Скачиваний:
54
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
786.09 Кб
Скачать

Таким образом, для определения химического состава требуется знание степени релаксации эпитаксиального слоя, R (состав определяется с

 

1

 

точностью до множителя K=

 

 

.

 

 

1

+ D DR

В случае псевдоморфного роста (R=0) и К ≈ 0.5 В случае полной релаксации (R=1) и K = 1

Т.е. отсутствие данных о степени релаксации вызывает неопределенность химического состава в два раза.

В общем случае требуются более сложные рентгеновские измерения (постоянная решетки в плоскости интерфейса позволяет определить R) или постулируется псевдоморфный рост (например тонкие слои или

AlGaAs/GaAs)

А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 21

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

эксперимент

 

 

 

 

 

 

 

R=0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R=1

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

(%)

0

 

 

 

 

 

 

 

 

XRD

-2

 

 

 

 

 

 

 

 

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-8

-6

-4

-2

0

2

4

6

8

 

 

 

 

 

x FLUX

(%)

 

 

 

Соотношение между отклонением от согласованного состава, определенным из рентгеновской дифракции в предположении

А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 22

a)пседоморфного роста (синяя кривая)

b)100%-релаксации (зеленая кривая)

исоставом, определенным из соотношения потоков для слоев InGaAs/InP.

Экспериментальные данные (точки) следуют синей кривой, когда слои являются псевдоморфными, и отклоняются к зеленой кривой при начале пластической релаксации напряжения. Стрелками показаны границы псевдоморфного роста (толщина слоев ~ 1 мкм).

А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 23