П О Л Е В Ы Е
Т Р А Н З И С Т О Р Ы
Йошкар-Ола
2011
МАРИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ФАКУЛЬТЕТ ИНФОРМАТИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ
КАФЕДРА ИНФОРМАЦИОННО-ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
Полевые транзисторы
Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
модуль «Электроника»
по направлению подготовки 230100
«Информатика и вычислительная техника»
квалификация 230100.62
Йошкар-Ола
2011
УДК 621.317(076.5)
Полевые транзисторы: Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» (модуль «Электроника») для студентов по направлению подготовки 230100 «Информатика и вычислительная техника» /Сост. С. В. Старыгин. − Йошкар-Ола: МарГТУ, 2011.
Определены цели и задачи изучения полевых транзисторов, приведены краткие теоретические сведения необходимые для понимания принципа действия полевых транзисторов, методика проведения экспериментов по исследованию характеристик и определения параметров полевых транзисторов.
© Марийский государственный технический университет, 2011
© Старыгин С.В., 2011, составление
Цель работы: ознакомление с устройством, принципом действия, характеристиками, параметрами полевых транзисторов.
1. Полевые транзисторы
Полевой транзистор – это полупроводниковый электропреобразовательный прибор, свойства которого определяются потоком основных носителей заряда в проводящем полупроводниковом канале, управляемом электрическим полем.
Электрическое поле, воздействующее на канал создается с помощью изолированного электрода, называемого затвором. Два других электрода называют исток и сток, которые представляют собой выводы проводящего канала.
1.1. Классификация полевых транзисторов
В зависимости от способа изоляции затвора от проводящего канала различают следующие разновидности полевых транзисторов.
1. Полевые транзисторы с управляющим переходом (рис. 1,а). В качестве переходов могут использоваться: p-n переход, переход Шоттки, гетеропереход. В данных транзисторах изоляция затвора от канала осуществляется запирающим слоем управляющего перехода.
2. Полевые транзисторы с изолированным затвором. В данных транзисторах затвор изолирован от проводящего канала слоем диэлектрика. Подзатворная область таких транзисторов представляет трехслойную структуру металл−диэлектрик−полупроводник (МДП), поэтому полевые транзисторы данного типа принято называть МДП-транзисторы.
МДП-транзисторы подразделяются на транзисторы с индуцированным каналом (рис. 1,б) и со встроенным каналом (рис. 1,в).
Полевые транзисторы различают также по типу проводимости канала: транзисторы с каналом р-типа, транзисторы с каналом n-типа Тип канала определяется направлением стрелки на условно-графическом обозначении транзистора (рис. 1).
а) б) В
Рис. 1