- •Конспект лекцій
- •«Автоматизація виробничіх процесів та мікропроцесорна техніка»
- •Лекция 1 – Основные понятия, определения автоматизации. Процессы управления, структурная схема асу тп. Виды управления. Автоматизированные системы, виды схем автоматизации.
- •Лекция 2 – Классификация систем автоматизации, автоматические системы.
- •Лекция 3 – Технические средства автоматизации, э/м реле, геркон, магнитные и электронные усилители, транзисторы, исполнительные механизмы.
- •Структура усилителя
- •Каскады усиления
- •Аналоговые усилители и цифровые усилители
- •Виды усилителей по элементной базе
- •Виды усилителей по диапазону частот
- •Виды усилителей по полосе частот
- •Виды усилителей по типу нагрузки
- •Специальные виды усилителей
- •Некоторые функциональные виды усилителей
- •Усилители в качестве самостоятельных устройств
- •Питание
- •Простейшее включение оу
- •Параметры по постоянному току
- •Параметры по переменному току
- •Нелинейные эффекты
- •Ограничения тока и напряжения
- •По типу элементной базы
- •По области применения
- •Другие классификации
- •По основному полупроводниковому материалу
- •По структуре
- •Комбинированные транзисторы
- •Лекция 4 – Микропроцессорная техника, контроллеры, программирование. Основные характеристики мп - контроллеров
- •Лекция 5 - Цифровая обработка сигналов (квантование, цифровая фильтрация).
- •Лекция 6 - Регуляторы. Методы получения информации, датчики, измерительные устройства. Автоматические регуляторы
- •Измерения температуры.
- •Анализ современных методов автоматического контроля давления и выбор наиболее рационального метода
- •Если абсолютное давление ниже барометрического, то
- •3.1 Классификация приборов для измерения давления
- •Манометры сопротивления
- •3.1.6 Емкостные манометры
- •Расходомеры
- •Уравнемеры
- •Измерение уровня с помощью радиоактивных изотопов Область применения
- •Лекция 7 Компьютерные сети.
- •Лекция 8 - Магистральная структура компьютерных сетей. Уровни программного обеспечения сети.
- •Лекция 9 - Интерфейсы (rs 232)
- •Лекция 10 - scada системы
- •Системы scada
- •Лекция 11 - Нечеткие алгоритмы управления
- •Лекция 12 - Искусственная нейронная сеть.
- •Этапы решения задач:
- •Классификация по характеру связей Сети прямого распространения (Feedforward)
- •Рекуррентные нейронные сети
- •Радиально-базисные функции
- •Самоорганизующиеся карты
- •Известные типы сетей
- •Отличия от машин с архитектурой фон Неймана
- •Примеры приложений Предсказание финансовых временных рядов
- •Лекция 13 - Система автоматического контроля и регулирования 3-х зонной методической печи.
- •13.1. Технологические параметры, определяющие работу доменной печи
- •13.2 Локальные системы автоматического управления доменным процессом
- •Регулирование температуры горячего дутья.
- •Регулирование соотношения "природный газ — холодное дутье" с коррекцией по кислороду
- •13.4 Задачи управления ходом доменной печи
- •13.5 Система комплексной автоматизации доменного производства
- •Лекция 14 - Система автоматического контроля и регулирования 3-х зонной методической печи
- •Лекция 15 - Система автоматического регулирования разливкой стали на мнлз.
- •2 Задачи управления на мнлз
- •3 Локальные системы управления
- •4 Асу тп разливки стали на мнлз
- •Лекция 16 - Система автоматического регулирования тепловым режимом дуговой сталеплавильной печи и установки внепечной обработки стали «Печь-ковш».
По основному полупроводниковому материалу
Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:
Германиевые
Кремниевые
Арсенид-галлиевые
Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.
Обозначение транзисторов разных типов. Условные обозначения: Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база; З — затвор, И — исток, С — сток.
По структуре
|
|
|
Транзисторы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Биполярные |
|
|
|
|
|
Полевые |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
p-n-p |
|
n-p-n |
|
С p-n-переходом |
|
|
С изолированным затвором |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
С каналом n-типа |
|
С каналом p-типа |
|
Со встроенным каналом |
|
С индуцированным каналом |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.
Биполярные
n-p-n структуры, «обратной проводимости».
p-n-p структуры, «прямой проводимости»
Полевые
с p-n переходом
с изолированным затвором
Однопереходные
Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)