- •1. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •2. Основные параметры усилительных устройств.
- •3. Основные характеристики усилительных устройств.
- •4. Режимы работы усилительных каскадов: а, в, ав.
- •5. Задание рабочей точки биполярного транзистора (бт) в схеме с фиксированным током базы. Основные расчетные соотношения.
- •6. Задание рабочей точки бт в схеме с фиксированным напряжением база-эмиттер. Основные расчетные соотношения.
- •7. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с коллекторной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •8. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с эмиттерной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •9. Эквивалентные представления усилительного каскада в виде управляемого источника напряжения и управляемого источника тока.
- •10.Ук на бт с оэ в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и апряжению.
- •11. Ук на бт с об в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и напряжению.
- •12 Ук на бт с ок (эмиттерный повторитель) в области средних частот. Эквивалентная схема, входное и выходное сопротивление, коэффициент усиления по току и напряжению.
- •13. Обратные связи в усилительных устройствах: основные понятия, классификация.
- •14. Коэффициент передачи усилителя охваченного ос. Влияние обратных связей на параметры и характеристики усилителя.
- •15. Сравнительная характеристика параметров ук на бт с оэ, ок и об: коэффициенты усиления по току и напряжению, входное и выходное сопротивление, полоса пропускания.
- •16. Усилительные каскады на пт с общим истоком.
- •17. Усилители постоянного тока (упт) на бт: способы устранения дрейфа нуля, согласование уровней постоянного напряжения между каскадами.
- •18. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса в. Переходные искажения.
- •19. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса ав.
- •20.Дифференциальные усилительный каскад: принцип действия.
- •21.Дифференциальный усилительный каскад : вх и вых сопротивление, коэффициенты усиления синф. И диф. Сигналов, Косс.
- •22. Способы улучшения параметров дифференциальных усилительных каскадов.
- •23. Классификация и параметры операционных усилителей(оу).
- •24. Инвертирующий усилитель на оу.
- •25. Неинвертирующий усилитель на оу.
- •26. Схема сумматора на оу.
- •27. Дифференцирующий усилитель на оу.
- •28. Интегрирующий усилитель на оу.
- •29. Логарифмирующий усилитель на оу.
- •30. Антилогарифмирующий усилитель на оу.
- •31 . Ключ на бт: принципиальная схема, передаточная характеристика, статический режим работы.
- •32 . Ключ на бт: принципиальная схема, динамический режим работы.
- •33. Способы повышения быстродействия ключей на бт
- •34. Ключи на мдп-транзисторах
- •35. Ключ на комплементарных мдп-транзисторах
- •36.Логические элементы, логические функции, основные законы алгебры логики
- •37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
- •37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
- •38.Базовый логический элемент транзистрно-транзисторной логики (ттл).
- •39. Базовый логический элемент эммитерно-связанной логики (эсл).
- •40.Интегрально-инжекционная логика.
- •41. Основные параметры являются общими для всех существующих и возможных логических имс и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов. Основными параметрами являются:
- •42.Rs–триггер
- •43. Синхронный rs-триггер.
- •44. D-триггер
- •45. Т-триггер
- •46.Jk-триггер
- •47.Мультивибратор на логических элементах
- •48.Особенности диапазона свч. Деление свч диапазона на поддиапазоны.
- •49. Особенности эп свч с динамическим управлением электронным потоком. Общий принцип действия и характеристики эп свч.
- •50. Конструкция, принцип действия и параметры двухрезонаторного пролетного клистрона.
- •51. Устройство и принцип действия лампа бегущей волны о-типа (лбво)
- •52.Конструкция, принцип действия и условия самовозбуждения лампа обратной волны о-типа
- •53.Движение электронов в скрещенных постоянных электрическом и магнитном полях.
- •54.Конструкция,принцип действия, амплитудное и фазовое условия самовозбуждения многорезонаторного магнетрона. Парабола критического режима.
- •55. Диоды Ганна. Эффект Ганна. Особенности многодолинных полупроводников.
- •56. Автогенераторы на диодах Ганна. Конструкции, эквивалентная схема. Режимы работы. Параметры генераторов, области применения.
- •58. Оптические квантовые генераторы (лазеры) на твердом теле: конструкция, принцип действия, параметры, области применения.
4. Режимы работы усилительных каскадов: а, в, ав.
В режиме класса А положение рабочей точки выбирается таким образом, чтобы при движении по линии нагрузки она не заходила в нелинейную начальную область коллекторных характеристик и в область отсечки коллекторного тока. На входной характеристике (рис. 10.17,а) рабочая точка выбирается так, чтобы входной сигнал полностью помещался на линейном участке, а значение тока покоя Iбо располагалось на середине этого линейного участка. Амплитуды переменных составляющих входного Iбm и выходного Iкm токов, появившихся вследствие входного сигнала (рис. 10.17,б), в режиме А не могут превышать токи покоя Iбо и Iко соответственно. Режим класса А характеризуется работой транзистора на почти линейных участках своих вольтамперных характеристик. Это обуславливает минимальные нелинейные искажения сигнала (Kг≤1%). Режим класса А является наименее экономичным, в виду того, что полезной является мощность, выделяемая в выходной цепи за счет переменной составляющей выходного тока. Потребляемая мощность определяется значительно большими величинами постоянных составляющих I ко , U кэо . В связи с этим КПД усилительного каскада в режиме А невелик, всегда меньше 40 %. Режим класса А применяется в тех случаях, когда необходимы минимальные нелинейные искажения, а полезная мощность и КПД не являются решающими, это каскады предварительного усиления и маломощные выходные каскады.
Режим класса В – это режим работы транзистора, при котором ток через него протекает в течение половины периода входного сигнала. Положение рабочей точки на ВАХ транзистора выбирается так, чтобы ток покоя был равен нулю (рис. 10.18). В режиме класса В транзистор открыт лишь в течение половины периода входного сигнала. В этом случае выходной ток имеет форму импульса с углом отсечки θ=90°. Углом отсечки называют половину времени периода входного сигнала, в течение которой транзистор открыт и через него протекает ток. Небольшая мощность, потребляемая каскадом, позволяет получить высокое КПД усилителя в пределах 60…70 %. Режим класса В применяется в двухтактных каскадах, где прекращение протекания тока в одном транзисторе (первом плече) компенсируется появлением тока в другом транзисторе (другом плече каскада). Из-за нелинейности начальных участков характеристик транзисторов форма выходного тока (при малых его значениях) существенно отличается от формы тока, если бы был линейный характер характеристик. В связи с этим режим класса В характеризуется большими нелинейными искажениями сигнала ( K г ≤10%) и этот режим используется преимущественно в мощных двухтактных каскадах усиления, однако в чистом виде его используют сравнительно редко. Чаще в качестве рабочего режима используют промежуточный режим АВ.
Режим класса АВ используется для уменьшения нелинейных искажений усиливаемого сигнала, которые возникают из-за нелинейных начальных участков ВАХ транзисторов (рис. 10.19). При отсутствии входного усиливаемого сигнала в режиме покоя транзистор немного приоткрыт и через него протекает ток, равный 5…15 % максимального тока при заданном входном сигнале. Угол отсечки в режиме класса АВ несколько больше 2 π и достигает 120…130°.
При работе двухтактных каскадов в режиме АВ происходит перекрытие положительной и отрицательной полуволн тока плеч двухтактного каскада, что приводит к компенсации искажений ( K г ≤3% ), полученных за счет нелинейности начальных участков ВАХ транзистора. КПД каскадов, работающих в режиме АВ, выше, чем каскадов в классе А, но меньше чем в классе В за счет наличия малого входного тока покоя I бо .