||
|
сигнала, |
|
действующего |
|||||
|
между входом 1 и |
общей |
||||||
|
шиной. |
|
Тогда |
можно |
||||
|
считать, |
что |
второй |
вход |
||||
|
соединен |
с |
землей |
через |
||||
|
малое |
сопротивление, |
т.е. |
|||||
|
закорочен |
|
на |
землю. |
||||
|
Входное |
|
напряжение |
|||||
|
передается на собственный |
|||||||
|
выход |
транзистора |
VT1 |
с |
||||
U ВЫХ 1 КСОБ U ВХ , |
||||||||
коэффициентом КСОБ, |
а |
на |
||||||
U ВЫХ 2 КСОС U ВХ . |
выход |
|
|
соседнего- |
с |
|||
|
коэффициентом КСОС. |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||||
Тогда для коэффициентов усиления запишем
КСОБ UВЫХ 1 |
|
S UБЭ1 RKH 1 |
|
|
|||
UВХ |
|
UВХ |
|
S ( 1 КЭ ) RKH 1 ,
КСОС UВЫХ 2 |
|
S UЭБ 2 RKH 2 |
|
|
|||
UВХ |
|
UВХ |
|
S КЭ RKH 2 |
|
|
|
KЭ КЭП |
S R |
|
|
|
|
S RO |
|
|
|
h11 Б |
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
ЭН |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
1 |
S |
R |
|
|
1 |
|
S |
R |
|
h |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
ЭН |
|
|
|
|
|
|
|
|
O |
|
|
11 Б |
|
||||||
|
|
RO h11 Б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
RO h11 Б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
h11 Б |
|
2 |
|
||||||||||||||||
|
|
|
RO h11 Б |
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
S |
R |
h |
|
|
|
|
|
R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
O |
11 Б |
|
|
|
|
|
|
O |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где h11 Б .
RO
•Если RO>>h11Б, то <<1 и КЭ=0,5, а КСОС=КСОБ. Фазы сигналов противоположны.
•Если RO мало, а это случается при наличии
сопротивления местной ООС в цепи эмиттеров транзисторов ДК, то отношение коэффициентов не равно 1 и задается :
КСОБ 1 КЭ 1 1 1 .
КСОС КЭ КЭ