Лекции по гетеропереходам / курс лекций физика и технология полупроводниковых наноструктур / 09_напряжнные квантовые ямы
.pdfТаким образом, для определения химического состава требуется знание степени релаксации эпитаксиального слоя, R (состав определяется с
|
1 |
|
|
точностью до множителя K= |
|
|
. |
|
|
||
1 |
+ D − DR |
||
В случае псевдоморфного роста (R=0) и К ≈ 0.5 В случае полной релаксации (R=1) и K = 1
Т.е. отсутствие данных о степени релаксации вызывает неопределенность химического состава в два раза.
В общем случае требуются более сложные рентгеновские измерения (постоянная решетки в плоскости интерфейса позволяет определить R) или постулируется псевдоморфный рост (например тонкие слои или
AlGaAs/GaAs)
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 21
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
эксперимент |
|
|
|
|
|
|
|
|
R=0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R=1 |
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
(%) |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
XRD |
-2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
x |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-8 |
-6 |
-4 |
-2 |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
|
|
|
|
|
x FLUX |
(%) |
|
|
|
Соотношение между отклонением от согласованного состава, определенным из рентгеновской дифракции в предположении
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 22
a)пседоморфного роста (синяя кривая)
b)100%-релаксации (зеленая кривая)
исоставом, определенным из соотношения потоков для слоев InGaAs/InP.
Экспериментальные данные (точки) следуют синей кривой, когда слои являются псевдоморфными, и отклоняются к зеленой кривой при начале пластической релаксации напряжения. Стрелками показаны границы псевдоморфного роста (толщина слоев ~ 1 мкм).
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 9 стр. 23