- •Фізика сонячних елементів
- •Лабораторна робота №1 Вивчення умов формування випрямляючого контакту металу з напівпровідником
- •Теоретичні відомості
- •Методика проведення досліджень
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні запитання та завдання
- •Лабораторна робота №2 Дослідження впливу поверхневих енергетичних станів на електричні властивості випрямляючого контакту металу з напівпровідником
- •Теоретичні відомості
- •Методика проведення досліджень
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні запитання та завдання
- •Лабораторна робота №3 Дослідження електричних властивостей різких напівпровідникових p – n-переходів
- •Теоретичні відомості Фізичні процеси у напівпровідникових p – n-переходах
- •Вплив зовнішнього електричного поля на основні параметри напівпровідникового p – n-переходу
- •Методики проведення досліджень
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні запитання та завдання
- •Лабораторна робота №4 Дослідження світлової вольт-амперної характеристики сонячного елемента та визначення його основних параметрів
- •Теоретичні відомості Фотовольтаїчний ефект у напівпровідниках з електричною неоднорідністю
- •Вольт-амперна характеристика освітлюваного фотоперетворювача
- •Методика проведення досліджень
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні запитання та завдання
- •Лабораторна робота №5 Вивчення впливу внутрішніх опорів фотоперетворювача на ефективність його роботи
- •Теоретичні відомості Компоненти внутрішнього опору фотоперетворювача
- •Оцінка впливу внутрішніх опорів фотоперетворювача на ефективність його роботи
- •Методика проведення досліджень
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні запитання та завдання
- •Список літератури
- •Для нотаток
- •Навчальне видання Фізика сонячних елементів
Оцінка впливу внутрішніх опорів фотоперетворювача на ефективність його роботи
Можна оцінити порядок величин послідовного і шунтуючого опорів, які забезпечують малі втрати енергії фотоперетворювача. Допустиме значення Rп можна отримати, якщо вважати, що фотоелемент працює в режимі максимальної потужності ( Im, Um ). Тоді відносна частка втрат потужності на послідовному опорі складе
. (18)
Для типового фотоелемента густина струму короткого замикання дорівнює 400 Ам -2, а ЕРС холостого ходу 0,6 В. Таким чином, через елемент площею 1 см 2 протікає струм короткого замикання Ікз = 410-2 А. Для того, щоб втрати потужності не перевищували, наприклад, 3 %
Тобто послідовний опір ділянки фотоелемента з площею в 1 см 2 не повинен перевищувати 0,45 Ом.
Аналогічно можна отримати вираз для втрат потужності на шунтуючому опорі:
. (19)
Для тих же умов (ш = 3%) можна знайти, що:
Тобто шунтуючий опір, притаманний кожному квадратному сантиметру площі фотоелемента, не повинен бути меншим за 500 Ом.
Величина послідовно під’єднаного опору визначається, в основному, питомою електропровідністю напівпровідника, з якого виготовлений фотоелемент. З проведених оцінок видно, що при освітленні прямим сонячним світлом послідовно під’єднаний опір фотоперетворювача не повинен перевищувати декількох десятих часток Ома на кожний квадратний сантиметр його поверхні
Методика проведення досліджень
Методика вимірювання як темнових, так і світлових ВАХ фотоперетворювача описана у лабораторних роботах №1 та №4.
Завдання до лабораторної роботи
Ознайомитися з методикою визначення з експериментально отриманих ВАХ послідовного і шунтуючого опорів фотоперетворювача; провести оцінку впливу внутрішніх опорів фотоперетворювача на ефективність його роботи.
Порядок виконання лабораторної роботи
1. Ознайомитися із вимірювальною схемою установки і перевірити її готовність до роботи.
2. Виміряти пряму і зворотну гілки вольт-амперної характеристики неосвітленого та освітлюваного сонячного елемента. Дані вимірювань оформити у вигляді таблиці.
3. Побудувати графік залежності темнової та світлової ВАХ досліджуваної структури.
4. З ВАХ освітлюваного фотоелемента визначити значення струму короткого замикання Ікз, напруги холостого ходу Uxx, послідовного Rп і шунтуючого Rш опорів.
З урахуванням експериментально визначених параметрів фотоперетворювача (Ікз, Uxx, Rп, Rш ) провести оцінку втрат потужності сонячного елемента на послідовному і шунтуючому опорах за формулами
;
відповідно.
Контрольні запитання та завдання
Наведіть вольт-амперну характеристику ідеального фотоперетворювача, аналітичний вираз та графічне зображення.
Які основні причини наявності послідовного та шунтуючого опорів фотоперетворювача?
Наведіть електричну схему фотоперетворювача з послідовним та шунтуючим опорами.
На які основні параметри сонячного елемента істотно впливають його послідовний і шунтуючий опори?
Поясніть методику експериментального визначення послідовного та шунтуючого опорів сонячного елемента.
Як впливають компоненти внутрішнього опору на ефективність роботи фотоперетворювача?
Поясніть методику оцінки втрат потужності сонячного елемента на послідовному та шунтуючому опорах.
