3.2. Исследовать характеристики и параметры бт по схеме об

3.2.1. Исследовать статические ВАХ БТ по схеме ОБ.

Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 13.

Семейство входных ВАХ БТ по схеме ОБ I_Э = f (U_ЭБ) снимается при фиксированных значениях U_КБ путем изменения тока I_Э и измерением U_ЭБ. Семейство выходных ВАХ I_К = f(U_КБ) снимается при фиксированных значениях I_Э путем изменения напряжения U_КБ и измерением I_К.

Рис. 13. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОБ

Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 5, 6) и построить графики входной и выходной ВАХ транзистора по схеме ОБ.

Таблица 5

UКБ = 0 В	UБЭ, В
	IЭ, мА
UКБ = 2 В	UБЭ, В
	IЭ, мА

Таблица 6

IЭ=5 мА	IК, мА
	UКБ, В
IЭ=10мА	IК, мА
	UКБ, В

3.2.2. Определить h – параметры БТ в схеме с ОБ, пользуясь результатами расчетов h – параметров БТ в схеме с ОЭ и формулами пересчета этих параметров для схем ОЭ и ОБ (табл. 1).

3.2.3. Оценить расчетный коэффициент усиления по напряжению

.

3.3. Проанализировать результаты экспериментов и сделать выводы.