- •Полевые транзисторы
- •1. Полевые транзисторы
- •1.1. Классификация полевых транзисторов
- •1.2. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •1.2.1. Влияние напряжений на электродах на процессы в транзисторе
- •1.2.1.А Влияние напряжения на затворе (uзи)
- •1.2.1.Б Влияние напряжения стока (Uси)
- •1.2.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •1.2.3. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.3.1.А. Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •1.3.2.А. Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •1.4. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.5. Работа полевого транзистора в импульсном режиме
- •1.6. Основные параметры полевых транзисторов
- •2. Практическое выполнение работы
- •2.1. Порядок выполнения работы
- •2.1.1. Определение семейства (передаточных) стоко-затворных характеристик
- •2.1.2. Определение семейства (выходных) стоковых характеристик
- •2.2. Оформление отчета по лабораторной работе
- •2.3. Контрольные вопросы
- •Полевые транзисторы…............…………………………………….…..…5
- •424001 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
2. Практическое выполнение работы
В процессе выполнения лабораторной работы студентам необходимо получить реальные семейства стоко-затворных (передаточных) и стоковых (выходных) вольт-амперных характеристик исследуемого полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, с каналом р-типа, выполнить расчеты параметров транзистора по полученным ВАХ. Сделать выводы по результатам работы.
Работа выполняется на специализированном стенде «Луч» со съемными схемными панелями и исследуемыми элементами.
Перед началом работы студентам необходимо ознакомиться с основными характеристиками и параметрами, схемами включения и режимами работы полевых транзисторов приведенных в методических указаниях.
2.1. Порядок выполнения работы
Для исследования установить измерительную панель № 7. В качестве исследуемого элемента используется кремниевый полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, с каналом р-типа КП103.
Собрать схему измерений, представленную на рис. 16.
Рис. 16
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГН 1 − генератор (источник) напряжения;
− РU 1 (UЗИ) − вольтметр АВМ 1 с пределом измерения 2.5 В;
− РА 1 (IС) − амперметр АВМ 2 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;
− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;
− PU 2 (UКБ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В;
− VT1 − полевой транзистор КП103.
2.1.1. Определение семейства (передаточных) стоко-затворных характеристик
Выполнить измерения для построения семейства стоко-затворных ВАХ Iс = f(Uзи) при Uси − const. Измерения производить, изменяя напряжение Uзи от 0 до 3(В) с шагом 0.2(В). Определить две характеристики семейства для Uси = 5; 10 (В).
2.1.2. Определение семейства (выходных) стоковых характеристик
Выполнить измерения для построения семейства стоковых ВАХ Iс = f(Uси) при Uзи − const. Измерения производить, изменяя напряжение Uси от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Определить пять характеристик семейства для Uзи = 0; 0.3; 0.6; 0.9; 1.2 (В).
2.2. Оформление отчета по лабораторной работе
По полученным результатам построить два графика: семейства стоко-затворных и стоковых характеристик.
По графикам определить основные параметры полевого транзистора КП103.
По результатам выполненной работы оформляется отчет. Отчет по работе должен содержать следующие разделы:
− титульный лист;
− цель работы;
− рабочую схему измерения;
− таблицы результатов;
− графики семейств характеристик;
− вычисления параметров полевого транзистора;
− выводы по полученным результатам.
2.3. Контрольные вопросы
1. Классификация и условно-графические обозначения полевых транзисторов.
2. Принципы управления в полевых транзисторах.
3. Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
4. Процессы протекающие в полевых транзисторах.
5. Семейства статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
6. Структура МДП-транзистора с индуцированным каналом.
7. Семейства статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом.
8. Структура МДП-транзистора со встроенным каналом.
9. Семейства статических характеристик МДП-транзисторов со встроенным каналом.
10. Особенности полевых транзисторов.
11. Работа полевых транзисторов на высоких частотах и в импульсном режиме.
12. Основные параметры полевых транзисторов.
Содержание