- •Квантовая физика
- •Тема 3.1. Квантовые законы движения микрообъектов
- •§ 3.1.1. Корпускулярно-волновой дуализм
- •Основные связи корпускулярности и волны
- •§ 3.1.3. Соотношение неопределенностей, его физическая и методологическая интерпретация
- •§ 3.1.4. Волновая функция и ее статистический смысл
- •Величина
- •§ 3.1.5. Уравнение Шрёдингера – основное уравнение нерелятивистской квантовой механики. Уравнение Шрёдингера для стационарных состояний
- •§ 3.1.6. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме»
- •Общее решение дифференциального уравнения (3):
- •§ 3.1.7. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер.
- •3.2. Физика атомов и молекул § 3.2.1. Атом водорода в квантовой механике
- •§ 3.2.2. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •§ 3.2.3. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме
- •§ 3.2.4. Периодическая система Менделеева
- •§ 3.2.5. Спектры излучения атомов
- •§ 3.2.6. Молекулы: химические связи, понятие
- •§ 3.2.7. Поглощение, спонтанное и вынужденное излучение
- •§ 3.2.8. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •3.3. Электропроводимость полупроводников и металлов
- •§ 3.3.1. Понятие о квантовой статистике Бозе-Эйнштейна
- •§ 3.3.1. Вырожденный электронный газ в металле.
- •§ 3.3.2. Выводы квантовой теории электропроводности
- •§ 3.3.3. Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 3.3.4. Металлы, диэлектрики и полупроводники
- •§ 3.3.5. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 3.3.6. Примесная проводимость полупроводников
- •3.3.7. Контакт двух металлов по зонной теории
- •3.3.8. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •3.3.9. Полупроводниковые диоды и триоды
- •Тема 3.4. Квантовые свойства излучения и их
- •§ 3.4.1. Тепловое излучение и его характеристики
- •§ 3.4.2. Закон Кирхгофа
- •§ 3.4.3. Законы Стефана — Больцмана и смешения Вина
- •§ 3.4.4. Виды фотоэлектрического эффекта.
- •§ 3.4.5. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта
- •§ 3.4.6. Фотон и его характеристики
- •§ 3.4.7. Эффект Комптона
- •Тема 3.5. Атомное ядро и ядерные силы
- •§ 3.5.1. Состав атомного ядра и его характеристики
- •§ 3.5.2. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 3.5.4. Ядерные силы
- •§ 3.5.5. Радиоактивность
- •§ 3.5.6. Закон радиоактивного распада.
- •§ 3.5.9. Ядерные реакции
- •§ 3.5.12. Реакции деления ядра и цепные реакции деления
- •§ 3.5.13. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 3.5.14. Реакция синтеза атомных ядер
§ 3.3.6. Примесная проводимость полупроводников
Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками. Примесная проводимость обусловлена примесями (атомы посторонних элементов), а также дефектами типа избыточных атомов (по сравнению со стехиометрическим составом), тепловыми (пустые узлы или атомы в междоузлиях) и механическими (трещины, дислокации и т.д.) дефектами. Наличие в полупроводнике примеси существенно изменяет его проводимость. Например, при введении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 106 раз.
В полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов, носителями тока являются электроны; возникает электронная примесная проводимость (проводимость n-типа). Полупроводники с такой проводимостью называются электронными (или полупроводниками n-типа). Примеси, являющиеся источником электронов, называются донорами, а энергетические уровни утих примесей – донорными уровнями.
Например, при замещении атома германия пятивалентным атомом мышьяка (рис. 22, а) один электрон не может образовать ковалентной связи, он оказывается лишним и может быть легко при тепловых колебаниях решетки отщеплен от атома, т. е. стать свободным. Образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентной связи; следовательно, в отличие от случая, рассмотренного ранее, дырка не возникает. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и поэтому перемещаться по решетке не может.
Рис. 22
С точки зрения зонной теории рассмотренный процесс можно представить следующим образом (рис. 22, б). Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. В случае германия с примесью мышьяка этот уровень располагается от дна зоны проводимости на расстоянии ΔЕD = 0,013 эВ. Так как ΔЕD < kT, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для того, чтобы перебросить электроны примесного уровня в зону проводимости; образующиеся при этом положительные заряды локализуются на неподвижных атомах мышьяка и в проводимости не участвуют.
В полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомом, носителями тока являются дырки; возникает дырочная проводимость (проводимость р-типа). Полупроводники с такой проводимостью называются дырочными (или полупроводниками р-типа). Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются акцепторами, а энергетические уровни этих примесей — акцепторными уровнями.
Предположим, что в решетку кремния введен примесный атом с тремя валентными электронами, например бор (рис. 23, а). Для образования связей с четырьмя ближайшими соседями у атома бора не хватает одного электрона,одна из связей остается неукомплектованной и четвертый электрон может быть захвачен от соседнею атома основного вещества, где соответственно образуется дырка. Последовательное заполнение образующихся дырок электронами эквивалентно движению дырок в полупроводнике, т.е. дырки не остаются локализованными, а перемещаются в решетке кремния как свободные положительные заряды. Избыточный же отрицательный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом
примеси и по решетке перемещаться не может.
a ) б)
Р ис. 23
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровни А, не занятого электронами. В случае кремния с примесью бора этот уровень располагается выше верхнего края валентной зоны на расстоянии ΔЕА =0,08 эВ (рис. 23, 6). Близость этих уровней к валентной зоне приводит к тому, что уже при сравнительно низких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни и, связываясь с атомами бора, теряют способность перемещаться по решетке кремния, т. е. в проводимости не участвуют. Носителями тока являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне.
В отличие от собственной проводимости, осуществляющейся одновременно электронами н дырками, примесная проводимость полупроводников обусловлена в основном носителями одного знака: электронами — в случае донорной примеси, дырками — в случае акцепторной. Эти носители тока называются основными. Кроме основных носителей в полупроводнике имеются и неосновные носители: в полупроводниках n-типа – дырки, в полупроводниках р-типа – электроны.
Наличие примесных уровней в полупроводниках существенно изменяет положение уровня Ферми ЕF . Расчеты показывают, что в случае полупроводников n-типа уровень Ферми ЕF при 0 К расположен посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем (рис. 24, а). С повышением температуры все большее число электронов переходит из донорных состояний в зону проводимости, но, помимо этого, возрастает и число тепловых флуктуации, способных возбуждать электроны из валентной зоны и перебрасывать их через запрещенную зону энергий. Поэтому при высоких температурах уровень Ферми имеет тенденцию смещаться вниз (сплошная кривая) к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника.
Рис. 24
Уровень Ферми в полупроводниках р-типа при 0 К располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем (рис.24, б). Сплошная кривая опять-таки показывает его смещение с температурой. При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике.
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей – по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 25 дан примерный график зависимости lnγ от 1/Т для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника.
Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок ВС соответствует области истощения примесей (это подтверждают и эксперименты), участок СD описывает собственную проводимость полупроводника.
Рис. 25