МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ
Запорізький державний технічний університет
Методичні вказівки
до лабораторної роботи
“Визначення параметрів напівпровідників за допомогою вимірювання ЕРС Хола”
з дисципліни “Метрологія”
для студентів спеціальності 8.090801
“Мікроелектроніка та напівпровідникові прилади”
Затверджено на засіданні кафедри МЕНП
протокол №__8_
від “_10__”__12___1999
2000
УДК 621.396.6
Методичні вказівки до лабораторної роботи “Визначення параметрів напівпровідників за допомогою вимірювання ЕРС Хола” з дисципліни “Метрологія” для студентів усіх форм навчання спеціальності 8.090801 “Мікроелектроніка та напівпровідникові прилади” /Укл.: А.М.Багінський, В.И.Грядун. – Запоріжжя: ЗДТУ, 1999.-
Викладена фізична сутність ефекту Хола, дані основні методи виміру ЕРС Хола, а також використання ефекту Хола для визначення деяких параметрів напівпровідників. Дані вказівки до виконання лабораторної роботи.
Укладачі: А.М.Багінський, ст.викладач
В.И.Грядун, ст.викладач
Комп’ютерна верстка: Є.В.Васютін
Відповід. за випуск: Г.В.Сніжной, доцент, к.ф.-м.н.
Зміст
Вступ……………………………………………………………………….4
1 Загальні відомості……………………………………………………….4
Ефекти Хола……………………………………………...…………4
Методи виміру ЕРС Хола……………………………………………….6
Класичний метод………………………………...………………....6
Вимір ефекту Хола методом Ван-дер-Пау…………………….….7
Чотирьохзондовий холівский метод………………………….….10
Мета роботи……….……………………………………………………11
Порядок виконання роботи……………………………………………11
Зміст звіту………………………………………………………………12
Контрольні запитання………………………………………………….12
Література………………………………………………………………..12
Вступ
Кінетичні ефекти, що мають місце при одночасному впливі на носії заряду електричного і магнітного полів, називають гальваномагнітними ефектами. Ефект Хола є одним із гальваномагнітних ефектів. Крім ефекту Хола до гальваномагнітних явищ відносять ефект магнітного гістерезісу, поперечний гальванотермомагнітний ефект (Еттенгсхаузена), подовжній гальванотермомагнітний ефект (ефект Нернста). Так, як з усіх гальваномагнітних ефектів ефект Хола проявляється більш сильно, він одержав широке застосування в якості методу виміру ряду параметрів напівпровідникових матеріалів у лабораторній практиці і для промислового контролю.
1 Загальні відомості
1.1 Ефект Хола
Фізична сутність ефекту Хола полягає в наступному (мал.1). Через зразок, що має форму паралелепіпеда пропускають струм у напрямку осі Х. Якщо уздовж осі Z, перпендикулярній осі Х, створити магнітне поле ВZ, то носії заряду, що рухаються уздовж осі Х із швидкістю Vx будуть відхилятися під дією сили Лоренца:
(1.1)
у
Малюнок1.1
Таким чином, у напрямку Y з'являється поперечний струм Iy. Так, як зразок має кінцеві розміри в напрямку осі Y, то на бічних гранях зразка відбувається накопичення зарядів. Внаслідок такого накопичення виникає поперечне електричне поле Ey, яке зростає до тих пір, поки не скомпенсує силу Лоренца і поперечний струм Iy не стане рівним нулю. Так чином у зразку виникає сумарне поле E = Ey + Eх, яке буде нахилено на деякий кут Q щодо Eх, пропорційно магнітній індукції Y:
(1.2)
Як можна бачити розмірність коефіцієнта пропорційності μн збігається з розмірністю рухливості і має назву холлівської рухливості.
Хол експериментально встановив, що поле Ey задовольняє наступному емпіричному співвідношенню (для слабких магнітних полів):
(1.3)
де jx - густина струму, Rн - постійна Хола, яка залежить від властивостей матеріалу.
З (1.2) і (1.3) випливає:
(1.4)
Використовуючи відомі вирази для густини струму й електричної провідності δ:
(1.5)
(1.6)
де n - концентрація електронів, μn - дрейфова рухливість, одержуємо:
(1.7)
Для діркового типу провідності аналогічно:
(1.8)
де р - концентрація дірок.
При мішаній провідності, коли існує два типи носіїв заряду:
(1.9)
Відношення рухливостей А залежить від механізму розсіювання носіїв заряду в зразку і має назву хол-чинника. При розсіюванні на іонах домішки А = 1,9; на теплових коливаннях атомної гратівки А = 1,17; на нейтральних центрах А = 1. У сильних магнітних полях і вироджених напівпровідниках А = 1.
Як виходить з приведених вище формул, вимірявши значення Uн, В, Y, I, d, можна розрахувати постійну Хола. Знаючи питому електропровідність зразка, можна визначити рухливість носіїв заряду і концентрацію. Знак постійної Хола визначається знаком носіїв заряду, рухливість яких привалює. З (1.9) видно, що в тому випадку, коли напівпровідник містить два типи носіїв, окремо визначити їх концентрацію і рухливість за допомогою виміру лише ефекту Хола неможливо.