- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
Теоретично
статичні характеристики БТ у ССБ можуть
бути одержані за допомогою рівнянь
Еберса – Молла. Але в цих рівняннях не
враховуються опір бази і модуляція її
товщини залежно від зміни напруги
.
Тому на практиці застосовують
експериментально зняті статичні
характеристики. Схему для зняття
характеристик БТ зі спільною базою
зображено на рисунку 3.12.

Рисунок 3.12 – Схема лабораторного зняття статичних характеристик БТ зі спільною базою
Слід
зауважити, що при одержанні характеристик
для
транзистора
потрібно змінити полярність напруг
і
.
Вхідні характеристики
Це
залежності
.
Графіки сім’ї характеристик показано
на рисунку 3.13.

Рисунок 3.13 – Статичні вхідні характеристики БТ
зі спільною базою
При
(колектор замкнено з базою) вхідна
характеристика відтворює пряму гілку
ВАХ ЕП:
. (7.2)
При негативній напрузі на колекторі характеристика зміщується вгору, в бік більших струмів емітера. Причина цього зміщення:
-
при збільшенні негативної
зменшується активна ширина бази
,
зростає градієнт концентрації дірок
у базі (рис. 3.14), і тому при незмінній
напрузі
збільшується
;

Рисунок 3.14 – Модуляція товщини бази БТ та її вплив на розподіл концентрації неосновних носіїв
-
при збільшенні запірної напруги
на КП зростає зворотний струм колектора
,
який, протікаючи через розподілений
опір бази
,
створює на ньому спад напруги зворотного
зв’язку
(рис. 3.15). Ця напруга, узгоджена з напругою
за напрямом, сприяє більшому відкриванню
ЕП і зростанню внаслідок цього струму
.

Рисунок 3.15 – Утворення напруги зворотного зв’язку на розподіленому опорі бази
Під
впливом перелічених причин у емітерному
колі БТ при
і негативній напрузі на колекторі
протікає невеликий струм емітера. Для
того щоб його усунути, треба до емітера
прикласти невелику негативну напругу.
Вихідні характеристики
Вихідні
характеристики БТ у ССБ – це графіки
залежності
,
зображені на рисунку 3.16.
Ураховуючи
вплив напруги
на зворотний струм колектора, рівняння
для струму колектора (3.10) можна записати
у вигляді
.
(3.35)
Одержана формула описує вихідні характеристики при різних струмах емітера.

Рисунок 3.16 – Статичні вихідні характеристики БТ
зі спільною базою
Межею
між режимом відсічки (
)
і активним режимом (
)
є характеристика при
,
яка є зворотною гілкою ВАХ КП. При
збільшенні негативної напруги
струм колектора швидко досягає значення
.
Подальше зростання
зумовлюється зростанням струмів
генерації та витоку КП. При деяких
високих напругах
(для транзистора МП14 при
ці напруги перевищують 15В)
у КП виникає пробій, що супроводжується
значним зростанням колекторного струму.
При
вихідні характеристики зменшуються в
бік більших колекторних струмів на
величину
згідно з формулою (3.35). У загальному
випадку це зміщення має нееквідистантний
характер, тобто однаковим приростам
вхідного струму
відповідають нерівні прирости вихідного
струму
.
Це явище викликане залежністю
,
зображеною на рисунку 3.6, яка свідчить,
що статичний коефіцієнт передачі струму
не є сталою величиною для різних струмів
емітера. Для більших колекторних та
емітерних струмів пробій КП відбувається
при менших напругах і може перетворитися
в тепловий. З метою унеможливлення
пробою режим роботи приладу треба
вибирати нижче кривої максимально
допустимої потужності
,
що розсіюється колектором (пунктирна
гіпербола на рисунку 3.16).
При
та
переходи транзистора вмикаються у
прямому напрямі, і прилад переходить
до режиму насичення. У цьому режимі
різко зменшується
,
тому що зростає інжекційна складова
колекторного струму, яка компенсує
керовану, екстракційну складову.
