
- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
В
екторы
Бюргерса характерных дислокаций в ГЦК
решётке принято представлять, используя
специальное геометрическое построение
– стандартный тетраэдр Томпсона (рис.
5.6, 5.7). Его вершины совпадают с базовыми
узлами ГЦК решётки, ребра расположены
вдоль кристаллографических направлений
<110>, а грани – четыре равносторонних
треугольника – являются плоскостями
{111}.
Рис.
5.6.
Расположение стандартного тетраэдра
Томпсона в элементарной ячейке
ГЦК-решетки
Буквами α, β, γ и δ обозначены центры граней, противолежащих вершинам А, В, C и D, соответственно. Лежащие в плоскостях граней {111} отрезки Аβ, Аγ, Аδ и т.п. представляют собой все возможные векторы Бюргерса a/6<112> частичных дислокаций Шокли.
Отрезки, соединяющие вершины тетраэдра с центрами противоположных граней Аα, Вβ, Cγ и Dδ, перпендикулярны граням {111} и представляют собой все возможные векторы Бюргерса a/3<111> частичных дислокаций Франка.
С
помощью стандартного тетраэдра Томпсона
удобно записывать дислокационные
реакции в ГЦК решётке.
Например, реакция расщепления полной единичной дислокации на две частичные дислокации Шокли может быть представлена в виде АС = Аδ + δС.
Рис.
5.7.
Стандартный тетраэдр Томпсона
Аналогичные реакции можно записать для других граней тетраэдра Томпсона. Объединение частичных дислокаций Франка и Шокли с образованием единичной полной дислокации описывает реакция Аα + αС = АС.
Критерий Франка не позволяет определить возможность протекания такой реакции
(а3/3)2 >(а6/6)2 +(а2/2)2
Но, учитывая, что в результате этой реакции исчезает дефект упаковки, связанный с частичной дислокацией Франка, она оказывается энергетически выгодной.
Р
ассмотрим
встречу двух расщепленных дислокаций,
движущихся в пересекающихся плоскостях
скольжения (рис. 5.8).
Рис.
5.8.
Образование дислокации Ломер-Коттрелла
при
встрече расщепленных дислокаций: а) до
встречи,
б)
после встречи
При движении расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации βА и Аδ встречаются на линии пересечения плоскостей скольжения ADC и ABC и вступают в реакцию:
βА + Аδ = βδ, образуя новую частичную дислокацию.
Отрезок βδ соединяет центры двух граней, параллелен ребру DВ и равен одной третьей отрезка DВ. Следовательно, вектор Бюргерса этой частичной дислокации равен а/6 [011].
Дислокационная реакция βА + Аδ = βδ даёт большой выигрыш энергии:
(а6/6)2+ (а6/6)2 > (а2/6)2 , а2/3 >а2/18
Линия дислокации а/6[011] находится в вершине двугранного угла, образованного встретившимися дефектами упаковки, и поэтому такую дислокацию называют вершинной.
Линия вершинной дислокации и её вектор Бюргерса лежат в плоскости, не являющейся плоскостью скольжения. Поэтому вершинная дислокация, связанная с двумя частичными дислокациями Шокли и клинообразным дефектом упаковки, неподвижна.
Эту совокупность из трёх частичных дислокаций и клинообразного дефекта упаковки называют дислокацией Ломер-Коттрелла. Поскольку дислокации Ломер-Коттрелла неподвижны, их называют иногда барьерами Ломер-Коттрелла.
Двойникующая дислокация. При пластической деформации и отжиге часто происходит двойникование – такая перестройка кристаллической решётки, при которой две части кристалла становятся симметричными относительно плоскости двойникования.
Граница между этими частями может не совпадать по всей длине с одной и той же кристаллографической плоскостью и может ступенчато переходить из одной кристаллографической плоскости в другую.
В металлах с ГЦК решёткой двойникующими являются дислокации с векторами Бюргерса a/6<112>, лежащие в плоскостях {111}.