- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
Плотность шаровой упаковки характеризуется коэффициентом компактности К, показывающим, какая часть общего объема упаковки занята составляющими ее шарами:
,
где n – число шаров, приходящихся на элементарную ячейку;
Vш – объем шара; Vэл. яч. – объем элементарной ячейки.
Можно доказать, что для всех плотнейших шаровых упаковок
К= π √2 / 6 = 0,7405.
Координационное число каждого шара плотнейшей упаковки равно 12.
Из бесконечного множества n-слойных плотнейших упаковок наиболее важными для кристаллохимии фаз в сплавах являются простейшие – двухслойная и трехслойная.
В
двухслойной
плотнейшей упаковке
каждый шар третьего слоя лежит на трех
шарах второго слоя и под каждым шаром
третьего слоя есть шар в первом слое,
т.е. в этой упаковке реализуется
последовательность чередования слоев
АВАВАВ…(рис.
2.1, а).
Перпендикулярно плотнейшим шаровым
слоям в двухслойной плотнейшей упаковке
проходит винтовая ось симметрии шестого
порядка (ось 63),
и поэтому такая плотнейшая упаковка
называется гексагональной.
В ней плотнейшие слои располагаются
параллельно плоскости (001).
Рис. 2.1.
Схемы чередования слоев в плотнейших
упаковках: а
- двухслойной
гексагональной; б
- трехслойной
кубической
Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
Промежутки между шарами в плотнейших упаковках занимают 0,2495 всего объема и соответствуют пустотам двух типов.
Одни окружены четырьмя шарами (тремя в одном слое и одним в соседнем) и называются тетраэдрическими, так как центры шаров, между которыми образуются эти пустоты, расположены по вершинам тетраэдра (рис. 2.2, а). Другие окружены шестью шарами (тремя в одном слое и тремя в соседнем), центры которых расположены по вершинам октаэдра, и называются октаэдрическими (рис. 2.2, б).
Каждый шар в исходном шаровом слое окружен шестью лунками сверху и шестью лунками снизу. При наложении на этот слой другого шарового слоя вокруг каждого шара исходного слоя образуются три октаэдрические и три тетраэдрические пустоты.
Рис.
2.2.
Типы пустот в плотнейших упаковках: а
—
тетраэдрическая; б
— октаэдрическая
Нетрудно определить число пустот, приходящихся на один шар бесконечной плотнейшей упаковки (табл. 2.1):
Таблица 2.1. Число пустот на один шар бесконечной плотнейшей упаковки
Характеристика |
Пустоты |
|
тетраэдрическая |
октаэдрическая |
|
Число шаров, образующих пустоту |
4 |
6 |
Доля пустоты, приходящаяся на каждый из образующих ее шаров |
1/4 |
1/6 |
Число пустот, окружающих каждый шар |
8 |
6 |
Число пустот, приходящихся на один шар |
1/4 x 8 = 2 |
1/6 x 6 = 1 |
Таким образом, в бесконечной плотнейшей упаковке на один шар приходится три пустоты – две тетраэдрические и одна октаэдрическая.
Гексагональная и кубическая плотнейшие упаковки различаются, следовательно, не числом или размерами пустот, а лишь их взаимным расположением.
Если кристаллическая решетка какого-либо соединения построена по принципу плотнейшей упаковки и материальные частицы, составляющие ее, можно аппроксимировать сферами разных радиусов, то роль шаров плотнейшей упаковки играют самые крупные частицы, а пустоты между ними занимают частицы более мелкие. Например, в кристаллах двойных соединений с ионным взаимодействием анионы, имеющие, как правило, гораздо большие размеры, чем катионы, образуют плотнейшие упаковки, а катионы располагаются в тетраэдрических и октаэдрических пустотах этих упаковок.
Зная тип и долю заполненных пустот плотнейшей упаковки, можно определить стехиометрическую формулу любого вещества. Например, в структуре одной из шпинелей атомы кислорода образуют трехслойную плотнейшую упаковку, в которой половину октаэдрических пустот занимают атомы алюминия и восьмую часть тетраэдрических пустот – атомы магния. Поскольку в плотнейших упаковках на N атомов приходится N октаэдрических и 2N тетраэдрических пустот, то стехиометрическая формула этой шпинели
ON Al N ·1/2 Mg2N ·1/8 → MgAl2O4 → MgO·Al2O3.
