3. Порядок выполнения лабораторной работы

3.1. Исследовать семейства стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.

Для исследования семейства ВАХ ПТ можно использовать схему на рис. 7. Она содержит источник напряжения между затвором и истоком Uq, исследуемый транзистор VT, источник питания V1, вольтметр Ud для контроля напряжения между стоком и истоком и амперметр Id для измерения тока стока. Стоковые характеристики снимаются при фиксированных значениях Uq путем изменения напряжения Ud и измерения тока стока І_С.

Рис. 7. Схема исследования семейства ВАХ ПТ с управляющим р-n-переходом

Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 1; 2) и построить графики стоко-затворных и стоковых характеристик транзистора.

Таблиця 1

UСИ=5 В

UЗИ, В

IС, мА

UСИ=10 В

UЗИ, В

IС, мА

Таблиця 2

UЗИ=0 В

IС, мА

UСИ, В

UЗИ=-0,5 B

IС, мА

UСИ, В

3.2. Рассчитать параметры ПТ с управляющим р-n-переходом:

1. Крутизну характеристики – S = ΔІ_С / ΔU_ЗИ при U_СИ = const

2. Внутреннее сопротивление R_i = R_ВЫХ = Δ U_СИ / ΔІ_С при U_ЗИ = const.

3. Коэффициент усиления по напряжению – μ = S R_i = ΔU_СИ / ΔU_ЗИ при І_С= const.

Расчет параметров ПТ провести в рабочей точке, ток в которой составляет 5 ... 10 мА.

3.3. Проанализировать результаты экспериментов и сделать выводы.