
- •Носители заряда в полупроводниках. Зонная модель полупроводников. Процессы генерации и рекомбинации подвижных носителей зарядов.
- •Проводимость полупроводников, ее зависимость от материала, температуры и концентрации примесей.
- •Уровень Ферми собственного и примесного полупроводников. Зависимость энергии Ферми от температуры и концентрации примесей
- •Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •Вольтамперная характеристика p-n перехода и ее зависимость от температуры, степени легирования.
- •Различные типы диодов. Особенности характеристик и параметров.
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Структура, назначение основных областей. Принцип действия. Статические стоковые и стокзатворные характеристики.
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Режим обогащения, обеднения и инверсии приповерхностного слоя. Стоковые и стокзатворные характеристики.
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом. Особенности технологии, статические характеристики.
- •§2.9 Полевые транзисторы мдп-структуры
- •Структура биполярного транзистора (бт) и назначение основных областей. Принцип усиления мощности. Режимы работы: активный, насыщения, отсечки, инверсный
- •Принцип действия транзистора
- •§2.3 Транзистор, как усилитель напряжения и мощности
- •§2.6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •§2.5 Схемы включения и режимы работы транзисторов
- •Транзистор как линейный четырехполюсник. Системы параметров транзисторов.
- •Работа транзистора в схеме усилителя. Выходная динамическая характеристика. Выбор рабочего режима.
- •2.7. Температурные и частотные свойства
- •2.8. Биполярные транзисторы в рабочем режиме
- •2.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с оэ
- •Эквивалентные схемы усилителя в режиме малого сигнала. Коэффициент усиления по напряжению и сквозной коэффициент усиления. Входное и выходное сопротивление
- •23.Схема каскада с оэ по переменному току. Эквивалентная схема каскада.
- •Проведя анализ схемы, найдем, что
- •§4.5 Стабилизация режима работы каскадов на биполярных транзисторах
- •28.Обратная связь в усилительных каскадах. Обратная связь по току последовательного типа
- •29.Схема с ос по току последовательного типа.
Различные типы диодов. Особенности характеристик и параметров.
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор, содержащий один или несколько электрических переходов и 2 вывода для подключения к внешней цепи. В зависимости от функционального назначения различают:
Выпрямительные диоды
Лавинные диоды
Выпрямительные столбы
Выпрямительные блоки и сборки
Универсальные и импульсные диоды
Диоды с накоплением заряда
Диодные матрицы и сборки
Стабилитроны
Стабисторы
Ограничители напряжения
Генераторы шума
Варикапы
Варакторы
Туннельные диоды
Обращённые диоды
СВЧ-диоды
Светоизлучающие диоды
Излучающие диоды инфракрасного диапазона
Фотодиоды
И другие
[1] Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в однополярный.
Принцип работы выпрямительных диодов основан на использовании односторонней проводимости /вентильных свойств/ электрического перехода для преобразования переменного тока в однополярный пульсирующий.
Статические и динамические параметры, параметры электрического и эксплуатационного режимов.
К основным статическим параметрам относятся:
прямое падение напряжения
при заданном прямом токе
постоянный обратный ток
при заданном обратном напряжении
К основным динамическим параметрам относятся:
- среднее за период значение выпрямленного тока
- среднее значение прямого падения напряжения при заданном среднем значении прямого тока
- среднее значение обратного тока при заданном значении обратного напряжения
- среднее за период значение обратного напряжения
- граничная частота, на которой выпрямительный ток диода уменьшается до установленного уровня
К параметрам электрического режима относятся:
- дифференциальное сопротивление диода
- ёмкость диода, включающая ёмкости электрического перехода и корпуса, если последний существует
Под предельно допустимыми эксплуатационными режимами работы диодов подразумеваются такие режимы, которые обеспечивают с заданной надёжностью работу приборов в течение оговоренного техническими условиями срока службы.
К параметрам эксплуатационных режимов относятся:
- максимальное значение выпрямленного тока
- максимальное значение допустимого обратного напряжения
- максимальная допустимая мощность
- минимальная температура окружающей среды для работы диода
- максимальная температура окружающей среды для работы диода
Выпрямительные диоды делятся на:
Силовые /низкочастотные/ /для использования в выпрямителях =50кГц/
Диоды малой мощности :
< 300мА
Диоды средней мощности: 300мА < < 10А
Диоды большой мощности: 10А <
М
аломощные /высокочастотные/ /для применения в разного рода детекторах =10
100МГц/
Такой выпрямитель называется однополупериодным. Конденсатор может выполнять функцию сглаживания.
Выпрямитель, пропускающий 2 периода, называется двуполупериодным выпрямителем.
При одинаковой C пульсация будет меньше, чем в однополупериодном.
Выпрямительные диоды широко применяют в источниках питания, ограничителях выбросов напряжений. Наибольшее использование нашли кремниевые, германиевые диоды, диоды с барьером Шотки, а в аппаратуре специального назначения и измерительной аппаратуре, работающей в условиях высокой температуры окружающей среды,- селеновые и титановые выпрямители.
