
- •Э.А. Гюннер, в.Ф. Шульгин общая химия
- •Введение Предмет и структура химии
- •1. Химическая атомистика
- •1.1. Основные положения и понятия химической атомистики
- •1.2. Стехиометрические законы химии
- •1.3. Методы определения молекулярных масс и атомных масс
- •Методы определения молекулярных масс.
- •1.3.2. Методы определения атомных масс.
- •2. Основы теории строения атома
- •2.1. Предпосылки возникновения квантово-механической теории
- •2.2. Постулаты квантово-механической теории
- •2.3. Волновая функция. Уравнение Шредингера
- •2.4. Атом водорода. Одноэлектронные атомарные ионы
- •2.5. Многоэлектронные атомы
- •3. Периодический закон д.И. Менделеева в свете квантово-механических представлений
- •3.1. Современная формулировка Периодического закона
- •3.2. Структура периодической системы элементов: периоды, группы, подгруппы элементов
- •3.3. Закономерности изменения свойств элементов в периодах и подгруппах периодической системы
- •3.3.1. Эффективный заряд ядра.
- •3.3.2. Атомные радиусы.
- •3.3.3. Энергия ионизации.
- •3.3.4. Сродство к электрону.
- •3.3.5. Электроотрицательность.
- •3.3.6. Степени окисления элементов.
- •3.4. Элементы-аналоги. Виды аналогии в периодической системе элементов
- •3.4.1. Групповая аналогия.
- •3.4.2. Типовая аналогия.
- •3.4.3. Электронная аналогия.
- •VI группа I группа
- •3.4.4. Слоевая аналогия.
- •3.4.5. Контракционная аналогия (шринк-аналогия).
- •3.4.6. Горизонтальная аналогия.
- •3.4.7. Диагональная аналогия.
- •4. Атомное ядро. Радиоактивность
- •4.1. Элементарные частицы
- •4.2. Теория строения атомных ядер
- •4.3. Ядерные реакции
- •4.4.Радиоактивность. Типы радиоактивного распада
- •4.5. Законы радиоактивного распада
- •4.6. Естественная радиоактивность. Радиоактивные ряды. Радиоактивное равновесие
- •4.7. Искусственная радиоактивность. Изотопная индикация
- •4.8. Новые химические элементы
- •4.9. Эволюция элементов во Вселенной
- •5. Химическая связь и строение молекул
- •5.1. Химическая связь. Параметры химической связи. Валентность
- •5.2. Метод валентных связей
- •5.2.1. Основные принципы метода валентных связей.
- •5.2.2. Насыщаемость ковалентной связи. Механизм образования двухцентровой связи.
- •5.2.3. Направленность ковалентной связи. Гибридизация электронных орбиталей.
- •5.2.4. Кратность ковалентной связи.
- •5.2.5. Делокализованные многоцентровые связи. Теория резонанса.
- •5.2.6. Предсказание геометрической формы молекул.
- •5.2.7. Неполярные и полярные связи. Типы ковалентных молекул.
- •5.2.8. Недостатки метода валентных связей.
- •5.3. Метод молекулярных орбиталей
- •5.3.1. Основные принципы метода молекулярных орбиталей.
- •5.3.2. Применение метода молекулярных орбиталей.
- •5.3.2.1. Двухатомные молекулы.
- •5.3.2.2. Молекулы, состоящие из трех и более атомов.
- •5.4. Ионная связь
- •5.4.1. Особенности ионной связи. Свойства ионных соединений.
- •5.4.2. Типы кристаллических решеток ионных соединений. Ионные радиусы.
- •5.3.3. Энергия ионной кристаллической решетки.
- •5.4.4. Поляризация ионов.
- •5.5. Металлическая связь. Зонная теория кристаллов
- •5.6. Межмолекулярное взаимодействие
- •5.7. Водородная связь
- •6. Координационные соединения
- •6.1. Координационные соединения. Основные положения координационной теории
- •6.2. Классификация координационных соединений
- •6.3. Номенклатура координационных соединений
- •6.4. Изомерия координационных соединений
- •6.5. Химическая связь в координационных соединениях
- •6.5.1. Метод валентных связей
- •6.2. Теория кристаллического поля
- •6.3. Метод молекулярных орбиталей
- •6.7. Реакции внешнесферного и внутрисферного замещения. Принцип транс-влияния
- •7. Агрегатные состояния вещества
- •7.1. Типы агрегатного состояния
- •7.2. Твердое состояние вещества
- •7.2.1. Кристаллическое состояние.
