- •3.Сигналы финитные во времени и сигналы с финитным спектром, теорема Котельникова, условие представления сигнала множеством отсчетов. Число степеней свободы сигнала, предел Найквиста.
- •4.Полупроводниковые приборы, электропроводность чистых полупроводников: электронная дырочная, влияние примесей на электропроводность, формула полупроводника. Получение п-н-перехода.
- •5.Равновесный переход, заряженный слой, плотность заряда в заряженном слое, контактная резкость потенциалов, толщина перехода. Токи через переход, диффузионный, дрейфовый.
- •6.Работа перехода под действием внешнего напряжения, формула Шокли для вах.
- •11.Полевые транзисторы с изолированным затвором, структура н-канального моп транзистора, принцип работы, вах, п-канальные моп транзисторы, моп транзисторы . Обозначение моп транзисторов.
- •12.Биполярные транзисторы, структура кристалла, принцип работы, коэффициент передачи тока, входное дифференциальное сопротивление.
- •13.Мощные полевые моп транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором. Контакт металл-полупроводник, барьер Шоттки, дбш, птш.
- •16.Понятие рабочей точки транзистора в усилительном каскаде, режимы усиления и классы работы транзистора в усилительном каскаде (режим а,в,с) характерные осциллограммы сигналов в каждом из режимов.
- •19.Рабочие характеристики усилительного каскада выражение рабочих характеристик (коэффициентов усиления, входной, выходной проводимостей) через дифференциальные проводимости транзистора.
- •21.Классификация характеристики каскадов по признаку общего электрода транзистора. Определение общего электрода, схема каскадов с различными оэ.
- •22.Рабочие характеристики каскадов с различными оэ. Метод вычислений рабочих характеристик, определение диф. Проводимостей транзистора при разных оэ с помощью матрицы с неопределенным оэ.
- •23. Вычисление рабочих характеристик усилительного каскада при разных оэ.
- •24.Эмиттерные повторители, повторители сигналов положительной и отрицательной полярности, двухполярный повторитель.
- •25.Нелинейные искажения «ступенька», смещение рабочих точек транзисторов в двухполярном повторителе.
- •26.Составные транзисторы в эмиттерных повторителях, схема Дарлингтона, разносоставные транзисторы.
- •27.Усилители мощности, построение ум в виде каскадов усиления напряжения и тока. Схема ум на основе двухполярного эмиттерного повторителя на составных транзисторах.
- •29.Формула для коэффициента усиления, учитывающая частотную зависимость дифференциальных проводимостей транзистора (вывод формулы, толкование результата).
- •30.Дифференциальные усилители, схема, выражения для токов выходных электронов, подавление синфазной составляющей токов.
- •31. Применение ду: парафазный, каскадный усилители. Операционный усилитель, назначение, условное обазначение, зависимость напряжения выходного сигнала от входных напряжений. Реальные параметры оу.
- •32.Построение усилителей на основе оу, инвертирующий и неинвертирующий усилители, сумматор сигнальных напряжений.
- •33.Диффренцирование и интегрирование сигнальных напряжений, дифференциаторы и интеграторы на основе оу.
- •34. Обратная связь в усилителях, схема введения ос, связь сигнальных величин в системах ос, локально линейное приближение, формула для коэффициента усиления усилителя с ос.
- •35.Классификация ос по признакам ответвления и суммирования сигнала ос. Примеры усилителей с ос различных типов.
- •36.Использование оос для реализации и стабилизации режимов транзисторов по постоянному току .
- •37.Глубокая оос, подавление зависимости характеристик усиления от параметров первичного усилителя. Устойчивость усилителей с оос, понятие устойчивости критерий устойчивости по диаграмме Боде.
- •38.Генерирование электрических колебаний, общая структура генератора на основе усилителя с пос, варианты реализации при различной глубине пос, условия генерирования, баланс фаз и избыток амплитуд.
- •39.Резистивно-емкостные генераторы на основе оу, принцип построения, условия генерирования, генератор с дифференцирующим мостом.
- •40.Генератор с интегрирующим мостом. Форма колебаний и формула для периода. Генератор синусоидальных колебаний с мостом Вина.
