- •2.Электронные устройства
- •Устройство и применение
- •3.Синхронная машина
- •Устройство
- •Принцип действия Двигательный принцип
- •Генераторный режим
- •Разновидности синхронных машин
- •5. Электропривод
- •6. Полупроводники́
- •Механизм электрической проводимости полупроводников
- •Энергетические зоны
- •Подвижность
- •Виды полупроводников По характеру проводимости Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •По виду проводимости Электронные полупроводники (n-типа)
- •Дырочные полупроводники (р-типа)
- •7. Трансформа́тор
- •9. Импульсный источник питания
- •10. Машина постоянного тока
- •Принцип действия
- •Электродвигатель
- •Генератор
- •11.Стабилитрон
- •Структура усилителя
- •Классификация Аналоговые усилители и цифровые усилители
- •Виды усилителей по элементной базе
- •Виды усилителей по типу нагрузки
- •13. Реле управления
- •Устройство и принцип действия
- •Генераторы гармонических колебаний
- •Устройство и применение
- •19.Оптоэлектронные устройства
- •21. Однофазные выпрямители Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост)
- •Полумост
- •Полный мост (Гретца)
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •23. Основные понятия об интегральных схемах (аналоговые и цифровые)
- •24. Трехфазные трансформаторы
- •25. Усилители постоянного тока.
- •26. Цифровые логические элементы и логические операции.
- •27. Триггеры
- •28. Основные понятия об операционных усилителях и их применении.
- •29. Стабилизаторы напряжения.
- •30. Сглаживающие фильтры.
- •31. Расчет электропривода.
- •32. Электропроводимость полупроводников.
- •33. Электронно-дырочный переход и его свойства.
- •34. Тиристор
- •Вольтамперная характеристика тиристора
- •35. Структурная схема и основные параметры электронного выпрямителя.
- •36. Трансформаторы в различных режимах.
- •Режимы работы трансформатора
- •37. Мультивибраторы.
- •Ждущие мультивибраторы Моностабильный (одностабильный) мультивибратор
- •Бистабильный мультивибратор
- •38. Транзисторные и диодные ключи.
- •Диодные ключи
- •39. Основные элементы и параметры усилительного каскада.
- •40. Режимы работы усилительных каскадов.
- •41. Многокаскадные усилители.
- •42. Выходные каскады. Обратные связи в усилителях.
- •Обратные связи в усилителях
- •43. Формирователи импульсных сигналов.
- •44. Классификация полупроводниковых приборов.
- •45)Полупроводниковые резисторы и диоды
- •Типы диодов по назначению
- •4 6) Биполярные транзисторы. Коэффициенты усиления в транзисторах
- •47) Фотодиоды и светодиоды
- •48) Схемы включения биполярных транзисторов
- •49) Тиристоры
- •50) Однофазные выпрямители
- •Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост)
- •51) Трехфазные выпрямили
- •Три четвертьмоста параллельно (схема Миткевича)
- •Три разделённых полумоста параллельно (три «с удвоением напряжения» параллельно) Три полумоста параллельно, объединённые кольцом/треугольником («треугольник-Ларионов»)
- •Три полумоста параллельно, объединённые звездой («звезда-Ларионов»)
- •Три двухфазных двухчетвертьмостовых параллельных выпрямителей Миткевича параллельно (6 диодов)
- •Три двухфазных двухчетвертьмостовых параллельных выпрямителей Миткевича последовательно (6 диодов)
- •Т ри полных моста параллельно (12 диодов)
- •Три полных моста последовательно (12 диодов)
- •52) Управляемые выпрямители
- •53) Электронные усилители
- •54) Классификация электронных усилителей
- •55) Основные элементы и параметры усилительного каскада
- •5 6) Режимы работы усилительных каскадов
- •57) Усилительный каскад с оэ, ок, об
- •58) Многокаскадные усилители
- •59) Выходные каскады (однотактные, двухтактные, с трансформаторной и бестрансформаторной связью)
- •60) Обратные связи в усилителях
- •61) Усилители постоянного тока
- •62) Компаратор сигналов
- •63) Масштабирующий и интегрирующий усилитель
- •64) Электронные генераторы с lc-контуром и rc-контуром
- •65) Электронные ключи
- •Неуправляемые
- •Управляемые
- •66) Основные сведения об импульсных устройствах и импульсах
- •67) Ограничители импульсов
- •68) Генераторы линейно-изменяющего напряжения
- •Учитывая, что
- •86. Двигатели для электропривода
31. Расчет электропривода.
