3. Порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать характеристики и параметры бт по схеме оэ
3.1.1. Исследовать статические ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 10.
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимается при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Семейство выходных ВАХ IК = f(UКЭ) снимается при фиксированных значениях IБ путем изменения напряжения UКЭ и измерением IК.
Рис. 10. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Задавая значение тока базы (с помощью источника І1) в пределах от 1 ... 200 мкА, а также значения напряжения на коллекторе ( с помощью источника V1 от 0 до 12 В) и измеряя напряжение на базе UБЭ и ток коллектора IК, можно построить все необходимые ВАХ. Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 3, 4) и построить графики входных и выходных ВАХ транзистора.
Таблиця 3
UКЭ = 0 |
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ = 4В |
UБЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблиця 4
IБ = 0,1мА |
IК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IБ = 0,2мА |
IК, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.1.2. Измерять входное и выходное сопротивление транзистора.
Воспроизвести принципиальную электрическую схему (рис. 11) в среде EWB.
Установить в схеме режим постоянного тока: постоянная составляющая тока базы задается источником І1 и составляет 50 мкА; постоянное напряжение на коллекторе V1 = 10 В. Подать на вход транзистора синусоидальный сигнал амплитудой IБ ≤ 10 мкА и частотой f = 1 кГц. Амплитуду напряжения синусоидального источника UК уменьшить до нуля. Измерять входное переменное напряжение UБ и выходной переменный ток ІК. Рассчитать входное сопротивление транзистора по переменному напряжению rВХ = UБ / ІК и крутизну транзистора (S = ІК / UБ ).
Рис. 11. Схема измерения входного и выходного сопротивления транзистора
Для измерения выходного сопротивления транзистора rВЫХ = UК / ІК установить синусоидальный ток в цепи базы IБ=0 или выключить источник, синусоидальное напряжение UК увеличить до 5 В и измерять ІК .
3.1.3. На выходных
ВАХ БТ построить линию нагрузки, задав
й
в пределах
,
и определить
h
– параметры
транзистора по характеристикам
в окрестности
выбранной рабочей точки.
3.1.4. Оценить расчетный коэффициент усиления по напряжению
, где
.