- •Cвязь световых и энергетических фотометрических величин: определения и формулы величин XV, k, k(l), V(l), Kmax; формула связи XV « Хе.
- •Эквивалентные температуры: яркостная температура.
- •Принцип действия, схема включения, основные параметры и характеристики полупроводниковых излучающих диодов.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики газовых лазеров.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики твердотельных лазеров.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики полупроводниковых лазеров.
- •Параметры оптически прозрачных сред: n, a, , .
- •Закон Бугера.
- •Классификация приемников оптического излучения.
- •14. Основные параметры приемников оптического излучения: параметры шумовых и пороговых характеристик (Фп, Фп1, Фп*, d, d*), параметры частотных и временных характеристик (tуст.0,37, fо).
- •Пересчет параметров приемников оптического излучения: из световых величин в энергетические; из параметров для излучения одного источника в параметры для излучения другого источника.
- •Принцип действия приемников оптического излучения на внутреннем фотоэффекте.
- •Принцип действия приемников оптического излучения на внешнем фотоэффекте.
Принцип действия приемников оптического излучения на внешнем фотоэффекте.
Внешним фотоэффектом или фотоэлектронной эмиссией называют испускание электронов с поверхности фоточувствительного слоя в вакуум или в другое вещество под действием падающего потока излучения.
В ПИ, основанных на внешнем фотоэффекте, поток электронов (называемых фотоэлектронами), эмиттируемых под действием падающего излучения одним из электродов (фотокатодом) в вакуум (или газ), ускоряется за счет постоянного внешнего напряжения и улавливается другим электродом (анодом), образуя во внешней цепи электрический ток, который называют фототоком.
В качестве фотокатодов используют некоторые чистые и сложные металлы и полупроводники, фотоэлектронную эмиссию которых можно представить следующими процессами: поглощением фотона и передачей его энергии электрону, диффузией (перемещением) возбужденного электрона к поверхности фотокатода и прохождением его в вакуум через поверхностный потенциальный барьер (электрическое поле, действующее в узкой области вблизи поверхности фотокатода, удерживающее электроны внутри вещества). Энергию, которую необходимо сообщить электрону Для преодоления поверхностного потенциального барьера, называют работой выхода. Для внешнего фотоэффекта известны следующие основные законы.
1. Значение фототока (число фотоэлектронов, вырываемых из фотокатода в единицу времени) в режиме насыщения (все вылетевшие из фотокатода электроны собираются на анод, и фототок не зависит от напряжения питания) прямо пропорционально потоку излучения, поглощенного фотокатодом, при неизменном спектральном составе падающего потока излучения (закон Столетова):
где — фототок, А; Ф — поглощенный поток, Вт (лм); — интегральная чувствительность фотокатода, А/В.
2. Максимальная энергия выбиваемых фотоэлектронов пропорциональна частоте v падающего на фотокатод излучения и не зависит от потока излучения (закон Эйнштейна — закон сохранения энергии при фотоэлектронной эмиссии).
Если электрон в веществе после взаимодействия с упавшим фотоном с энергией hv вышел в вакуум с кинетической энергией (/ша/2)тах, совершив фотоэлектронную работу выхода Еф, то закон Эйнштейна можно записать в виде
где т и v — масса и скорость фотоэлектрона.
Для каждого вещества существует длинноволновая граница внешнего фотоэффекта, называемая краен о,й границей, так как энергия падающих фотонов hv уменьшается с увеличением длины волны и уменьшением частоты. Пороговая частота фотоэффекта vrp соответствует энергии падающих фотонов, при которой даже максимальная энергия фотоэлектронов (mv2/2)max равна нулю: , откуда
где граничная длина волны (мкм) при измерении Еф в эВ; с — скорость распространения электромагнитного излучения в вакууме.
Время запаздывания между поглощением кванта и появлением фотоэлектрона меньше 10-12 с, что позволяет на основе внешнего фотоэффекта создавать быстродействующие приемники излучения.