Резистивная технология тактильного дисплея.

Эта технология основывается на измерении электрического сопротивления части системы в момент прикосновения к элементу этой системы. Существует как минимум три различных типа сенсорных панелей, относящихся к резистивному типу, и все они так или иначе имеют многослойную структуру, состоящую из двух проводящих поверхностей, разделенных специальным изолирующим составом (стекло), распределенным по всей площади активной области экрана. Для определения координаты нам необходимо знать две координаты X и Y, таким образом, один из слоев, соответственно определяет координату X, а второй – Y. При касании наружного слоя, выполненного из тонкого прозрачного пластика, его внутренняя проводящая поверхность совмещается с проводящим слоем основной пластины (может быть сделана из стекла или полиэстера), играющей роль каркаса конструкции, благодаря чему происходит изменение сопротивления всей системы. При этом токи, текущие по проводящим слоям, по направлению перпендикулярны друг другу.  Контроллер по результатам измерения сопротивления участка цепи определяет сначала значение одной координаты на верхнем слое, а потом и другой на нижнем и передает координаты точки касания управляющей программе компьютера. Указанный способ позволяет достичь достаточно высокой разрешающей способности сенсорного экрана.

Использование полупроводников.

Удельная проводимость σ собственных полупроводников при комнатной температуре.

Материал	(С)	Ge	Si	Sn
σ, Сим/m	(2,8 x 104)	1,7	4,3 x 10-4

Монолитный алмаз с трудом поддается модификации в отличие от пленки. Получение пленки толщиной до 1мм возможно термическим осаждением газовой фазы при пониженном давлении на подложку (Si, W, Mo, Ta, Ir), нагретую до 850 ^оС. Предварительно полированную поверхность положки «засевают» затравками микро- и нанокристаллами алмаза. Легированием акцепторной примесью - бором – формируется полупроводник р-типа. При содержании бора 10¹⁸ см^-3 ρ = 0.1 Ом см, при 10²¹ ρ = 0.001 Ом см. Легирование серой обусловливает свойства n-типа. У алмаза по сравнению с кремнием существенно выше рабочий диапазон температур: до 400 ⁰С, а у кремния – лишь 150 ⁰С.

Небольшое удельное сопротивление дает возможность изготавливать электроды для электрохимических сенсоров с низким уровнем фоновых токов.

Материалы объемных резисторов

Функциональный материал	Параметры
Компаунды на основе графита с полимерным и керамическим наполнением	Δρ=±5%
Проволока из высокоомного металла или сплава, намотанная на основание

Материалы пленочных резисторов

Метод изготовления	Функциональный материал	Технологические параметры	Особенности применения
Тонкопленочный (напыление)	Ta, Re, Ni Cr Au -53%, Pd-47%, Nb Ti N		До 250 ГГц
Толстопленочный (высокотемпературное вжигание)	PdO, стеклофаза		Для керамических подложек Поглощающие покрытия (образец)
Толстопленочный (низкотемпературное вжигание)	Ag, Ni, полимер		Для полимерных подложек
Струйный (резистивные чернила)	графит
Субтрактивный (ламинированная под-ложка с резистивным подслоем “Ohmega-Ply”)	Сплавы Ni ρٱ =25, 50, 100, 250 Ом/ٱ	Ттравл = 48 – 54 0С	Т доп = 140 0С Δρ=±5% ТКС=50 - 100

Технология “Ohmega-Ply” сочетает преимущества простоты субтрактивной технологии и компактности и уменьшения числа паек пленочной технологии.