- •1. Общие сведения об источниках вторичного электропитания ивэп.
- •2. Стабилизаторы постоянного напряжения (спн) и их параметры.
- •Импульсные стабилизаторы напряжения.
- •3. Проектирование интегрального стабилизатора напряжения на уровне инженерного синтеза схемы.
- •3.1. Выбор функциональной схемы исн.
- •3.2.1. Регулирующий элемент.
- •3.2.2. Источник опорного напряжения
- •3.2.3. Дифференциальный усилитель сигнала рассогласования
- •4. Проектирование исн на уровне анализа и расчёта принципиальной схемы.
- •4.1. Выбор начального варианта схемы и ее анализ
- •4.2. Корректировка принципиальной схемы, расчёт цепей защиты
- •4.3. Расчет статического режима принципиальной схемы
3.2.1. Регулирующий элемент.
В качестве регулирующего элемента выбираем составной транзистор, представляющий собой каскадное соединение двух транзисторов с общим коллектором,
поскольку он имеет значительно больший коэффициент передачи по току Ki приблизительно равный ß1*ß2 по сравнению с одиночным. ß1, ß2 – коэффициенты усиления по току транзисторов VT1 и VT2. При этом:
Iн.макс. = 1 А, пусть ß1 = 50, ß2 = 100;
при испытании в качестве РЭ составного транзистора имеем:
Iвх.рэ = Iн.макс./( ß1*ß2) = 0,2 мА.
Т.к. вход РЭ подключен к выходу ДУ и ИТ, то мы можем проектировать их на токи в доли – единицы мА и все остальные, кроме рассмотренной выше амперной цепи, сделать слаботочными.
Если же в качестве РЭ испытываем одиночный транзистор, то получим:
Iвх.рэ = Iн.макс./ ß1 = 1/50 = 20 мА. В этом случае мы вынуждены проектировать ДУ и ИТ более сильноточными – на десятки – сотни мА.
3.2.2. Источник опорного напряжения
В качестве ИОН выбираем схему:
Источник опорного напряжения реализует на выходе постоянное низковольтное стабилизированное напряжение Uоп = 1,2 В. ИОН питается с выхода стабилизатора.
Механизм температурной компенсации напряжения Uоп (напряжение на выходе ИОН):
Uоп = Uэб3 + UR2; Iб 0; В дальнейших расчётах IЭ IК, тогда UR2 (Uэб1-Uэб2)R2/R3=R2/R3Uэб; Uоп = Uэб3+R2/R3Uэб.
Из физики транзистора известно, что с ростом температуры, напряжение эмиттер-база при постоянном токе эмиттера уменьшается с температурным коэффициентом –2мВ/ºC, а разница напряжений эмиттер-база двух транзисторов Uэб с ростом температуры всегда возрастает с постоянным коэффициентом, тогда из соотношения Uоп = Uэб3+R2/R3Uэб очевидно, что при соответствующем выборе сопротивлений R2 и R3 осуществляется полная температурная компенсация напряжения Uоп 1,2.
Статический режим:
IR1=0,6 мА, IR2=IR3=0,06 мА, IR5=1,4мА, IR4=0.3 мА
Параметры:
Uоп=1,2 В, Uвых=15 В
Допущения:
Uэб=0,6 В, Iб=0, Iэ= Iк
Определяем сопротивление всех транзисторов:
Iэ4= IR5- IR1- IR2- IR4 = 1,4-0,6-0,06-0,3 = 0,44 мА
R5= (Uвых- Uоп)/ IR5 = (15-1,2)/(1.4*10-3) = 9.9 кОм
R1=(Uоп- Uэб1)/ IR1=(1,2-0,6)/(0,6*10-3)=1 кОм
R2= (Uоп- Uэб3)/ IR2=(1,2-0,6)/(0,06*10-3)=10 кОм
R4= Uэб4/ IR4=0,6/(0.3*10-3)=2 кОм
При определении сопротивления R3 допущение, что все Uэб=0,6 В является грубым, поскольку при этом из левого нижнего контура получается, что UR3=0. Здесь режим задается на разнице напряжений двух транзисторов Uэб.
При расчете R3 воспользуемся уравнением для идеального p-n перехода:
Iэ IЭБО* ,
где Uэб φТ * ln IЭ/IЭБО
IЭБО - начальный ток эмиттерного перехода,
φТ - температурный потенциал;
φТ = 26 мВ при t = C
Исходя из того, что вся схема реализуется в одном кристалле, все транзисторы идентичны по характеристикам, следовательно, уместно допущение: IЭБО1 IЭБО2 и получим итоговое выражение для R3:
R3=( Uэб1 - IЭБО2 )/ Iэ2 = 1/ Iэ2 (φТ * ln IЭ1/IЭБО1 - φТ * ln IЭ2/IЭБО2 ) =
= φТ / IЭ2 * ln IЭ1/IЭ2 φТ/ IR2 * ln IR1/IR2
R3 φТ/ IR2 * ln IR1/IR2 = 1 кОм
3.2.3. Дифференциальный усилитель сигнала рассогласования
ДУ выбираем из банка схемных решений, с учетом соотношений:
Ku.ДУ ≈ 2 Kст = 2*104, где Kст = 104 – коэффициент стабилизации ИСН
Rвых.ДУ ≈ 1,5*107*Rвых= 1,5*104 = 15 кОм.
В реальном стабилизаторе, чем больше коэффициент усиления ДУ, тем больше петлевое усиление системы обратной связи и тем больше коэффициент стабилизации всего стабилизатора, что есть хорошо; чем меньше выходное сопротивление ДУ, тем меньше выходное сопротивление всего стабилизатора, что также хорошо поэтому выбираем усилитель с параметрами:
Ku.ДУ 2*104,
Rвых.ДУ 15 кОм.
ДУ имеет два входа и один выход, причем инвертирующий вход (Вх.1) подключается к выходу делителя выходного напряжения, а не инвертирующий вход (Вх.2) соединяется с выходом ИОН. К выходу ДУ подключается вход РЭ.
VT5, VT11 – цепь параллельного баланса,
VT3, VT9 – активная нагрузка
VT13, VT14 – эмиттерный повторитель
VT2, VT8, R1 и VT1, VT6 – источники тока
Введение в ДУ активной нагрузки и эмиттерного повторителя, а также реализация ДУ по схеме каскадного усилителя VT10, VT11, позволяет значительно повысить коэффициент передачи усилителя по напряжению KU.ДУ при сохранении невысокого выходного сопротивления.
Статический режим:
Iэ1= Iэ2= Iэ6=1,8 мА,
Iэ3=Iэ4=Iэ5=Iэ7=Iэ9=Iэ10=Iэ11=Iэ12=Iэ13=0,3 мА,
Iэ8=Iэ14=0,6 мА.
Параметры:
Ku.ДУ =(0,6..1)*105;
Rвых.ДУ=10..20 кОм.
R1= 0,05 кОм.