Материалы высокого удельного сопр-ия

Материалы высокого электрического сопротивления используются для поглощения электрической энергии и преобразования ее в тепло. Очевидно, что к таким материалам будут предъявляться следующие требования:

1) Высокое удельное сопротивление 2) Высокая механическая прочность 3) Технологичность - то есть способность к сварке, пайке, высокая пластичность. 4) Высокая коррозионная стойкость.

5) Низкая стоимость. 6) Низкое значение термо- Э.Д.С. в паре с медью. 7)Малый температурный коэффициент сопротивления

Очевидно, что для того, чтобы материал имел высокое уделное сопрот-ие, он должен представлять собой твердый раствор одного металла в другом. Причем хотя бы один из компонентов сплава должен быть переходным металлом. Из теории сплавов известно, что неогранич-ое раств-ие одного металла в другом возможно при близости размеров ионов и одинаковом типе кристал-их реш-ток.

Константан. Твердый раствор 40% никеля в меди, точнее 40%Ni, 1,5%Mn, остальное медь. Практически при изменении темп-ры от –100С до +100С. его удел-ое сопрот-ие остается постоянным, то есть темпер-ый коэффициент сопротивления (_) равен 0. У сплава высокое удельное сопрот-ие (0,5 мкОмм), он пластичен и прочен. При нагреве на его поверхности обр-ся окисная пленка, обладающая изоляциоными св-ми. Оксидная изоляция позволяет плотно навивать константановую проволоку если напр-ие м/у витками не превышает 1 В. Применение константана для изготовления прецизионных резисторов ограничено высоким значением термо- Э.Д.С. в паре с медью (40 мкВ/С).

Поверхн-ые дефекты кристал-ой реш-ки

К поверх-ым дефектам реш-ки относятся дефекты упаковки и границы зерен. Для того чтобы понять появление дефектов упаковки рассмотрим к способу заполнения крист-ой реш-и в плотноупак. матер-ах.

Предп-им, что атомы предст-ют собой шары; тогда плотноуп-ую пл-ть можно создать, распол-ив атомы.

Обозначим первый слой атомов буквой А. Для создания след-ей плотноуп-ой плоск-и необходимо поместить атомы во впадины м/у атомами первого слоя. Как видно из рис, имеются два вида впадин: впадины типа В и типа С. Очевидно, что одновременно во впадины обоих типов атомы расположить невозможно.Предп-им, что второй слой атомов расположен во впадинах типа В, обозначим этот слой атомов В. Третий слой атомов можно расположить либо во впадины, совпад-ие с центрами атомов первого слоя, либо во впадины второго типа не совпадающие с атомами первого слоя. В первом случае получ-ся черед-ие слоев:

АВАВАВАВАВАВАВАВАВ...,

Во втором случае черед-ие слоев типа:

АВСАВСАВСАВСАВСАВС...,

Черед-ие слоев типа АВАВАВ типично для гексагональной плотноупак-ой реш-ки, черед-ие слоев типа АВСАВСАВС – для гранецентрированной кубической реш-ки. При нарушении черед-ия слоев внутри одной реш-ки появляется прослойка другой реш-ки:

АВСАВСАВСАВАВСАВСАВС.

При этом кристал-ая реш-ка искажается, и ее энергия возрастает.

Появл-ие дефектов упаковки связано с движением частичных дисл-ий. При появл-ии дисл-ий кристал-ая реш-ка искажается, и энергия системы  на величину, пропорциональную квадрату вектора Бюргерса Е | b |². Поэтому дисл-ии могут расщепляться на две частичные дисл-ии, bb/2 +b/2снижение энергии упругих искажений реш-ки вокруг дисл-ий | b/2 |² + |b/2|² |b|². При движении обычной полной дислокации атомы последовательно ста-новятся из одного равновесного положения в другое, а при движении частич-ной дислокации атомы переходят в новые полож-ия, нетипичные для данной крист-ой реш-и.

в матер-ле появл-ся дефект упа-ковки.

Другим видом поверх-ых дефектов явл-ся границы зерен, представл-ие собой узкую переходную область м/у двумя кристалами неправильной формы. Ширина границ зерен составляет 1,5-2 меж-атомных расстояния. Поскольку на границах зерен атомы смещены из равно-весного положения, то энергия границ зерен повышена. Энергия границ зерен существенно зависит от угла разориентации кристаллических решеток сосед-них зерен. При малых углах разориентации (до 5*) энергия границ зерен практически пропорциональна углу разориентировки. Такие границы называют малоугловыми. Строение малоугловых границ можно представить как скопление решеточных дислокаций.