- •42. Реализация баланса фаз с помощью катушки ос, петлевой коэффициент ос. Развитие колебаний в автогенераторе после включения питания, факторы ограничения и стабилизации амплитуды колебаний.
- •43. Автотрансформаторное подключение колебательного контура к транзистору, условие реализации пос, трехточечные автогенераторы.
23. Вычисление рабочих характеристик усилительного каскада при разных оэ.
Напомним, что рабочими характеристиками линейного усилителя являются входная и выходная проводимости (gвх gвых), а также коэффициенты усиления напряжения и тока (ku, ki). Для случая, когда общим электродом является эмиттер (исток) рабочие характеристики вычислены и определяются формулами (6.14, 6.15, 6.17, 6.18). Эти формулы получены на основе представления транзистора в виде эквивалентного четырехполюсника и имеют общий характер. Переход на другой общий электрод транзистора вид формул не изменит. Изменяются только величины дифференциальных проводимостей (g11, g13, g31, g33).
Для вычисления дифференциальных проводимостей транзистора с любым общим электродом достаточно иметь набор дифференциальных проводимостей для какого-нибудь общего электрода. Обычно в качестве исходного принимается набор дифференциальных проводимостей для общего эмиттера (истока).
Удобным средством пересчета является т.н. матрица дифференциальных проводимостей с неопределенным общим электродом (иногда ее называют неопределенная матрица). На рис.7.2 показана схема измерений дифференциальных проводимостей при неопределенном общем электроде. В цепи каждого из электродов транзистора имеется регулируемый источник напряжения и средства измерения тока и напряжения. Давая приращение одному из напряжений, например U1, измеряем приращения токов ΔI1, ΔI2, ΔI3 и вычисляем отношения этих приращений к вызвавшему их приращению ΔU1. Так последовательно определяются 9 дифференциальных проводимостей:
g11=ΔI1/ΔU1 g12=ΔI1/ΔU2 g13=ΔI1/ΔU3
g21=ΔI2/ΔU1 g22=ΔI2/ΔU2 g23=ΔI2/ΔU3 (7/1)
g31=ΔI3/ΔU1 g32=ΔI3/ΔU2 g33=ΔI3/ΔU3,
которые записываются в матрицу.
G= (7.2)
Если все девять дифференциальных проводимостей данной «неопределенной» матрицы известны, то получить из нее четыре дифференциальных проводимости для матрицы с определенным общим электродом очень просто. Действительно. Если какой-то электрод объявляется общим, то схема измерений (рис.7.2) остается неизменной. Просто соответствующему напряжению U1, U2 или U3 не дается приращение и не вычисляются соответствующие этому напряжению проводимости. Это не влияет на величины других дифференциальных проводимостей. На практике это означает простое вычеркивание из «неопределенной» матрицы столбца и строка с номером общего электрода.
Не менее простой переход и в обратном направлении – от матрицы с определенным общим электродом к неопределенной матрице. Неопределенная матрица обладает очень важным свойством: сумма элементов любой строки или любого столбца неопределенной матрицы равна нулю. Для доказательства этого свойства запишем выражения для приращений токов:
(7.3)
Согласно первому правилу Кирхгофа ΔI1+ΔI2+ΔI3=0. Сложив уравнения (7.3) и вынеся за скобки приращения напряжений, увидим, что это возможно при произвольных ΔU1, ΔU2, ΔU3 только если g11+g21+g31=0, g12+g22+g32=0, g13+g23+g33=0.
Далее, если приращения напряжений на всех электродах одинаковы, то межэлектродные разности потенциалов приращений не получают, следовательно, приращения токов будут равны нулю. Положив ΔU1=ΔU2=ΔU3=ΔU, а ΔI1, ΔI2, ΔI3 равными нулю, получим g11+g12+g13=0, g21+g22+g23=0, g31+g32+g33=0.
Данные свойства неопределенной матрицы дифференциальных проводимостей позволяют по известным четырем дифференциальным проводимостям вычислить пять остальных. Пусть нам известны проводимости при общем эмиттере (истоке)
Gоэ= (7.4)
Вычислим коэффициенты матрицы матрицы проводимостей с неопределенным общим электродом
G= (7.5)
Теперь можно использовать эту матрицу для вычисления определенных матриц при любом общем электроде транзистора и последующих вычислений рабочих характеристик усилителей.