3. Исходные данные, требуемые для расчета диффузионных задач

Таблица 5. Коэффициенты диффузии химических элементов

Примесь	D0, см2/c	Eа, эВ	Сmax, см3		Тmax, 0C	проводимость
1	2	3	4		5	6
Кремний Si (Tпл = 1420 0С)
B	1,610-9	4,6	11020		1200	p
Al	0,05	2,7	21021		1150	p
Ga	36,0	2,5-3,4	71020		1250	p
In	0,03-0,45	2,41	31019		1250	p
Tl	0,06	2,5	11018		1250	p
As	6,3-12,7	2,42	11020		1150	n
Sb	5,6	2,4	11019		1300	n
Bi	6,9	2,4	11017		1300	n
1	2	3	4		5	6
Li	2,310-3	0,5	31019		1100	n
Au	1,110-3	2,5	51016		1300	Амофотерн.
P	10,5	3,7	1,31021		1200	n
Ag	210-3	1,6	2,01017		1300	n
Cu	0,04	1,0	1,51018		1300	p
Zn	0,1	1,4	1,61016		1325	p
Sn	2,1610-5	5,39	5,01019		1200	n
Fe	6,210-3	0,87	3,01016		1325
Германий Ge (Тпл = 937 0С)
B	1,8109	4,55	11018			p
Al	1,6102	3,24	4,31020	700		p
Ga	40.0	3,15	51020	650		p
In	20.0	3,0	41018	800		p
Ta	15.0	2,9	11017	800		p
P	4,410-2	1,0	21020	560		n
Bi	3,3	2,47	61016	910		n
Li	1,310-3	0,46	7,51018	825		n
Cu	1,910-4	0,18	6,81016	875		p
Zn	5,0	2,7	2,51018	750		p
Au	2,25	2,5	3,01016	900		Амфотерн.
Sb	10,0	2,5	1,21019	800		n
As	1,5	2,39	71019	800		n

Таблица 6.. Теплофизические характеристики для расчета коэффициентов диффузии в бинарных полупроводниках

Примесь	D0, см2/c	Eа, эВ	проводимость
1	2	3	4
Антимонид алюминия AlSb (Tпл = 1065C)
Zn	0,33	1,93	p
Cu	3,510-3	0,36	p
Арсенид индия InAs (Tпл = 942С)
Cu	0,036	0,52	n
Mg	1,9810-6	1,17	p
Zn	3,1110-3	1,17	p
Cd	4,3510-4	1,17	p
Ge	3,710-6	1,17	n
1	2	3	4
Sn	1,4910-6	1,17	n
S	6,76	2,2	n
Se	12,55	2,2	n
Te	3,4310-5	1,28	n
Антимонид галия GaSb (Tпл = 706С)
Sn	2,410-5	0,8	p
Te	3,810-4	1,2	n
Cd	1,510-6	0,72	p
Li	0,12	0,7	n
Фосфид индия InP (Tпл = 1062С)
Cu	3,810-3	0,69	p
Cd	110-7	0,72	p
Zn	1,6108	0,3	p
Фосфид галлия GaP (Tпл = 1465С)
Zn	1,0	2,1	p
S	3,010-3	4,7	n
Антимонид индия InSb (Tпл = 530С)
Cu	3,510-5	0,37	p
Ag	110-7	0,25	p
Li	710-4	0,28	n
Cd	110-5	1,1	p
Zn	2,610-2	1,36	p
Sn	1,310-6	0,65	n
Ge	510-6	0,95	p
S	410-5	1,05	n
Se	1,610-2	1,3	n
Co	110-7	0,25	p
Fe	110-7	0,25	p
Te	6,610-5	1,19	n
Арсенид галлия GaAs (Tпл = 1238С)
Li	0,53	1,0	n
Mg	410-5	1,22	p
Cd	0,05	2,43	p
Zn	810-5	1,5	p
Ge	310-5	1,8	n
Sn	610-4	2,5	n
S	1,6	2,8	n
1	2	3	4
Se	3103	4,16	n
Mn	0,65	2,49	p
Te	2,610-5	2,0	n
Be	7,310-6	1,2	p
Селенид кадмия CdSe (Tпл = 1341С)
P	0,7	2,1	p
S	0,12	0,65	n
Te	16,0	2,47	n
Теллурид ртути HgTe (Tпл = 670С)
Cd	3.110-4	0,69	Нейтральный
In	110-5	0,5	n
Ag	610-4	0,8	p
Cульфид кадмия Cds (Tпл = 670С)
Cu	1,510-3	0,76	P
Ag	0,24	1,2	N
Au	200,0	1,8	Нейтральный
Li	310-6	0,68	p
Теллурид кадмия CdTe (Tпл = 819С)
Se	1,1710-14	1,35	n
In	4,110-2	1,6	n
Ag	10,0	0,61	p
Cu	3,710-4	0,67	p
O	610-16	0,29	n
Bi	10-10	0,35	p
Сульфид цинка ZnS (Tпл = 830С)
Mn	2,33	2,46	p
Cu	2,610-3	0,73	p
In	30,0	2,2	n
Au	1,7510-4	1,16	p
Селенид цинка ZnSe (Tпл = 1520С)
Al	0,3	2	n
Cu	1,710-5	0,56	p
Теллурид цинка ZnTe (Tпл = 1295С)
Li	2,310-2	1,22	p
In	4,0	1,95	n

Список литературы

1. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники.  СПб.: Издательство «Лань», 2001. – 272 с.

2. Китель Ч. Введение в физику твердого тела. /Пер. с англ.  М.: «Мир», 1980. – 420 с.

3. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Теория процессов полу-проводниковой технологии. Электронные и микроэлектронные материалы и компоненты твердотельной электроники.  М.: МИСИС, 1995.  493 с

4. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.  M.: «Высш. шк.», 1986. – 368 с.

5. Свойства неорганических соединений. Справочник / Ефимов А.И. и др.  Л.: «Химия», 1983  392 с.

6. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / Скворцов И.М., Лапидус И.И., Орион Б.В. М.: Энергия, 1978.  136 с.

7. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников.  M.: «Высш. шк.», 1975. – 302 с.

Оглавление

1. Термодинамическая оценка окисляемости металлов

при термообработке оксидного катода……………………………………...3