- •7.2.2. Аморфное состояние.
- •7.3. Жидкое состояние вещества
- •7.4. Газообразное состояние вещества
- •7.5. Плазма
- •8. Теория химических процессов
- •8.1. Предмет и основные понятия теории химических процессов
- •8.2. Основы химической термодинамики
- •8.2.1. Термодинамические функции. Внутренняя энергия и первый закон термодинамики. Энтальпия.
- •8.2.2. Термохимия. Закон Гесса.
- •8.2.3. Энтропия. Второй и третий законы термодинамики.
- •8.2.4. Свободная энергия Гиббса. Направление химического процесса.
- •8. Химическая кинетика
- •8.3.1. Предмет химической кинетики. Скорость химической реакции. Энергия активации.
- •8.3.2. Факторы, влияющие на скорость химической реакции. Катализаторы и катализ.
- •8.3.3. Кинетическая классификация реакций.Молекулярность и порядок реакции. Механизмы реакций.
- •8.3.4. Некоторые типы многостадийных реакций.
- •8.4. Химическое равновесие
- •8.4.1. Обратимые и необратимые реакции. Состояние химического равновесия.
- •8.4.2. Смещение химического равновесия.
- •9. Растворы
- •9.1. Общая характеристика растворов
- •9.2. Разбавленные растворы неэлектролитов. Коллигативные свойства растворов
- •9.3. Растворы электролитов
- •9.3.1. Электролиты. Теория электролитической диссоциации (ионизации).
- •9.3.2. Теория растворов слабых электролитов.
- •9.3.2.1. Степень ионизации слабых электролитов и методы ее определения.
- •9.3.2.2. Равновесия в растворах слабых электролитов.
- •6,5·10-4 Моль/л
- •9.3.3. Теория сильных электролитов.
- •9.3.4. Обменные реакции в растворах электролитов.
- •9.3.4.1. Типы обменных реакций в растворах электролитов.
- •9.3.4.2. Гидролиз солей.
- •9.3.5. Теории кислот и оснований.
- •9.3.6. Окислительно-восстановительные реакции в растворах.
- •9.3.6.1.Общая характеристика окислительно-восстановительных реакций.
- •9.3.6.2. Составление уравнений окислительно-восстановительных реакций.
- •9.3.6.3. Электродные потенциалы. Направление окислительно-восстановительных реакций. Гальванический элемент.
- •9.3.6.4. Электролиз.
- •9.4. Коллоидные растворы
- •9.4.1. Общая характеристика коллоидных растворов и методы их получения.
- •9.4.2. Строение коллоидных частиц.
- •9.5. Твердые растворы
- •Список рекомендуемой литературы
6.2. Теория кристаллического поля
Основы теории кристаллического поля были заложены в 1929 году Бете; в дальнейшем она была развита в работах Ван-Флека, Хартмана и Оргела. Эта теория применима как для кристаллов, так и для комплексов.
Теория кристаллического поля (ТКП) предполагает, что основным фактором, стабилизирующим координационное соединение, является электростатическое взаимодействие центрального атома с лигандами, являющимися либо отрицательно заряженными ионами, либо полярными молекулами. При описании этого взаимодействия центральный атом рассматривается с детальным учетом его электронной структуры. Лиганды же фигурируют как бесструктурные источники внешнего электростатического поля определенной симметрии. Электростатическое воздействие лигандов изменяет электронные орбитали центрального атома, в частности, их энергию, что в свою очередь влияет на свойства координационного соединения.
