- •Cвязь световых и энергетических фотометрических величин: определения и формулы величин XV, k, k(l), V(l), Kmax; формула связи XV « Хе.
- •Эквивалентные температуры: яркостная температура.
- •Принцип действия, схема включения, основные параметры и характеристики полупроводниковых излучающих диодов.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики газовых лазеров.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики твердотельных лазеров.
- •Принцип действия, устройство, основные параметры и характеристики полупроводниковых лазеров.
- •Параметры оптически прозрачных сред: n, a, , .
- •Закон Бугера.
- •Классификация приемников оптического излучения.
- •14. Основные параметры приемников оптического излучения: параметры шумовых и пороговых характеристик (Фп, Фп1, Фп*, d, d*), параметры частотных и временных характеристик (tуст.0,37, fо).
- •Пересчет параметров приемников оптического излучения: из световых величин в энергетические; из параметров для излучения одного источника в параметры для излучения другого источника.
- •Принцип действия приемников оптического излучения на внутреннем фотоэффекте.
- •Принцип действия приемников оптического излучения на внешнем фотоэффекте.
Принцип действия, схема включения, основные параметры и характеристики полупроводниковых излучающих диодов.
Ответ:
Принцип действия полупроводниковых излучающих диодов (светодиод) основан на явлении электролюминесценции при протекании тока в структурах с p-n-переходом. Светодиоды выполняют функции, противоположные фотоприемникам, т.е. эффективно преобразуют электрическую энергию в световую. Когерентное монохроматическое или спонтанное высвечивание (люминесценцию) в полупроводнике можно получить рядом методов возбуждения (накачки): оптическим возбуждением, воздействием на полупроводник пучком быстрых электронов с высокой энергией, возбуждением полупроводниковых материалов импульсами электронного поля (ударной ионизацией).
Спектральные характеристики люминесцентных излучающих диодов (светодиодов)
Светодиод излучают в спектральном интервале до нескольких десятков нанометров. Длина волны излучения определяется энергетической шириной зон полупроводника, чаще всего шириной запрещенной зоны ,
Яркостная характеристика и температурный диапазон работы светодиодов
Основной характеристикой светодиода как источника света является его яркостная характеристика
Яркостная характеристика имеет нелинейный начальный участок, ограниченный низким выходным яркостями (мощностями), и почти линейный участок протяженностью один или два порядка изменения яркости. В широком диапазоне изменений рабочей яркости в первом приближении можно записать , где , b- некоторый коэффициент, имеющий разброс от диода к диоду (2…20 кд/м2.мА), значение тока, протекающего через p-n-переход; пороговое значение тока через диод, при котором становится возможна линеаризация зависимости
Величина для комнатной температуры лежит в пределах от (0,1…0,5) мА до (1…2,5) мА и зависит от типа светодиода, параметров полупроводника, характеристик контактов и температуры.
График
Временная динамическая характеристика светодиода определяется минимальным временем нарастания и спада светового импульса, завалом плоской вершины при питании его прямоугольным импульсом тока, а также минимальной скважностью импульсов.
Параметры светодиода как элемента электрической цепи определяют его вольт-амперный характеристикой.
Схема включения:
У всех светодиодов она типично диодная с сильно выраженной нелинейностью в проводящем направлении. Поэтому последовательно с диодом необходимо включать ограничивающий резистор, обеспечивающий устойчивый режим работы светодиод. Для импульсов тока длительностью 10 с и менее эквивалентную схему светодиод можно представить параллельным RC- контуром, как показано на рис.
По вольт – амперным характеристикам определяется статическое , остаточное и динамическое (дифференциальное) сопротивления диода, напряжение отсечки и пробоя .
Основной характеристикой излучающих светодиодов является квантовый выход.
где внешний и внутренний квантовые выходы;
температура; интегральный ток в переходе; оптическая эффективность конструкции.
Внешний квантовый выход светодиод:
постоянная планка, частота излучения; заряд электрона.
Коэффициент полезного действия светодиода:
приложенное к диоду напряжение.
Связь между КДП и внешним квантовым выходом:
.