- •. Измерительные задачи при определении моделей радиокомпонентов.
- •1.1. Структура элементной базы радиоэлектронных схем
- •1.2.1. Общие положения
- •1.2.2. Классификация моделей рк
- •1.2.3. Основные требования к моделям
- •1.2.4. Макромодели пассивных радиокомпонентов
- •1.2.5. Встроенные макромодели транзисторов
- •1.2.6. Макромодели, определяемые пользователем.
- •1.2.7. Макромодели операционных усилителей.
- •1.2.8. Факторные статистические модели многополюсных рк
- •1.3. Измерительные задачи
- •2. Алгоритмические методы измерения динамических параметров макромоделей многополюсных радиокомпонентов
- •2.1 Общие положения
- •2.2. Матрицы проводимости и сопротивления
- •2.2.1. Определение y- и z-матриц
- •2.2.2. Определение коэффициентов z и y матриц прямым способом.
- •2.3 Гибридные матрицы четырёхполюсника
- •2.4. Эквивалентная схема компонента.
- •2.5. Матрицы рассеяния
- •2.5.1. Определение s-матриц в свч диапазоне.
- •2.5.2. Измерение матриц рассеяния в схемах с конечными активными нагрузками.
- •2.4.3. Условия исключения систематических погрешностей при измерении s -матриц многополюсников в волноводных трактах.
- •2.6. Измерение y-параметров многополюсника с учетом паразитных параметров измерительных цепей.
- •2.6.1 Паразитные параметры в измерительных схемах с конечными нагрузками.
- •2.6.2. Определение y-матриц с учетом искажений
- •2.6.3 Идентификация падающих волн в измерительных схемах с паразитными параметрами
- •2.6.4 Следствие операции нормирования y- матрицы.
- •2.5.6 Способ полного исключения влияния входной цепи измерительного прибора на результаты измерений.
- •2.7. Калибровка измерительных цепей
- •2.7.1. Измерение динамических параметров двухполюсных элементов
- •2.7.2. Определение динамических параметров образцовых мер
- •2.7.3. Аттестация паразитных параметров контактно-соединительных
- •2.7.4. Корректировка -матриц по данным аттестации контактно-соединительных цепей.
- •2.8. Измерения в переменном базисе полюсных нагрузок
- •394026, Воронеж, Московский просп., 14.
2.3 Гибридные матрицы четырёхполюсника
Гибридные, а именно H- параметры, также являются системными параметрами и могут быть рассчитаны по известным Y- или Z – матрицам. Наиболее широкое применение получили Н-параметры транзисторов, представляемых в виде четырехполюсников [5]. Коэффициенты Н-матрицы определяют при холостом ходе на его входе и коротком замыкании на его выходе.
В этом случае Н - матрица определяет связь гибридного вектора h1=[Ú1, Í2]T и гибридного вектора h2=[ Í1, Ú2]T, где напряжения и токи определены согласно рис.2.4.
Рис. 2.4. Эквивалентный четырехполюсник
Уравнения четырехполюсника в системе H-параметров имеют вид [2,5]
(2.16)
где hij - элементы H-матрицы при i=1,2 и j=1,2.
Матричная форма уравнений (2.16) имеет вид
(2.17)
или в компактной форме
(2.18)
где h1 = [ Ú1, Í2] - первый гибридный вектор;
h2 = [Í1, Ú2] - второй гибридный вектор;
H – матрица.
Рассмотрим уравнения (2.16) при коротком замыкании четырехполюсника рис.2.4 на выходе (Ú2=0) и холостом ходе на входе (Í1=0). При Ú2=0 из уравнений (2.16) имеем
(2.19)
(2.20)
а при Í1 = 0
(2.21)
(2.22)
Такие условия измерения наиболее подходящие для устройств типа биполярных транзисторов, так как эти транзисторы со стороны входных сигналов (цепь базы) имеют низкий входной импеданс, а стороны выходных сигналов (цепь коллектора) высокий выходной импеданс, на порядки превышающий входной. В этой связи не представляет проблемы выполнить опыты короткого замыкания на выходе устройства и холостого хода на его входе. По своему физическому смыслу параметр h11 согласно формуле (2.19) представляет собой входное сопротивление четырехполюсника при коротком замыкании его выхода, а параметр h22 согласно формуле (2.22) его выходную проводимость при холостом ходе на его входе. Эти параметры могут быть экспериментально определены с помощью мостов полных сопротивлений (проводимостей). Параметр h21 представляет собой прямой коэффициент передачи тока, при коротком замыкании выходной цепи, а коэффициент h12 - обратный коэффициент передачи при опыте холостого хода на входе четырехполюсника.
Транзистор с точки зрения точности измерения полностью отвечает системе (2.18). Однако в этом случае даже на низких частотах возникает проблема измерения коэффициентов h21 и h12, которые в этом случае являются комплексными числами [5,18]. Для этого необходимо использовать мостовые методы, при использовании которых требуется балансировка измерительной цепи. Для примера на рис.2.5 приведены эквивалентная и принципиальная схемы измерения параметра h21.
Измерение параметров транзистора обычно производится по схеме с общим эмиттером на частоте 1 кГц. Значение параметра после уравновешивания моста отсчитывают по шкале измерительного потенциометра R1(рис.2.5,б) с сопротивлением 1 кОм. Переключателем S1 выбирают один из трех поддиапазонов измерения: 0...30 мс; 0...100 мс или 0...300 мс. Хотя метод измерения согласно рис.2.5,а относительно прост и сводится, по существу к балансировке схемы с помощью калиброванного переменного резистора, однако реальная схема измерения достаточно сложна (рис.2.5,б), так как в схему необходимо ввести конденсаторы С1 и С2 для разделения цепей по переменному и постоянному току и фильтрации переменных напряжений, переключатель S1 для выбора диапазона измерения, трансформаторы для питания схемы по переменному току T1 и связи с индикатором T2. Индикатор А1 может представлять собой сложное электронное устройство.
А1
а) б)
Рис. 2.5 Схема моста для измерения параметра h21э: а) эквивалентная схема;
б) принципиальная схема
При измерениях на высоких частотах, когда возникает необходимость определения комплексных значений коэффициентов H-матрицы, существенно усложняются и схема самого измерительного моста и процесс балансировки этого моста [18].
Таким образом, даже в случае гибридных матриц даже в самых благоприятных случаях не представляется возможным существенным образом повысить эффективность процесса определения их коэффициентов.