Электрический привод (сокращённо — электропривод) — это электромеханическая система для приведения в движение исполнительных механизмов рабочих машин и управления этим движением в целях осуществления технологического процесса.
Расчет электропривода позволяет рассчитать и проанализировать энергетические показатели электропривода переменного тока:
- активную энергию, потребляемую из сети на каждом участке тахограммы и за весь цикл работы;
- реактивную мощность, потребляемую из сети;
- энергию потерь в приводе;
- полезную мощность;
- коэффициент мощности;
- коэффициент полезного действия привода.
32. Электропроводимость полупроводников.
Свободными носителями заряда в полупроводниках как правило, являются электроны, возникающие в результате ионизации атомов самого полупроводника (собственная проводимость) или атома примеси (примесная проводимость). В некоторых полупроводниках носителями заряда могут быть ионы.
При абсолютном нуле зона проводимости пустая, как у диэлектриков, а уровни валентной зоны полностью заполнены. Под действием избыточной энергии ΔWo , появляющейся за счет температуры, облучения, сильных электрических полей и т.д., некоторая часть электронов валентной зоны переходит в зону проводимости. Энергия ΔWo в случае беспримесного полупроводника, равна ширине запрещенной зоны и называется энергией активации. В валентной зоне остается свободное энергетическое состояние, называемое дыркой, имеющей единичный положительный заряд.
При отсутствии электрического поля дырка, как и электрон, будет совершать хаотические колебания, при этом происходят и обратные переходы электронов из зоны проводимости на свободные уровни валентной зоны (рекомбинация).
Электропроводность, возникающая под действием электрического поля за счет движения электронов и в противоположном направлении такого же количества дырок, называется собственной. В удельную проводимость полупроводника дают вклад носители двух типов - электроны и дырки.
Примесная проводимость. Поставка электронов в зону проводимости и дырок в валентную зону может быть за счет примесей, которые могут ионизоваться уже при низкой температуре. Энергия их активации значительно меньше энергии, необходимой для ионизации основных атомов вещества. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, занимают уровни в запретной зоне вблизи дна зоны проводимости. Они называются донорными. Примеси, захватывающие электроны из зоны проводимости, располагаются на уровнях в запретной зоне вблизи потолка валентной зоны и называются акцепторными.
33. Электронно-дырочный переход и его свойства.
В любом полупроводниковом приборе имеется один или несколько электронно-дырочных переходов. Электронно-дырочный переход (или n–p-переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.
В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация значительно превышает концентрацию дырок (nn >> np). В полупроводнике p-типа основными носитялеми являются дырки (np >> nn). При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу (рис. 1.14.1). Пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости (так называемый запирающий слой) обычно достигает толщины порядка десятков и сотен межатомных расстояний. Объемные заряды этого слоя создают между p- и n-областями запирающее напряжение Uз, приблизительно равное 0,35 В для германиевых n–p-переходов и 0,6 В для кремниевых. n–p-переход обладает удивительным свойством односторонней проводимости.
Если полупроводник с n–p-переходом подключен к источнику тока так, что положительный полюс источника соединен с n-областью, а отрицательный – с p-областью, то напряженность поля в запирающем слое возрастает. Дырки в p-области и электроны в n-области будут смещаться от n–p-перехода, увеличивая тем самым концентрации неосновных носителей в запирающем слое. Ток через n–p-переход практически не идет. Напряжение, поданное на n–p-переход в этом случае называют обратным. Весьма незначительный обратный ток обусловлен только собственной проводимостью полупроводниковых материалов, т. е. наличием небольшой концентрации свободных электронов в p-области и дырок в n-области.
Если n–p-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединен с p-областью, а отрицательный с n-областью, то напряженность электрического поля в запирающем слое будет уменьшаться, что облегчает переход основных носителей через контактный слой. Дырки из p-области и электроны из n-области, двигаясь навстречу друг другу, будут пересекать n–p-переход, создавая ток в прямом направлении. Сила тока через n–p-переход в этом случае будет возрастать при увеличении напряжения источника.
Способность n–p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами. Полупроводниковые диоды изготавливают из кристаллов кремния или германия. При их изготовлении в кристалл c каким-либо типом проводимости вплавляют примесь, обеспечивающую другой тип проводимости.
|
Транзистор структуры p–n–p |
|
Транзистор структуры n–p–n |