Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ.ppt
Скачиваний:
78
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
5.71 Mб
Скачать

2.10. Соотношения между концентрациями подвижных зарядов в примесных полупроводниках

2.11

2.12

2.13

2.14

43

2.10. Продолжение

(2.15)

(2.16)

(2.17)

(2.18)

(2.19)

(2.20)

44

2.11. Зависимости равновесных концентраций подвижных зарядов от степени легирования полупроводников примесями

45

Рис.2.6

2.12. Уровни Ферми в примесных полупроводниках

46

Рис.2.7. Полупроводник n–типа

WFn WE kT ln

nn

,

(2.21)

 

 

ni

 

2.12. Продолжение

47

Рис.2.8. Полупроводник p–типа

WFp WE kT ln

pp

,

(2.22)

ni

 

 

 

2.13. Зависимость уровней Ферми от концентраций примесей

48

Рис.2.9

49

2.14. Механизмы образования подвижных

зарядов

 

Рис.2.10

а

 

б

в

 

 

 

 

2.15. Основные и неосновные носители зарядов

50

 

Рис.2.11

б

а

 

 

 

2.16.Токи в полупроводнике.

2.16.1.Ток дрейфа.

(2.23)

(2.24)

(2.25)

(2.26)

(2.27)

51

2.16.2. Электропроводность полупроводников

в электрическом поле

52

а

б

в

Рис.2.12

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.