Интегральные микросхемы:
- это полупроводниковый прибор, имеющий много pn- переходов и электродов, и представляющий собой единое функционально устройство (например, усилитель, стабилизатор).
Классификация:
1.По технологии изготовления:
-П.П. И.С .(полупроводниковые интегральные схемы);
-Плёночные;
-Гибридные.
П.П. И.С .(полупроводниковые интегральные схемы) – представляют собой pn- переходы, созданные в толще кристалла, образующие резисторы, конденсаторы, малые ёмкости, диоды и транзисторы, электронные связи в виде п.п. отсутствуют, поэтому П.П.И.С. обладают вот такими достоинства:
1.Из-за отсутствия пайки , повышается надёжность, уменьшается объём и снижается стоимость.
Главный недостаток:
Невозможность создать в толще п.п. индуктивности и трансформаторы, т.к. до настоящего времени не обнаружено в твёрдых телах физических явлений эквивалентных электромагнитной индукции, поэтому индукторы и трансформаторы являются навесными элементами , которые припаивают извне.
(1,5,6,7).
Плёночные – представляют собой выполненные на изоляционном материале напыления в виде плёнки.
(2,4,8)
R
L и т.д.
Достоинство: малые габариты по толщине, возможность получения индуктивностей.
Недостаток: невозможность создания элементов больших номинальных значений.
Г
ибридные
-
соединён плёночной, на которую напаяны
навесные элементы.(3)
R
L и т.д.
Область применения:
1.Отработка точных номинальных значений, элементов схемы в процессе её разработки или создания, в этом случае навесные элементы установки регулируемы.
2. При необходимости включения в схему элементов с большими номинальными значениями, которые невозможно получить ни в интегральной, ни в плёночной.
2. По виду обрабатываемого сигнала:
- Аналоговые;
-Цифровые.
Аналоговые – обрабатывают сигналы , которые изменяются по непрерывной функции
(ОУ - операционный усилитель).
Цифровые – обрабатывают сигналы, которые предоставлены в двоичном или другом цифровом коде..
3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции):
К=lg N (N- число элементов , входящих в ИС).
К |
Название ИС |
Цифровые |
Аналоговые |
к |
----------------- |
0-10 |
------------ |
2 |
МИС |
11-100 |
1-30 |
3 |
СИС |
101-1000 |
31-100 |
4 |
БИС |
1001-10000 |
101-300 |
5 |
СБИС |
Более 10000 |
Более 300 |
К – округляют до более наивысшего целого числа.
Анализ таблицы показывает, что ЦИС обеспечивает большую степень министруктуризации, однако, П.П.И.С. , особенно построенные на биполярных транзисторах (n-p-n)- типа, обеспечивают более высокую производительность, в И.С применяются, как правило, полевые транзисторы и индуцированным каналом.
Условные обозначения:
КР134ЛА2:
К- обозначение широкого распространения;
Р- обозначение типа корпуса: Р-пластик ,Е-металл, К- стекло-керамика.
1 – технология изготовления интегральной схемы.
34 – номер серии И.С.
ЛА- функциональное назначение И.С.
2 –номер разработки в серии.