-
Открывание тиристора при подаче импульса тока управления происходит с некоторой задержкой. Полным временем включения tвкл называется время, за которое напряжение между анодом и катодом тиристора уменьшается до 0,1 начального значения. Оно состоит из времени задержки и времени нарастания
-
, -
В течение времени задержки tзв области базы происходит накопление зарядов. Время задержки зависит от величины тока управления и сопротивления управляющего электрода. Для уменьшения времени задержки ток управления следует выбирать не менее тока спрямления.
-
Время нарастания зависит от типа тиристора и от характера сопротивления во внешней цепи (чисто активное или активно-индуктивное), поэтому оно может составлять до 15 мкс. Для надёжного открывания тиристора длительность импульса управления должна быть больше времени включения, поэтому tи.упр= 20…50 мкс.
-
Закрывание не запираемого тиристора происходит при изменении полярности напряжения во внешней цепи или при снижении прямого тока до величины, меньшей тока удержания.
-
Закрывание сопровождается переходным процессом, так как в открытом состоянии полупроводниковая структура тиристора насыщена свободными носителями зарядов, и необходимо время для их рассасывания и рекомбинации. Если процесс рекомбинации зарядов не закончился, а полярность напряжения во внешней цепи вновь изменилась, тиристор самопроизвольно откроется.
-
Полное время выключения (закрывания) тиристора,
-
и оно в 3…10 раз больше времени включения. С повышением температуры время выключения возрастает.
-
-
Какие разновидности полностью управляемых тиристоров существуют (их основные характеристики)?
-
Полностью управляемые тиристоры в различных источниках имеют следующие названия: запираемые, выключаемые, двухоперационные
-
GTO:
-
Сравнительно высокая перегрузочная способность. Возможность последовательного соединения. Рабочие частоты 250 – 300 Гц при напряжении до 4 кВ;
-
GCT:
-
ток управления Ig равен или превосходит анодный ток Ia (для тиристоров GTO Ig меньше в 3 - 5 раз);
-
управляющий электрод обладает низкой индуктивностью, что позволяет достичь скорости нарастания тока управления dig/dt, равной 3000 А/мкс и более (для тиристоров GTO значение dig/dt составляет 30-40 А/мкс);
-
IGCT:
-
Перегрузочная способность та же, что и у GTO. Низкие потери во включённом состоянии на переключение. Рабочая частота - до единиц, кГц. Встроенный блок управления (драйвер). Возможность последовательного соединения.
-
Отличительные особенности igbt-транзисторов
-
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) – полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трехслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. IGBT обладает хорошими динамическими свойствами (частота коммутации до 100 кГц).Высоковольтный IGBT имеет менышее напряжение в открытом состоянии в сравнении с соответствующим МДП-транзистором. IGBT обладает высокой теплостойкостью. Для него несложно сформировать управляющие сигналы.
-
В IGBT совмещены два способа упр-я эл.током, один из к-ых характерен для полевых транзисторов(упр-е эл. полем), а второй – для биполярных(управление инжекцией носителей эл-ва).
-
БТИЗ сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
-
высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от полевых транзисторов с изолированным затвором;
-
низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии — от биполярных транзисторов;
-
малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
-
характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
-
управление как у MOSFET — напряжением.
-
Диапазон использования — от десятков до 1200 ампер по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков ампер и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МОП- (МДП-) транзисторов, а не БТИЗ, так как при низких напряжениях полевые транзисторы обладают меньшим сопротивлением.
-
Раздел 2.
-
Особенности работы и основные характеристики однофазных неуправляемых схем выпрямления.
-
-
Схема однофазного однополупериодного выпрямителя в силовой преобразовательной технике практически не используется из-за низких энергоэкономических показателей (увеличенная расчетная мощность транс-
-
форматора и наличие значительных высших гармоник в выпрямленном токе).
-
Расчётная (типовая) мощность трансформатора:
-
Для однополупериодного выпрямителя коэффициент пульсаций
-
-
-
-
-
Существенным недостатком схемы на рис. 1.1.4 является то, что к запертому диоду приложено обратное напряжение, равное удвоенной амплитуде напряжения одного плеча вторичной обмотки трансформатора:
-
-
Поэтому необходимо выбирать диоды с большим обратным напряжением.
-
