- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Характеристики прямої передачі
Характеристиками
прямої передачі є залежності
(рис. 3.25).

Рисунок 3.25 – Характеристики прямої передачі БТ зі спільним емітером
Реальні
характеристики відрізняються від
лінійних, і їх нахил деякою мірою
залежить від напруги
.
Швидкість зростання
із зростанням струму бази зменшується.
Це зумовлено залежністю
(рис. 3.24). Знаходження характеристики
прямої передачі при
у від’ємному квадранті пояснюється
тим, що в РН колекторний струм БТ має
напрям, протилежний напряму
в АР.
Характеристики зворотного зв’язку
Залежності
показано на рисунку 3.26. Збільшення
напруги
приводить до зменшення активної ширини
бази
,
зменшення струму бази. Для підтримання
постійного значення
потрібно збільшувати емітерний струм
,
підвищуючи напругу
.

Рисунок 3.26 – Характеристики зворотного зв’язку БТ зі спільним емітером
3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
Вхідні
характеристики БТ у ССК
показано на рисунку 3.27.
При
ЕП включено у зворотному напрямі і
через базу протікає лише зворотний
струм колектора
.
При
ЕП відкривається, струм бази змінює
свій напрям і збільшується при зменшенні
напруги
.
Це відбувається тому, що при зменшенні
зростає напруга
,
оскільки вихідна напруга
підтримується постійно. Але це приводить
до зростання струму емітера
і зв’язаного з ним струму бази
.

Рисунок 3.27 – Статичні вхідні характеристики БТ зі спільним колектором
Вихідні
характеристики транзистора зі спільним
колектором
при
майже нічим не відрізняються від
вихідних характеристик схеми зі спільним
емітером, тому що
,
а
.
3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
Температурна залежність вихідних або вхідних характеристик зумовлена зміною відповідно колекторного або емітерного струму при зміні температури.
Схема зі спільною базою
У ССБ, згідно з рівнянням (3.10), зміна колекторного струму при постійному струмі емітера
![]()
Відносна зміна струму колектора
=
. (3.39)
Коефіцієнт
передачі струму емітера
від температури майже не залежить,
тому температурна зміна
не впливає на дрейф характеристик.
Другий доданок у формулі (3.39) визначає
температурний дрейф характеристик,
викликаний температурною зміною
зворотного струму колектора
:
, (3.40)
де
- зворотний струм при температурі
;
- зворотний струм
при температурі
;
- для германію;
- для кремнію.
У
практичних розрахунках вважається, що
величина
подвоюється при зростанні температури
на 10
С
для германієвих БТ і на 8
С
- для кремнієвих БТ. Але вплив другого
доданка формули (3.39) на температурний
дрейф вихідних характеристик є незначним,
оскільки для більшості транзисторів
.
Саме тому температурні зміни вихідних характеристик БТ зі спільною базою невеликі (рис. 3.28).
Значно більшої температурної зміни зазнають вхідні характеристики.
Відомо,
що
,
де
-
зворотний струм емітера, залежність
якого від температури така сама, як і
струму
.

Рисунок 3.28 – Температурний дрейф вихідних характеристик БТ зі спільною базою
Унаслідок цього залежність емітерного струму від температури набирає вигляду
. (3.41)
Тому збільшення температури супроводжується зростанням струму емітера і зміщенням вхідних характеристик у бік більших струмів (рис. 3.29).

Рисунок 3.29 – Температурний дрейф вхідних характеристик БТ зі спільною базою
Як правило, вважають, що при зміні температури на один градус характеристики зміщуються вліво на 1 - 2 мВ.
Схема зі спільним емітером
Для оцінки температурної зміни вихідних характеристик БТ у ССЕ визначимо повний диференціал від рівняння (3.20):
, (3.42)
,
оскільки у вихідних характеристиках
= const.
Оскільки
,
то
.
Отже,

Оскільки
і
,
то врешті отримуємо
,
![]()
(3.43)
З
цього виразу бачимо, що температурний
дрейф вихідних характеристик БТ зі
спільним емітером в
разів більший, ніж у ССБ. Це суттєвий
недолік схеми зі спільним емітером
(рис. 3.30).

Рисунок 3.30 – Вплив температури на вихідні характеристики БТ зі спільним емітером
Вхідні
характеристики БТ у ССЕ також зазнають
змін при зміні температури (рис. 3.31).
Збільшення температури викликає
зростання струмів
та
,
які спрямовані у колі бази назустріч
один одному. Тому вхідні характеристики,
зняті при різних температурах,
перетинаються при малих струмах бази
(т.
на рисунку 3.31).

Рисунок 3.31 – Вплив температури на вхідні характеристики БТ зі спільним емітером
