Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ.ppt
Скачиваний:
78
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
5.71 Mб
Скачать

Рис.3.9. Графики Δφ(U), I(U), δ(U) и C(U)

73

Нормирование функций δ(U), Δφ(U) и С(U)

74

Рис.3.10. Графики нормированных функций

δ(U), Δφ(U) и С(U)

75

3.3.Основной вывод по разделу 3

Существует два вида переходов металл–полупроводник, – выпрямляющие переходы и омические контакты. Выпрямляющие переходы обладают свойством односторонней проводимости. Омические контакты не обладают таким свойством.

76

4.Электронно-дырочный переход

4.1.Структура электронно-дырочного перехода

Рис. 4.1. 77

4.2.Электронно–дырочный переход в состоянии равновесия

4.2.1.Контакт двух полупроводников.

Рис.4.2. Образование p–n–перехода

78

4.2.2. Факторы динамического равновесия

Рис.4.3

79

 

4.2.3. Равновесное состояние перехода

Рис. 4.4 80

4.2.4. Распределение зарядов в p–n–переходе

Рис.4.5

81

Формулы к рис.4.5

 

p p p x

 

pp exp

 

 

 

ïðè

 

T

 

 

 

ïðè

 

 

 

pp

 

 

p x

 

 

p p n x

 

 

 

 

pp exp

 

 

 

ïðè

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pn

 

 

ïðè

 

 

 

 

 

p x 0, x p ,

0x n , x n .

 

n x n n

nn exp

 

 

T

 

 

 

 

 

 

nn

 

n x

p x n n

 

nn exp

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

np

 

 

 

 

 

ïðè

0 x n ,

ïðè

x n ,

ïðè

p x 0,

ïðè

x p .

82

(4.2)

(4.3)

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.