Рассмотрим взаимодействие d-орбиталей центрального атома с электростатическим полем, создаваемым лигандами в октаэдрическом комплексе. Поместим центральный атом в центре координат, а лиганды - на координатных осях. На рис. 35 показана ориентация d-орбиталей центрального атома относительно лигандов. Совершенно очевидно, что сближение d-орбиталей с лигандами будет сопровождаться повышением энергии этих орбиталей в результате увеличения отталкивания между электронами на этой d-орбитале ЦА и несущими отрицательный заряд лигандами.
dz2 dx2-y2
dxy dxz dyz
Рис. 35. Ориентация d-орбиталей в октаэдрическом поле лигандов
Пусть пятикратно вырожденный d-уровень ЦА характеризуется некоторой энергией (рис. З5). Если внести этот ЦА в поле любой симметрии, энергия d-орбиталей повысится. В случае сферического поля, действующего во всех направлениях одинаково, повышение энергии для всех d-орбиталей тоже будет одинаково, в результате чего пятикратное вырождение уровня сохранится. Если же сосредоточить отрицательные заряды в вершинах октаэдра, картина изменится. Как следует из рис. 36, в октаэдрическом поле пятикратно вырожденной d-уровень расщепится на два уровня. Энергия орбиталей, ориентированных по координатным осям и сильно сближающихся с лигандами (dz2, dx2-y2) повысится. Эти орбитали образуют двукратно вырожденный уровень eg2. Орбитали dxy, dxz и dyz будут ориентированы по биссектрисам координатных углов; они образуют трехкратно вырожденный уровень t2g, энергия которого ниже энергии уровня eg. Расщепление d-уровня не сказывается на общей энергии пяти d-орбиталей: повышение энергии системы за счет двух eg-орбиталей равно понижению энергии тремя орбиталями уровня t2g.
Рис. 36. Расщепление d-подуровня в октаэдрическом поле.
Разность энергии уровней eg и t2g называется параметром расщепления (окт).
Для других типов кристаллического поля характер расщепления d-уровня может быть иным. В качестве примера рассмотрим расщепление орбиталей по энергии в тетраэдрическом поле. Впишем в куб тетраэдр, ориентируя координатные оси к середине граней этого куба (рис. 37) и расположим в принятой системе координат d-орбитали.
По характеру взаимодействия с полем лиганда они разделятся на те же две группы, но орбитали уровня eg будут ориентированы между лигандами, и их энергия понизится, а орбитали уровня t2g - в направлении лигандов (энергия этих орбиталей повысится). Энергетическая диаграмма расщепления d-уровня в тетраэдрическом поле приведена на рис. 38.
Параметр расщепления является важной характеристикой комплекса. Его значения для различных комплексов колеблются в пределах от 100 до 400 кДж/моль и зависят от следующих факторов:
1. Симметрия кристаллического поля. От нее зависит и число уровней, на которое расщепляется d-уровень, и значение параметра расщепления. Так, например, параметр расщепления тетраэдрического комплекса
тетр = 4/9 окт
Если в тетраэдрическом и октаэдрическом полях d-уровень подвергается двукратному расщеплению, то в квадратном поле он расщепляется на четыре уровня.
dz2 dx2-y2
dxz
Рис. 37. Ориентация d-орбиталей в тетраэдрическом поле лигандов
Рис. 38. Расщепление d-подуровня в тетраэдрическом поле
2. Природа центрального атома. Различным центральным атомам при одинаковой симметрии кристаллического поля и одинаковых лигандах отвечают разные значения параметра расщепления. Так, для октаэдрического поля значения окт возрастают в ряду:
Mn(II)Co(II)≈Ni(II)V(II)Fe(III)Cr(III)Mn(IV)Mo(III)Rh(III)Ir(III)Re(IV)Pt(IV).
3. Природа лиганда. Значение параметра расщепления возрастают в ряду:
I-
Br-
Cl-
SCN-
F-
OH-
H2O
NCS-
CN-
NH3
en
NO
CN-
(для амбидентатных лигандов подчеркнут атом, связанный с ЦА). Этот ряд называется спектрохимическим рядом лигандов.
