3 Дано:

М=38,5 Н*м;

U=220 В;

I_в=1,3 А;

КПД=82,5 %;

n=1500 об/мин;

R_я=0,58 Ом;

_____________

Р_эл=?

Решение:

4 Дифференциальные уравнения а передаточные функции лин.Динамич.Систем.)

Динамическое звено - любое устройство, вне зависимости от его физического вида и конструктивного оформления, описываемого определенного вида дифференциальным уравнением.

Динамические (временные) характеристики могут быть получены экспериментально, либо построены по уравнению звена или системы. Перечислим динамические характеристики:

Переходная характеристика. Представляет собой переходный процесс на выходе звена, возникающий при подаче на вход звена единичного скачкообразного воздействия

режим вкл./выкл. кривая разгона

для того чтобы отличить динамическую характеристику вводят: переходная характеристика

Импульсная переходная функция (ИПФ) (весовая функция). Представляет собой реакцию звена или системы на единичную импульсную функцию, поданную на его (её) вход.

(t)-функция, которая представляет собой импульс бесконечно малой длительности и бесконечно большой амплитуды, имеющая площадь=1.

единичная импульсная функция (t)=1’(t)

3. Частотная характеристика

Частотные характеристики описывают установившиеся вынужденные колебания на выходе звена, вызванные гармоническим воздействием, поданным на вход звена.

X=X_мcos(t) – на входе Y=Y_мcos(t+) - на выходе, где  - сдвиг по фазе

ККП (частотная передаточная функция) представляет собой комплексное число, модуль которого равен отношению амплитуды выходного сигнала к амплитуде входного, а аргумент – сдвигу фаз между входным сигналом и выходным.

Билет №10

1В каких условиях получаются электрический и тепловой пробой в полупроводниковых диодах.

Различают электричес­кий и тепловой пробои. Электрический про­бой может быть лавинным или туннельным. Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей заряда в p-n-переходе в результате ударной ионизации атомов быстрыми носителями заряда. Неосновные носители заряда, поступающие в p-n-переход при дей­ствии обратного напряжения, ускоряются полем и при движении в нем сталкиваются с атомами кристал-й решетки. При соот­ветствующей напряженности эл-го поля носители заряда приобретают энергию, достаточную для отрыва валентных электронов. При этом образуются дополнительные пары носителей заряда - электроны и дырки, которые при столкновении с атомами также создают дополнительные носители заряда.

В основе туннельного пробоя лежит непосредствен­ный отрыв валентных электронов от атомов кристалл-й решет­ки под действием сильного эл-го поля. Образующиеся при этом дополнительные носители заряда (электроны и дырки) увели­чивают обратный ток через p-n-переход. Туннельный пробой разви­вается в узких p-n-переходах, где при сравнительно небольшом об­ратном напряжении имеется высокая напряженность поля.

Тепловой пробой возникает за счет интенсивной термоге­нерации носителей в p-n-переходе при недопустимом повышении тем­пературы. Процесс развивается лавино-образно и ввиду неоднород­ности p-n-перехода обычно носит локальный хар-р. Лавинооб­разное развитие теплового пробоя обусловливается тем, что увели­чение числа носи-телей заряда за счет повышения температуры вызы­вает увеличение обратного тока и, следовательно, еще больший разогрев участка p-n-перехода. Процесс заканчивается расплавлением этого участка и выходом прибора из строя.

Тепловой пробой может произойти в результате перегрева отдель­ного участка р-n-перехода вследствие протекания большого обратного тока при лавинном или туннельном пробое. Велика ве­роятность наступления теплового пробоя при общем перегреве р-n-перехода ввиду ухудшения, например, условий теплоотвода.

2.

3

Дано:

Р_н=4,5 кВт;

U=220 В;

n=1000 об/мин;

R_в=137 Ом;

_____________

М=?; I=?

Решение: