- •Полевые транзисторы
- •1. Полевые транзисторы
- •1.1. Классификация полевых транзисторов
- •1.2. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •1.2.1. Влияние напряжений на электродах на процессы в транзисторе
- •1.2.1.А Влияние напряжения на затворе (uзи)
- •1.2.1.Б Влияние напряжения стока (Uси)
- •1.2.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •1.2.3. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.3.1.А. Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •1.3.2.А. Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •1.4. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.5. Работа полевого транзистора в импульсном режиме
- •1.6. Основные параметры полевых транзисторов
- •2. Практическое выполнение работы
- •2.1. Порядок выполнения работы
- •2.1.1. Определение семейства (передаточных) стоко-затворных характеристик
- •2.1.2. Определение семейства (выходных) стоковых характеристик
- •2.2. Оформление отчета по лабораторной работе
- •2.3. Контрольные вопросы
- •Полевые транзисторы…............…………………………………….…..…5
- •424001 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
1.3.2.А. Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
Входная характеристика Iз = f(Uзи) при Uси − const. Вследствие изоляции затвора Iз » 0 при любых напряжениях на электродах. Поэтому данная характеристика практически не рассматривается.
Семейство выходных характеристик Iс = f(Uси) при Uзи − const приведено на рис. 13.
Рис. 13
Выходные характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом аналогичны выходным характеристикам МДП-транзистора с индуцированным каналом. Отличием является выделение двух зон на ВАХ, которые характеризуют режимы обеднения и обогащения.
Семейство передаточных характеристик Iс = f(Uзи) при Uси − const, представлено на рис. 14.
Рис. 14
При Uзи < 0 р-канал обогащается дырками, и ток в канале растет.
При Uзи > 0 происходит вытеснение дырок из канала и ток в канале падает, и при Uзи = Uзи отс ток в канале Iс становится равным нулю.
Повышение Uзи лишь незначительно увеличивает ток стока, так как канал находится в режиме насыщения.
1.4. Частотные свойства полевых транзисторов
Частотные свойства биполярных транзисторов определялись процессами инжекции носителей и их диффузионного распространения в базе транзистора.
В полевых транзисторах явления инжекции и диффузии отсутствуют. Поэтому их частотные свойства определяются только процессами перезаряда межэлектродных емкостей. В частности, вследствие шунтирующего действия емкостей Сзи ,Сзс на высоких частотах полевой транзистор по цепи затвора может потреблять от источника сигнала значительную мощность. При этом падает крутизна стоко-затворной характеристики , где - предельная частота проводимости прямой передачи, на которой крутизна характеристики уменьшается в √¯2 раз, что свидетельствует об ухудшении усилительных свойств транзистора с повышением частоты.
1.5. Работа полевого транзистора в импульсном режиме
В импульсном или ключевом режиме используются в основном транзисторы с индуцированным каналом, что объясняется наличием у них порогового напряжения. При Uзи < Uзи пор транзистор закрыт, а при Uзи > Uиз пор транзистор открыт.
Временные диаграммы воздействия управляющего импульса Uвх показаны на рис. 15.
Рис.15
В течение времени tвкл происходит перезаряд входных емкостей транзистора и формируется проводящее состояние канала. За время tвыкл транзистор переходит в исходное состояние. Эти величины характеризуют полевые транзисторы в ключевом режиме работы.
1.6. Основные параметры полевых транзисторов
Параметры полевых транзисторов можно разделить на специфические, характерные только для полевых транзисторов, и эксплуатационные.
К первой группе относятся следующие параметры.
Крутизна стоко-затворной характеристики − S = ∆Ic/∆Uзи при Uси − const, которая характеризует управляющие свойства напряжения на затворе на ток стока.
Для оценки влияния подложки на процессы в канале вводят крутизну по подложке Sп = ΔIс нас/ΔUп при Uзи − const, Uси − const.
Обычно SП < S. При соединении затвора с подложкой суммарная крутизна S* = S + SП.
Выходное дифференциальное сопротивление − .
Коэффициент усиления − μ = − ∆Uси/∆Uзи при Iс − const, который сравнивает влияния напряжений Uси и Uзи на рост тока стока Iс.
Приведенные выше параметры связаны выражением μ = SRi.
Эксплуатационные параметры определяются по ВАХ. Основными из них являются: Uзи отс или Uзи пор, Iс max, Uси max.
К этой группе относятся и параметры, характеризующие полевые транзисторы по быстродействию: ωs, tвкл , tвыкл.