
- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
Анизотропия – зависимость физических и механических свойств вещества от направления. Она характерна для кристаллов и связана с их симметрией: чем ниже симметрия, тем сильнее анизотропия. В отношении некоторых свойств, например, плотности, удельной теплоемкости, кристаллы изотропны, т.е. эти свойства не зависят от направления. Анизотропия жидких кристаллов и некоторых жидкостей объясняется частичной упорядоченностью в ориентации молекул и анизотропией некоторых их свойств (например, поляризуемости). В изотропных средах под действием электрического или магнитного поля, механических воздействий может возникнуть искусственная анизотропия. Поликристаллические материалы обычно изотропны; анизотропия свойств (в основном механических) может возникнуть в них в результате обработки (отжига, прокатки) и создания ориентации зерен (текстуры).
Вопросы для самопроверки
1. Каковы основные особенности ковалентного, ионного и металлического взаимодействий и как они влияют на структуру кристаллов?
2. Что считают эффективным радиусом частицы в кристалле? Какими системами таких радиусов пользуются в кристаллохимии?
3. Что понимают под координационным числом частицы в кристалле? Какие многогранники называют координационными?
4. От чего зависят координационные числа частиц в кристаллах с ковалентной и ионной связями? Каково влияние координационного числа на межатомные расстояния в кристаллах с металлической связью?
5. Какие слои и многослойные упаковки называют плотнейшими?
6.Как подсчитывается и чему равен коэффициент компактности плотнейших упаковок?
7. Каков порядок чередования плотноупакованных слоев в кубической и гексагональной плотнейших упаковках? Какие пустоты существуют в этих упаковках?
8. Дайте характеристику основных структурных типов металлических элементов – структурных типов меди, магния и вольфрама.
9. Охарактеризуйте структурные типы алмаза и графита.
10. Что понимают под изоморфизмом и полиморфизмом? Приведите примеры изоморфизма и полиморфизма кристаллов.
Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
Идеальный кристалл является теоретической моделью, широко используемой в теории твёрдого тела.
Идеальный кристалл характеризуется следующими основными признаками:
1) кристалл совершенной структуры, лишенный всех дефектов строения, которые неизбежны в реально существующих кристаллах;
2) кристалл совершенной формы, в которой физически равноценные грани одинаково развиты.
Монокристаллы, близкие по строению к идеальным, вырастают в подвешенном состоянии в хорошо перемешиваемом переохлажденном растворе. Они характеризуются минимальной плотностью дефектов строения и выраженной анизотропией свойств.
Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
Дефекты кристаллического строения подразделяются по геометрическим признакам на точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные).
Точечные
дефекты малы
во всех трех измерениях, их размеры по
всем направлениям не больше нескольких
межатомных р
асстояний.
К точечным дефектам относятся вакансии,
межузельные атомы, примесные атомы и
различные комплексы этих дефектов (рис.
3.1).
Линейные
дефекты малы
в двух измерениях, а в третьем могут
иметь размеры, соизмеримые с размерами
кристаллов. К линейным дефектам относятся,
например, дислокации, цепочки вакансий
и цепочки межузель
Рис.
3.1.
Типы точечных дефектов: 1 - вакансия; 2
- межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю;
4 - примесный атом замещения; 5 - примесный
атом внедрения; 6
- атом замещения большей валентности
Поверхностные дефекты малы только в одном измерении. К ним относятся, например, границы зерен, субзерен и двойников, дефекты упаковки.
Точечные, линейные и поверхностные дефекты являются микроскопическими, т.к. минимум в одном измерении их протяженность соизмерима с межатомными расстояниями.
В отличие от них объемные дефекты в атомном масштабе являются макроскопическими. К ним относятся разного размера поры, пустоты, трещины, царапины и т.п.
Под дефектами кристаллического строения обычно понимают микроскопические дефекты.
Искажения кристаллической решетки, связанные с тепловыми колебаниями материальных частиц, и упругие деформации, отличающие реальный кристалл от идеального, не относятся к дефектам кристаллического строения.
Элементарными точечными дефектами являются вакансии, межузельные атомы, примесные атомы внедрения и примесные атомы замещения (рис. 3.1).
Вакансии – незанятые узлы кристаллической решетки.
Межузельные атомы – это атомы основного металла, находящиеся в межузлиях его кристаллической решетки. Там же находятся и чужеродные, или примесные, атомы внедрения.
Примесные атомы замещения находятся в узлах кристаллической решетки, занимая места атомов основного металла.
Вакансии и примесные атомы замещения могут находиться в любых узлах кристаллической решетки. Межузельные атомы и примесные атомы внедрения располагаются преимущественно в тех межузлиях, которые более подходят по своим размерам. Как известно из кристаллографии, расположение межузельных пустот различно в кристаллических решетках разных типов.