- •Электропроводящие и полупроводниковые материалы
- •Подвижность носителей заряда
- •Электронная проводимость металлов.
- •Материалы пленочных проводников.
- •Резистивная технология тактильного дисплея.
- •Использование полупроводников.
- •Материалы для терморезисторов
- •Ионная проводимость
- •Полимерные проводники
Электропроводящие и полупроводниковые материалы
В соответствии с законом Ома, если имеется градиент потенциалов U, то в направлении, противоположном U, возникает пропорциональный поток (ток) энергии плотностью: Je = - ∙ ∂U /∂ x,
где - коэффициент пропорциональности – проводимость. (Напряженность электрического поля характеризует распределение потенциала U в пространстве между заряженными поверхностями: E = dU/ dx.).
Типы проводимости:
- электронная
- дырочная, - ионная,
- дипольная,
- объемного заряда.
Электронная проводимость характерна металлической связи: катионы в узлах кристаллической решетки связываются «электронным облаком».
Дырочная проводимость имеет место в полупроводниках. Она связана с избытком положительного заряда, образовавшимся после того, как электрон покинул валентную зону.
Ионная проводимость в веществах с ионной связью проявляется при диссоциации в растворах, расплавах, наличии влажной атмосферы.
Дипольная проводимость связана с движением (изменением ориентации) связанных зарядов диполя в пространстве.
Объемный заряд возникает под действием внешних сил (разности электрических потенциалов, трения, различия уровней Ферми, в магнитном поле..). Одноименные заряды связаны не между собой, а со связанными зарядами, например, диэлектрика. Объемный заряд нестабилен: под действием внутренних сил отталкивания стремится рассосаться, стечь.
Подвижность носителей заряда
В отсутствии внешнего электрического поля взаимодействие электрона с любым объектом приводит к изменению вектора тепловой скорости Vт. С точки зрения классической физики это взаимодействие трактуется как столкновение, а с квантово-механической точки зрения - как рассеяние электронной волны на объекте. Среднее время между 2-мя последовательными актами соударения (рассеяния) называется временем свободного пробега св носителей.
При внешнем электрическом поле происходит направленное перемещение носителей заряда - дрейф со скоростью Vдр . Вектор суммарной средней скорости:
V = Vдр + Vт ,
Соотношение дрейфовой и тепловой составляющих скорости:
при Е = 10-3 В/м в медном проводе диаметром 3.2мм (площадью S=8.04 10-6 м2) течет ток силой I = 5А, плотность тока
j = I / S = 6.22 ∙105 А/м2 , j = qe n Vдр .
Число свободных электронов в единице объема n = 8.43 ∙ 1028 м-3 - концентрация электронного газа, qе = 1.602 10-19 Кл - заряд электрона.
Vдр = j / (n qe ) = 4.61 ∙10-5 м/с.
Тепловая составляющая скорости:
Vт = (3 k T / m*) = 1.15 ∙105 м/с.
Т.о. при небольших напряжениях электрического поля доминирует тепловое хаотическое, а не направленное движение электронов. Масса не переносится. Переносится только заряд. Т.е. вещество не разрушается при относительно небольших напряженностях электрического поля. Механизм старения материала в электрическом поле аналогичен старению в результате механической нагрузки – разрушение от дефекта.
Дрейфовая скорость пропорциональна напряженности электрического поля:
Vдр = u E.
коэффициент пропорциональности u называется подвижностью носителя заряда и представляет собой скорость, получаемую зарядом q под действием единичного электрического поля.
u = q св / m*.
Длина свободного пробега:
lсв = Vдр св
Основные механизмы рассеяния энергии носителей заряда:
- на фононах (КР),
- на примесях, нейтральных, ионизированных и неионизированных,
- на дефектах структуры,
- на свободных электронах.
Так как подвижность носителей заряда зависит от их эффективной массы m* , то значения подвижности для электронов uп и дырок uр могут быть различными.
-
Вещество
uп, см2 / В с
uр, см2 / В с
Si
1300
500
GaAs
8500
420
При размере электронного устройства меньше длины свободного пробега lсв транспорт электрона становится баллистическим, т.е. без рассеяния. Это повышает быстродействие: время пребывания электрона меньше, чем при диффузионном переносе. Но требования к технологии изготовления устройств ужесточаются.