5Полиризация д. В отсутствии Эл.Поля
У некоторых несимметричных полярных молекул (CO, HCl, NH) центры зарядов сдвинуты друг относительно друга, так что такая молекула имеет собственный постоянный момент. Так как векторы дипольных моментов в отсутствии электрического поля ориентированы хаотически, суммарный дипольный момент диэлектрика равен нулю. Внешнее электрическое поле стремится ориентировать дипольные моменты молекул параллельно вектору Е(тепловое движение этому противодействует), так что вещество в целом приобретает отличный от нуля дипольный момент. Такая поляризуемость называется ориентационной
6Д. Прочность ,температура
Прочность диэлектрика зависит от ряда условий: рода напряжения, скорости изменения его, продолжительности действия напряжения, формы электрического поля ( формы электродов), толщины диэлектрика, его температуры, влажности - а у газов и от давления
1,1Характеристика пп в квантовой теории
Зонная теория объясняет полупроводниковые свойства твердых тел на основе одноэлектронного приближения и распределения электронных энергетических уровней в виде разрешенных и запрещенных зон (см. Твердое тело). Энергетические уровни электронов, участвующих в ковалентной связи, образуют верхнюю из заполненных разрешенных зон (валентную зону). Следующая по энергии разрешенная зона, уровни которой не заполнены электронами, - зона проводимости. Энергетический интервал между "дном" Ес (минимумом энергии) зоны проводимости и "потолком" Еу(максимумом) валентной зоны наз. шириной запрещенной зоны DE (см. рис.). Для разных полупроводников ширина запрещенной зоны меняется в широких пределах. Так, при T: 0 К DE = 0,165 эВ в PbSe и 5,6 эВ в алмазе.
Валентная зона (кружки с плюсом - дырки) и зона проводимости (кружки с минусом -электроны проводимости): Eс - дно зоны проводимости, EV-потолок валентной зоны, DE - ширина запрещенной зоны, D и A-донорные и акцепторные уровни соответственно.
2Электропроводность чистых металлов и примесных
Электрический ток в металлах согласно классической электронной теории проводимости это упорядоченное движение электронов под действием сторонних сил. Согласно этой теории металл состоит из положительных ионов находящихся в узлах кристаллической решётки. А в свободном пространстве между ними движутся электроны подобно одноатомному идеальному газу.
3Материалы для пп
Значительную роль в развитии полупроводниковой техники сыграл селен: селеновые выпрямители долгое время оставались основными полупроводниковыми приборами, получившими массовое применение. В начале 70-х гг. 20 в. наиболеераспространённые Полупроводниковые материалы — кремний и германий. Обычно их изготовляют в виде массивных монокристаллов, легированных различными примесями. Легированные монокристаллы Si с удельным сопротивлением 10-3—104 ом×смполучают преимущественно методом вытягивания из расплава (по Чохральскому), а легированные монокристаллы Ge с удельным сопротивлением 0,1—45 ом×см получают, кроме того, зонной плавкой. Как правило, примесные атомы V группы периодической системы (Р, As и Sb) сообщают кремнию и германию электронную проводимость, а примесные атомы III группы (В, Al, Ga, In) — дырочную. Si и Ge обычно используют для изготовления полупроводниковых диодов, транзисторов, интегральных микросхем и т.д.