- •1. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •2. Основные параметры усилительных устройств.
- •3. Основные характеристики усилительных устройств.
- •4. Режимы работы усилительных каскадов: а, в, ав.
- •5. Задание рабочей точки биполярного транзистора (бт) в схеме с фиксированным током базы. Основные расчетные соотношения.
- •6. Задание рабочей точки бт в схеме с фиксированным напряжением база-эмиттер. Основные расчетные соотношения.
- •7. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с коллекторной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •8. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с эмиттерной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •9. Эквивалентные представления усилительного каскада в виде управляемого источника напряжения и управляемого источника тока.
- •10.Ук на бт с оэ в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и апряжению.
- •11. Ук на бт с об в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и напряжению.
- •12 Ук на бт с ок (эмиттерный повторитель) в области средних частот. Эквивалентная схема, входное и выходное сопротивление, коэффициент усиления по току и напряжению.
- •13. Обратные связи в усилительных устройствах: основные понятия, классификация.
- •14. Коэффициент передачи усилителя охваченного ос. Влияние обратных связей на параметры и характеристики усилителя.
- •15. Сравнительная характеристика параметров ук на бт с оэ, ок и об: коэффициенты усиления по току и напряжению, входное и выходное сопротивление, полоса пропускания.
- •16. Усилительные каскады на пт с общим истоком.
- •17. Усилители постоянного тока (упт) на бт: способы устранения дрейфа нуля, согласование уровней постоянного напряжения между каскадами.
- •18. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса в. Переходные искажения.
- •19. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса ав.
- •20.Дифференциальные усилительный каскад: принцип действия.
- •21.Дифференциальный усилительный каскад : вх и вых сопротивление, коэффициенты усиления синф. И диф. Сигналов, Косс.
- •22. Способы улучшения параметров дифференциальных усилительных каскадов.
- •23. Классификация и параметры операционных усилителей(оу).
- •24. Инвертирующий усилитель на оу.
- •25. Неинвертирующий усилитель на оу.
- •26. Схема сумматора на оу.
- •27. Дифференцирующий усилитель на оу.
- •28. Интегрирующий усилитель на оу.
- •29. Логарифмирующий усилитель на оу.
- •30. Антилогарифмирующий усилитель на оу.
- •31 . Ключ на бт: принципиальная схема, передаточная характеристика, статический режим работы.
- •32 . Ключ на бт: принципиальная схема, динамический режим работы.
- •33. Способы повышения быстродействия ключей на бт
- •34. Ключи на мдп-транзисторах
- •35. Ключ на комплементарных мдп-транзисторах
- •36.Логические элементы, логические функции, основные законы алгебры логики
- •37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
- •37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
- •38.Базовый логический элемент транзистрно-транзисторной логики (ттл).
- •39. Базовый логический элемент эммитерно-связанной логики (эсл).
- •40.Интегрально-инжекционная логика.
- •41. Основные параметры являются общими для всех существующих и возможных логических имс и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов. Основными параметрами являются:
- •42.Rs–триггер
- •43. Синхронный rs-триггер.
- •44. D-триггер
- •45. Т-триггер
- •46.Jk-триггер
- •47.Мультивибратор на логических элементах
- •48.Особенности диапазона свч. Деление свч диапазона на поддиапазоны.
- •49. Особенности эп свч с динамическим управлением электронным потоком. Общий принцип действия и характеристики эп свч.
- •50. Конструкция, принцип действия и параметры двухрезонаторного пролетного клистрона.
- •51. Устройство и принцип действия лампа бегущей волны о-типа (лбво)
- •52.Конструкция, принцип действия и условия самовозбуждения лампа обратной волны о-типа
- •53.Движение электронов в скрещенных постоянных электрическом и магнитном полях.
- •54.Конструкция,принцип действия, амплитудное и фазовое условия самовозбуждения многорезонаторного магнетрона. Парабола критического режима.
- •55. Диоды Ганна. Эффект Ганна. Особенности многодолинных полупроводников.
- •56. Автогенераторы на диодах Ганна. Конструкции, эквивалентная схема. Режимы работы. Параметры генераторов, области применения.
- •58. Оптические квантовые генераторы (лазеры) на твердом теле: конструкция, принцип действия, параметры, области применения.
19. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса ав.
Смотри вопрос 18.
В идеальном случае диоды VD1 и VD2 должны иметь одинаковую ВАХ, что обеспечит одинаковое смещение обоих транзисторов в точке покоя. Верхняя и нижняя часть будет симметрична, зн. Симметричным будет выходной сигнал. VD1 и VD2 также выполняют функцию термокомпенсации точки покоя. Для этого диоды прикрепляются к радиаторам транзисторов VT1 и VT2.
Вместо диодов можно использовать резисторы, но в этом случае не будет выполняться термокомпенсация. Но можно использовать терморезисторы, которые должны иметь отрицательный температурный коэффициент.
Переходные искажения отсутствуют, θ>90°
КПДmax=50-60%
20.Дифференциальные усилительный каскад: принцип действия.
Наиболее перспективным способом уменьшения дрейфа нуля УПТ является применение дифференциальных усилительных каскадов (ДУ; ДК). Дифференциальным, т.е. разностным, называется усилительный каскад, усиливающий разность двух напряжений. Дифференциальный каскад представляет собой симметричный усилитель параллельного баланса.
источники питания называют источники с расщепленным питанием. Использование источника питания Uип2 снижает потенциал эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 до потенциала земли. Это позволяет подавать сигналы на входы усилителя
относительно земли без введения дополнительных компенсирующих напряжений.
Если схема полностью симметрична, то изменение напряжения питания,
синфазно для обоих транзисторов, не нарушает баланса моста и выходное напряжение остается без изменения. Изменение температуры воздействует на токи транзисторов также одинаково (синфазно). В идеальной симметричной схеме ДУ дрейф нуля должен отсутствовать. В реальной схеме ДУ дрейф нуля в 10…100 раз меньше чем в схеме с общим эмиттером.
Если на обоих входах ДУ действуют равные по амплитуде, форме и фазе
сигналы, то такие сигналы называют синфазными. Если на входы ДУ подаются
сигналы, имеющие равные амплитуды и форму, но противоположные по фазе,
то такие сигналы называют дифференциальными.
Синфазный сигнал
оставляет ДУ сбалансированным, Uвых1=Uвых2=Uвых при Uвх1=Uвх2=Uвх.
Он практически не изменяет Uвых
Действие дифференциального сигнала эквивалентно сигналу на вх ДУ одинаковой формы с амплитудой Uвх/2 но противофазны. ДУ предназначен для усиления разности двух напряжений. Если будут отличаться потенциалы баз VT1 и VT2, то будут отличаться потенциалы коллекторов VT1и VT2.
21.Дифференциальный усилительный каскад : вх и вых сопротивление, коэффициенты усиления синф. И диф. Сигналов, Косс.
Синфазный сигнал
Rвх=Uвх/Iвх
Uвх=Iб*r’б+Iб(h21э+1)rэ+2Iб(h21э+1)R= Iб*r’б+Iб(h21э+1)(rэ+2R)
Rвх=(r'б+(h21э+1)(rэ+2R))/2
Кucc= -(h21э* Rвых)/Rвх, если Rвых=Rк/2, и подставим Rвх, то Кucc=-Rк/2R
U1=U2=Uп, Uк=Uп/2, Rк=Uп/2Iк, R=Uп/I=Uп/2Iэ=Uп/2Iк => Rк=R
Кucc=-0.5
Дифференциальный сигнал
Rвых=Rк
Rвх=Uвх/Iвх=2h11э
Uвх= 2*Iб*r’б+2(h21э+1)* rэ* Iб=2(r’б+(h21э+1)rэ) Iб=2 h11э* Iб
Kuдиф=-(h21э* Rвых)/Rвх=- (h21э*Rк)/(2*h11э)= - h21э*Rк/2(r'б+(h21э+1)rэ),
Kuдиф= - Rк/2rэ
Kuдиф оказался в 2 раза меньше Ku на транзисторе с ОЭ.
Коэффициент ослабления синфазного сигнала
Косс= Кuдиф/Кuсс=R/rэ
Косс(дБ)=20 log(Кuдиф/Кuсс)
22. Способы улучшения параметров дифференциальных усилительных каскадов.
23. Классификация и параметры операционных усилителей(оу).