- •Лабораторная работа № 1
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3.1. Исследовать характеристики и параметры бт по схеме оэ
- •3.2. Исследовать характеристики и параметры бт по схеме об
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Сватов Віктор Пилипович Електроніка і мікросхемотехніка методичні вказівки
4. Содержание отчета
4.1. Цель работы.
4.2. Электрические принципиальные схемы для проведения всех исследований.
4.3. Таблицы с результатами измерений и графики полученных зависимостей.
4.4. Краткие выводы о проделанной работе.
5. Контрольные вопросы
1. Объясните название транзисторов "полевые" с точки зрения входного воздействия, управления их состоянием.
2. Объясните, почему полевые транзисторы еще называют униполярными, канальными?
3. Что называют каналом в полевом транзисторе?
4. На какие типы подразделяют полевые транзисторы по технологии производства? Дайте краткую характеристику каждому из них.
5. Назовите электроды полевого транзистора и коротко охарактеризуйте их назначение.
6. Объясните, что такое режим обеднения, обогащения канала. В каком из этих режимов могут работать полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом, МОП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналом?
7. Приведите схемное обозначение полевого транзистора с управляющим р-n-переходом, каналом p-типа, каналом n-типа и МОП-транзистора со встроенным и индуцированным каналом.
8. Изобразите структуру полевого транзистора с управляющим р-n-переходом и объясните, что происходит в ней при изменении напряжения на затворе.
9. Изобразите стоковые и стоко-затворные ВАХ ПТ с управляющим р-n-переходом.
10. Изобразите стоковые и стоко-затворные ВАХ МДП-транзисторов.
11. Вследствие каких физических процессов формируется пологий участок выходных ВАХ ПТ?
12. Каким образом по ВАХ рассчитывают основные параметры ПТ?
Список рекомендованной литературы
1. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник для студентів вищ. закл. освіти / Под ред. д.т.н, проф. В.І. Сенька. – К. 2000.
2. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум / За ред. А.Г. Соскова. – К.: Каравела, 2003 – 368 с.
3. Кардашев Г.А. Виртуальная электроника. Компьютерное моделирование аналоговых устройств. – М.: Горячая линия – Телеком, 2002 – 260 с.
Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. – М.: Горячая линия – Телеком, 1999 – 768 с.
Быстров Ю.А. Электронные цепи и микросхемотехника: Учебник / Ю.А. Быстров, И.Г. Мироненко. – М.: Высш. шк., 2002 – 384 с.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника: Учебник для вузов / Под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1988 – 320 с.
7. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств. / Под ред. А.А. Рондо. – М.: Издательский дом 2001 – 368с.
8. Электронные устройства железнодорожной автоматики, телемеханики и связи / Под ред. А.В. Шумейко. – М.: Транспорт, 1989.
Зміст
Вступ …………………………………………………………………….. 3
Лабораторна робота № 1. Дослідження випрямляючого
напівпровідникового діода ..........…………………................................. 4
Лабораторна робота № 2. Дослідження напівпровідникового
стабілітрона ..........…………………........................................................... 12
Лабораторна робота № 3, 4. Дослідження біполярного транзистора...... 17
Лабораторна робота № 5. Дослідження тиристора…………………….. 33
Лабораторна робота № 6. Дослідження польових транзисторів............. 39
Список рекомендованої літератури……………………………………... 47
Навчально – методичне видання