- •Тема 2. Теория p-n перехода
- •2.1 P – n переход. Структура. Больцмановское равновесие.
- •2.2 Высота потенциального барьера p-n перехода в равновесном состоянии (контактная разность потенциалов).
- •2.3 Равновесная ширина p-n перехода.
- •2.4 Прямое смещение p-n перехода. Граничная неравновесная концентрация неосновных зарядов. Инжекция. Уровни инжекции.
- •2.5 Обратное смещение p-n перехода. Экстракция.
- •2.6 Несимметричный p-n переход. Эмиттер. База.
- •2.7 Вах идеализированного p-n перехода.
- •2.8 Прямая ветвь вах реального диода.
- •2 Б.9 Аппроксимация прямой ветви(замена нелинейного диода линейной моделью – кусочно-линейная аппроксимация).
- •2.10 Дифференциальное сопротивление p-n перехода.
- •2.11 Температурная зависимость прямого напряжения.
- •2.12 Обратная ветвь вах реального диода.
- •2.13 Аппроксимация обратной ветви.
- •2.14 Пробой p-n перехода. Механизмы пробоя. Температурная зависимость напряжения пробоя. ( му 1973)
- •2.15 Неравновесная ширина p-n перехода. Барьерная ёмкость. Варикапы.
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды.
- •3.1 Основные технологические операции при изготовлении полупроводниковых диодов.
- •3.2 Выпрямительные диоды. Параметры. Классификация.
- •3.3 Однополупериодные выпрямители.
2.11 Температурная зависимость прямого напряжения.
Вах идеализированной модели (2.44)
позволяет получить значение температурного коэффициента прямого напряжения на p-n переходе. Применим (2.47) и (1.11).
(2.54)
Так как U<З, то ТКН<0. Для кремния при Т=300К З=1,1 В и если U=0,6 В ТКН 2мВ/oC ,
На рис. построены ВАХ диода для трех температур в области малых токов (I<5мА). При увеличении тока растет влияние омического сопротивления (2.50), которое имеет положительный ТК. Поэтому в области больших токов суммарный ТКН диода уменьшается по модулю и может даже изменить знак, графики тока сближаются и пересекаются.
2.12 Обратная ветвь вах реального диода.
Идеализированная модель (2.44) имеет обратный ток
Тепловой ток (2.47)
.
Поскольку SL – объем, а pn/p и np/n – скорости термогенерации, то тепловой ток обусловлен генерацией неосновных зарядов в прилегающих к p-n переходу слоях с объемами SL.
Реальный диод имеет дополнительные составляющие токов, которые могут превышать тепловой ток.
При обратном напряжении благодаря увеличению высоты потенциального барьера ток рекомбинации пренебрежимо мал (он преобладает при Uпр) и не компенсирует ток термогенерации (2.48)
IТ.Г.+Ijрек= IТ.Г 0 (2.55)
По аналогии (2.12.2)
. (2.56)
Ток термогенерации суммируется с тепловым и увеличивает обратный ток. Тепловой ток Io пропорционален квадрату собственной концентрации: Ioni2. Отношение собственных концентраций для Ge и Si составляет примерно 103, поэтому соотношение тепловых токов для Ge и Si составляет 106. Так как IТ.Гni, то отношение токов термогенерации для Ge и Si составляет 103.
Вгерманиевых диодахIТ.Г <<Io, в кремниевых наоборот, ток IТ.Г >>Io, поэтому Ge: IoбрIo. (2.57)
Si: Ioбр IТ.Г. (2.58)
По этой причине германиевые диоды имеют обратные токи примерно в 103 раз больше кремниевых, а не в 106 в соответствии с идеализированной моделью.
В кремниевых диодах ток IО с ростом температуры увеличивается быстрее, чем ток термогенерации в переходе и при температурах выше +100оС превышает IТ.Г.
Кроме теплового тока и тока термогенерации в реальных диодах, особенно кремниевых, наблюдается ток утечки по поверхности IУТ, обусловленные дефектами кристаллической структуры и наличием различных поверхностных пленок, молекул газов, воды и др. В общем случае
IОБР= I0+IТ.Г.+IУТ , Iобр (Ge) ≈ 103 Iобр (Si) (2.59)
2.13 Аппроксимация обратной ветви.
При наличии экспериментальной (справочной) обратной ветви ВАХ возможна аппроксимация (линейное моделирование) диода.
(2.60)
2.14 Пробой p-n перехода. Механизмы пробоя. Температурная зависимость напряжения пробоя. ( му 1973)
Пробой – резкое увеличение обратного тока. Существует 2 основных типа первичного пробоя: туннельный и лавинный.
1. Туннельный пробой.Характерен для узких p-n переходов. Образуется между слоями с высокой концентрацией примесей. Туннельный эффект состоит в «просачивании» электронов через потенциальный барьер, когда их энергия недостаточна для преодоления потенциального барьера.
С ростом температуры уменьшается ширина запрещённой зоны, сам p-n переход сужается, энергия электронов увеличивается. Это приводит к уменьшению напряжения туннельного пробоя.
ТКН – температурный коэффициент напряжения пробоя. ТКН<0.
2. Лавинный пробой. Характерен для широких p-n переходов. Образуется между низко легированными слоями с большим удельным сопротивлением.
Движение электронов вp-n переходе с высокой напряженностью поля сопровождается ударной ионизацией атомов основного материала, в результате чего образуются электронно-дыроч-ные пары. Новые носители также могут набрать скорость (энергию), достаточную для ионизации – развивается лавинообразный процесс увеличения обратного тока.
При увеличении температуры электроны чаще сталкиваются с атомами основного материала, не успевая набрать энергию ионизации и для лавинного пробоя необходимо увеличивать напряжённость, т.е. напряжение пробоя. ТКН>0.
Ток пробоя необходимо ограничивать с помощью внешних резисторов. В противном случае за счёт саморазогрева первичный (туннельный и лавинный) пробой перейдёт во вторичный (тепловой) и диод выйдет из строя. Для выпрямительных диодов пробой является вредным эффектом. Ge -диоды как правило имеют в 100-1000 раз больше обратные токи и соответственно в 10 раз меньше напряжение пробоя.
Пробой – полезный эффект при ограничении токов: используется в стабилитронах.