- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
Статические параметры диода
Основные параметры диода – это крутизна характеристики (S) и внутреннее сопротивление (Ri).
Свойства диода наиболее удобно оценить с помощью статических параметров.
1 Крутизна характеристики лампы характеризует степень изменения анодного тока Ia при изменении анодного напряжения. Ua на 1 В. Так как анодная характеристика нелинейна, то крутизна (S) для различных точек характеристики различная. Для выбранной точки характеристики крутизна может быть определена как отношение приращения анодного тока Ia к приращению анодного напряжения Ua
S = , мА/В, т. е. S= = = tgα1,
где α – угол наклона характеристики.
2 Внутреннее сопротивление лампы – величина, обратная крутизне ее характеристики.
Ri = =
Величина Ri позволяет рассматривать диод как некоторое сопротивление протекающему току.
При протекании через диод постоянного тока сопротивление лампы постоянному току выражают как отношение напряжения к току в некоторой точке характеристики.
R0 = , Ом
Чем больше крутизна S и меньше внутреннее сопротивление Ri, тем лучше работает лампа в качестве выпрямителя тока.
3 Допустимая мощность рассеяния на аноде – т. е. мощность, которую может рассеять поверхность анода при максимально допустимой рабочей температуре
Pa = Ia · Ua, Вт
Существуют нормы удельной мощности рассеяния (Вт / см2): никель 0,5 – 4,5; никель черный 2,3 – 6,2; медь с водяным охлаждением 25 – 30, для стеклянной колбы (0,25 – 0,5) Вт / см.
4 Междуэлектродная емкость диода.
Электроды диода в виде двух пластин, разделенных вакуумом, образуют конденсатор, Сак ~ несколько пФ на высоких частотах это влияние существенно.
Трехэлектродная лампа (триод)
Ламповый триод содержит три электрода: анод, катод, сетку. Для работы триода требуются три источника питания Uн, Ua, Uс схема включения триода приведена на рисунке 1.5.
Eа
+
+
-
-
Ec
Рисунок 1.5 – Схема включения триода
Принцип работы триода
Сетка триода находится вблизи поверхности катода, поэтому напряжение на ней оказывает непосредственное влияние на поле у его поверхности. Анод расположен на большом расстоянии от катода, поэтому действие его напряжения на пол поверхности катода значительно меньшее, чем действие сетки. При изменении напряжения анода Ua и сетки Uс поле у поверхности катода изменяется и изменяется количество электронов, движущихся к аноду. На сетку может быть положительное (+) или отрицательное (-) напряжения относительно катода.
а – при отрицательном напряжении (− Uс) поле сетки тормозит выходящие с поверхности катода электроны, что приводит к образованию у катода отрицательного пространственного заряда и к уменьшению количества электронов, проходящих через сетку к аноду.
б – положительное напряжение на сетке (+ Uс) вызывает уменьшение пространственного заряда у катода и увеличение количества электронов, поступающих на анод. Кроме того, немного электронов может попасть на сетку и далее по внешней цепи на катод, образуя сеточный ток Iс, т. е. поток электронов при положительном напряжении + Uс будет разделяться на два потока, создающих анодный и сеточный ток.