[2] Лавинные диоды – это разновидность выпрямительных диодов /нормируется напряжение лавинного пробоя/. Может использоваться в цепях защиты от перенапряжения.
[
3]
Выпрямительные столбы – это совокупность
выпрямительных диодов, включённых
последовательно и собранных в единую
конструкцию с двумя выводами, используется
в высоковольтных выпрямителях.
[4] Выпрямительные блоки и сборки – содержат несколько диодов, электрически независимых или соединённых в виде однофазного или трёхфазного моста. Позволяют упростить монтаж и уменьшить габариты аппаратуры.
[5] Универсальные и импульсные диоды отличаются от выпрямительных диодов более высоким быстродействием и большими значениями импульсных токов, имеют другую систему параметров.
[
6]
Диоды с накоплением заряда /ДНЗ/ –
разновидность импульсных диодов, малое
время обратного восстановления. Это
достигается неравномерным легированием
базы.
[7] Диодные матрицы и сборки – представляют собой интегрированные в одном корпусе или кристалле универсальные и импульсные диоды /диоды соединяются в виде микросхем/. Могут быть соединены между собой или изолированы.
[8] Стабилитрон - полупроводниковый прибор, в котором для стабилизации напряжения используется слабая зависимость напряжения лавинного /или туннельного/ пробоя от обратного тока через переход.
Параметры стабилитрона:
Напряжение стабилизации при заданном токе стабилизации
Дифференциальное сопротивление стабилитрона при заданном токе стабилизации
Температурный коэффициент напряжения стабилизации
При напряжении 6,3В
, при большом напряжении преобладает лавинный пробой /
/, при меньших напряжениях – туннельный пробой /
/.
лекция №5 (27.03.2003)
Для уменьшения температурного коэффициента стабилизации разработаны прецизионные стабилитроны.
В
них включены один или несколько
прямосмещённых p-n-переходов. Количество
диодов зависит от напряжения стабилизации
/
В/.
Импульсный стабилитрон от обычных стабилитронов отличается повышенным быстродействием и применяется для стабилизации амплитуды импульсов.
Д
вухсторонний
стабилитрон – два импульсных стабилитрона,
включённых встречно. Стабилитроны
обычно одинаковы, что приводит к
симметричной ВАХ. Используются в
двухсторонних ограничителях импульсов.
[9] Стабистор – один или несколько последовательно включённых диодов, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ.
КС107, КС113, КС119, D220С – Стабисторы
D-220 – Импульсные диоды
[
10]
Ограничитель напряжения – полупроводниковый
диод, работающий в режиме туннельного
или лавинного пробоя, предназначен для
защиты электрических цепей от
перенапряжения. От обычных стабилитронов
отличается высоким быстродействием и
большими допускаемыми импульсными
токами. Используется в промышленной
электронике.
В, быстродействие измеряется пикосекундами.
[
11]
Генератор шума – это стабилитрон,
работающий на грани пробоя. Напряжение
пробоя стабилитрона в этом режиме
нестабильно
кроме постоянного напряжения генерируется
шумовое напряжение. Спектр шума равномерен
до частоты 3,5 МГц.
[
12]
Варикап – нелинейный конденсатор на
основе p-n-переходов, барьерная ёмкость
которого перестраивается с изменением
напряжения на нём.
К
оэффициент
перекрытия по ёмкости:
,
[13] Варактор – варикап, используемый в умножителях частоты /силовой варикап/. Используется в радиопередатчиках, там где стоит задача генерировать сигналы большой мощности.
[
14]
Туннельный диод – полупроводниковый
прибор на основе p-n-перехода, образованного
вырожденными полупроводниками. В этих
диодах туннельный эффект проявляется
уже при небольших положительных
напряжениях на p-n-переходах.
Т
уннельный
диод – СВЧ прибор, который работает в
сантиметровом диапазоне волн /
см/.
Туннельные диоды относятся к негатронам
/имеют участок с отрицательным
сопротивлением/ n-типа.
[
15]
Обращённый диод отличается от туннельных
диодов меньшей концентрацией примесей
в p-
и n-областях.
Туннельный эффект проявляется только
при обратном напряжении.
Отсутствует диффузионная ёмкость.
Работают до частоты 50ГГц.
Используется при построении смесителей.
[16] СВЧ-диоды предназначены для работы в сантиметровом и дециметровом диапазоне волн. В зависимости от выполняемой функции делятся на:
Смесительные
Д
етекторные
Параметрические
Ограничительные, переключателиные
Умножительные и настроечные
Генераторные:
Лавинно-пролётные диоды /ЛПД/
Диоды Ганна
Предназначены для встраивания в волноводы.
[17] Светоизлучающие диоды и Излучающие диоды инфракрасного диапазона предназначены для преобразования элементарной энергии в энергию некогерентного излучения в соответствующем диапазоне волн. Излучение возникает при рекомбинации неосновных носителей в базе прямосмещённого p-n-перехода с шириной запрещённой зоны > 1,8эВ.
[18] Фотодиод предназначен для преобразования энергии световой или инфракрасного излучения в электрическую энергию. Используется в различных датчиках и оптронах.