Добавил:
Studfiles2
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ.ppt
2.16.3. Ток диффузии. Полный ток.
(2.28)
(2.29)
(2.30)
(2.31)
53
2.17. Время жизни неравновесных зарядов
|
Рис.2.13 |
б |
а |
||
|
|
|
(2.32) |
(2.33) |
54
2.18. Диффузионная длина неравновесных зарядов
а |
Рис.2.14 |
б |
(2.34) |
(2.35) |
55
2.4. Влияние поверхностных состояний
Рис.2.13
56
2.5. Эффект внешнего поля
57
Рис.2.15. Термическая ионизация (эффект Френкеля)
58
Рис.2.16. Эффект Зинера (туннельный эффект)
59
2.6.Основные выводы по разделу 2
•В полупроводнике, находящемся в состоянии равновесия, распределение электронов по энергетическим уровням соответствует распределению Ферми– Дирака.
•По типу электропроводности полупроводники разделяются на собственные (полупроводники i–типа), электронные (полупроводники п–типа) и дырочные (полупроводники р–типа).
•Существует два вида направленного движения свободных носителей заряда в полупроводнике, – дрейф и диффузия.
•Под действием внешнего электрического поля могут изменяться концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводникового кристалла.
60
3. Контактные явления. Контакты металл–полупроводник. 3.1.1. Работа выхода.
61
Контактные явления.
Работа выхода и контактная разность потенциалов
62