Теория кристаллического поля может быть использована для решения ряда практических задач. Так, эта теория позволяет прогнозировать, будет ли данный комплекс высокоспиновым или низкоспиновым, и количественно оценить магнитные свойства комплексов. Эти вопросы ТКП решает путем сопоставления двух энергетических характеристик: параметра расщепления и энергии образования неподеленной электронной пары на орбитале ЦА. Параметр расщепления комплекса () может быть определен экспериментально спектроскопическими методами; энергия спаривания электронов (р) может быть рассчитана с использованием математического аппарата квантовой механики. Рассмотрим этот вопрос на примере фторидного и аммиачного комплексов кобальта(III), отвечающих формулам [CoF6]3- и [Co(NH3)6]3+. Оба эти комплекса являются октаэдрическими; параметр расщепления для этих комплексов соответственно их положению в спектрохимическом ряду составляет 156 кДж/моль для фторидного и 265 кДж/моль для аммиачного комплекса. Энергия образования электронной пары для иона Со3+ составляет 251 кДж/моль. Для каждого из комплексов возможны два типа распределения шести электронов Со 3+ по eg и t2g-орбиталям (рис. 39). Для комплекса [CoF6]3-
F- < p,
в силу чего переход электрона с t2g-уровня на eg-уровень энергетически выгоднее образования электронной пары на t2g-уровне (рис. 39, а). Комплекс [CoF6]3- будет высокоспиновым (случай слабого поля). Для комплекса [Co(NH3)6]3+
>р,
в результате чего энергетически выгодным становится спаривание электронов на d-орбиталях ЦА (рис. 39, б) и образование низкоспинового комплекса (случай сильного поля).
Используя теорию кристаллического поля, можно оценить относительную устойчивость комплексов с различными центральными атомами. Так, среди комплексов V3+, Cr3+ и Mn3+ с одинаковыми лигандами наиболее устойчивыми будут комплексы хрома(III). Действительно, в комплексах Сr3+ (конфигурация d3) три неспаренных электрона занимают три орбитали t2g-уровня. В случае V2+ (конфигурация d2) на орбиталях t2g находится только два неспаренных электрона, а в комплексах Мn3+ (конфигурация d4) четвертый электрон либо попадает на еg-уровень, либо образует пару на t2g-уровне. И то и другое сопровождается повышением энергии системы.
Используя теорию кристаллического поля, можно оценить относительную устойчивость комплексов с различными центральными атомами. Так, среди комплексов V3+, Cr3+ и Mn3+ с одинаковыми лигандами наиболее устойчивыми будут комплексы хрома(III). Действительно, в комплексах Сr3+ (конфигурация d3) три неспаренных электрона занимают три орбитали t2g-уровня. В случае V2+ (конфигурация d2) на орбиталях t2g находится только два неспаренных электрона, а в комплексах Мn3+ (конфигурация d4) четвертый электрон либо попадает на еg-уровень, либо образует пару на t2g-уровне. И то и другое сопровождается повышением энергии системы.
Высокоспиновый Низкоспиновый
комплекс [CoF6]3- комплекс[Co(NH3)6]3+
Рис. 39. Распределение электронов в высокоспиновых и низкоспиновых
октаэдрических комплексах кобальта(III)
Теория кристаллического поля позволяет ответить на вопрос, почему координационные соединения могут быть как бесцветными, так и окрашенными. Окраска химического соединения связана со способностью последнего поглощать кванты лучистой энергии определенных частот, соответствующие какому-либо из разрешенных электронных переходов в частице. Чаcтица при этом приобретает цвет, дополнительный к поглощенному. Энергии, соответствующие параметру расщепления, отвечают энергии квантов видимой части спектра, откуда можно ожидать, что комплексы будут окрашены, если в них возможны электронные переходы типа t2gеg. Так, например, как титан(III), так и титан(IV) образует октаэдрические аквакомплексы с координационным числом 6. Комплекс [Ti(H2O)6]3+ окрашен в пурпурно-фиолетовый цвет, комплекс [Ti(H2O)6]4+ - бесцветен. Это явление связано с тем, что Тi4+ имеет конфигурацию d0, и переход t2gеg для него невозможен. По той же причине бесцветны комплексы центральных атомов с конфигурацией d10 (Zn2+, Cd2+ и др.).
Ион Тi3+ имеет конфигурацию d1 и для него возможен переход t2gеg с энергией, равной параметру расщепления (238 кДж/моль). Такой переход отвечает поглощению квантов желто-зеленой части спектра, что и обусловливает фиолетовую окраску комплекса.
Теории кристаллического поля присущи и определенные недостатки. Главным из них является то, что эта теория сводит взаимодействие в комплексе к электростатическому и, рассматривая лиганды как неизменяющиеся частицы, пренебрегает возможностью образования ковалентных связей между центральным атомом и лигандами. Это существенно ограничивает области применения теории кристаллического поля.