
- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
Положения любых узлов, узловых рядов или узловых плоскостей в пространственной решетке или кристаллографических направлений и плоскостей в кристаллической решетке относительно некоторых координатных осей (независимо от того, прямоугольные они или косоугольные, имеют одинаковые или разные осевые единицы) однозначно определяются кристаллографическими символами, т.е. некоторыми наборами кристаллографических индексов.
П
од
кристаллографическими
индексами узла
пространственной решетки понимают три
числа m,
n,
p
–
его координаты, выраженные в осевых
единицах. Совокупность этих чисел,
записанную в двойных квадратных скобках
[[mnp]],
называют символом
узла. Очевидно,
что символ узла, расположенного в начале
координат, – [[000]] (рис. 1.2).
Рис. 1.2.
Кристаллографические символы некоторых
вершин, центра объема и некоторых
центров граней куба
Для определения символа какого-либо направления необходимо:
1) мысленно перенести его параллельно самому себе в начало координат;
2) определить координаты любого узла или частицы, лежащих на этом направлении, приняв за единицы измерения соответствующие осевые единицы;
3) привести отношение найденных координат к отношению взаимно простых целых чисел.
Очевидно, что символами координатных осей X, Y и Z являются соответственно [100], [010], [001] (рис. 1.3).
Если требуется обозначить не отдельное направление, а совокупность всех кристаллографически эквивалентных направлений (т.е. непараллельных направлений с одинаковыми периодами идентичности), то кристаллографические индексы заключают в угловые скобки – <uvw>.
П
од
кристаллографическими
индексами плоскости
понимают три взаимно простых целых
числа h,k,l,
обратно пропорциональных числам осевых
единиц, отсекаемых ею на координатных
осях. Совокупность этих чисел, записанную
в круглых скобках (hkl),
называют символом
плоскости.
Для определения символа какой-либо плоскости необходимо:
Рис. 1.3.
Кристаллографические символы некоторых
направлений куба
2) составить отношение величин, обратных величинам этих отрезков;
3) привести полученное отношение к отношению взаимно простых целых чисел.
Очевидно, что у плоскости, параллельной какой-либо координатной оси, отсекаемый на этой оси отрезок равен бесконечности, а соответствующий кристаллографический индекс – нулю. Поэтому, например, плоскость, отсекающая на осях Х и Y по равному числу осевых единиц и параллельная оси Z, имеет символ (110) (рис. 1.4, а), а плоскость, пересекающая ось Х и параллельная осям Y и Z, – символ (100) (рис. 1.4, б). Плоскости, отсекающие на координатных осях по равному числу осевых единиц, имеют, очевидно, символ (111) (рис. 1.4, в).
Рис. 1.4. Кристаллографические символы некоторых плоскостей куба.
Если требуется обозначить не отдельную плоскость, а совокупность всех кристаллографически эквивалентных плоскостей (т.е. непараллельных плоскостей с одинаковыми межплоскостными расстояниями), то кристаллографические индексы заключают в фигурные скобки {hkl}.
Следует помнить, что в случае прямоугольной системы координат кристаллографические индексы плоскости и перпендикулярного к ней направления совпадают.
Кристаллографические индексы узлов, кристаллографических направлений и плоскостей могут быть и отрицательными числами; знак «минус» ставится над индексами: [[012]], [133], (101) и т.п.
Если хотя бы один из кристаллографических индексов является двузначным числом, то их отделяют друг от друга точками: [[10.1.1]], [0.11.12], (13.13.15) и т.п.
Кристаллографические индексы в символах читаются раздельно, например: [[012]] - «ноль, один с минусом, два»; [133] - «один, три, три с минусом»; (101) - «один с минусом, ноль, один с минусом» и т.п.
Символ узловой или кристаллографической плоскости (hkl) и символ лежащего в этой плоскости узлового ряда или кристаллографического направления [uvw] связаны соотношением
hu + kv + lw = 0. (1.1)
Оно справедливо и для других плоскостей, проходящих через ряд или направление [uvw].
Совокупность кристаллографических плоскостей, проходящих через одно направление, называют зоной плоскостей, их общее направление – осью зоны, а соотношение (1) – условием зональности.