Лабораторная работа 2. Исследование методов получения полупроводниковых материалов высокой чистоты

Контрольные вопросы

1. Что такое коэффициент распределения? Понятие равновесного и эффективного коэффициентов распределения.

2. Сущность метода направленной кристаллизации. Применение метода направленной кристаллизации.

3. Сущность метода зонной плавки. Применение метода зонной плавки.

4. Сравнительная характеристика методов очистки.

5. Особенности очистки германия и кремния.

Литература

1. Иглицина М.И. Технология полупроводниковых материалов: учеб. пособие / М.И. Иглицина. М.: Оборонгиз 1961. 313 с.

2. Коновалов О.М. Полупроводниковые материалы / О.М. Коновалов. Харьков: Харьк. ун-та, 1963. 212 с.

Лабораторная работа 3. Изучение свойств материалов при сварке в твердом состоянии

Контрольные вопросы

1. Что такое диффузионная сварка (ДС) и каковы ее особенности?

2. Какие достоинства и недостатки имеет ДС по сравнению с другими видами сварки и пайкой?

3. Какие физические основы лежат в основе ДС?

4. Как производится выбор режимов ДС?

Литература

1. Конюшков Г.В. Диффузионная сварка в электронике / Г.В. Конюшков, Ю.Н. Копылов. М.: Энергия, 1975. 168 с.

Лабораторная работа 4. Исследование напряжений и методов их экспериментального определения в металлических и металлокерамических соединениях

Контрольные вопросы

1. Что такое внутренние напряжения? Опишите виды напряженного состояния. Каковы причины возникновения остаточных напряжений в деталях различного типа (многослойных, монолитных)?

2. В чем заключается явление релаксации внутренних напряжений (ВН)?

3. Дайте характеристику методов измерения ВН.

Литература

1. Сопротивление материалов: учебник для вузов / Г.С. Писаренко, В.А. Агарев, А.Л. Квитка и др. Киев: Вища школа, 1986. 775 с.

2. Конюшков Г.В. Диффузионная сварка в электронике / Г.В. Конюшков, Ю.Н. Копылов. М.: Энергия, 1975. 168 с.

Литература

1. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, B.C. Сорокин. М.: Высшая школа, 1986. 368 с.

2. Богородитский Н.П. Электротехнические материалы / Н.П. Богородитский, В.В.Пасынков, Б.М. Тареев. Л.: Энергия, 1985. 304 с.

3. Корицкий Ю.В. Справочник по электротехническим материалам / Ю.В. Корицкий. М.: Энергия. Т.1. 1986. 368 с.

4. Керамика и ее спаи с металлами в технике / В.А. Преснова, М.Л. Любимов, В.В. Строгонова и др. М.: Атомиздат, 1969. 232 с.

5. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высшая школа, 1986. 368 с.

6. Закиров Ф.Г. Откачник вакуумщик / Ф.Г. Закиров, Е.Н. Николаев. М.: Высшая школа, 1977. 253 с., ил.

7. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов. М.: Высшая школа, 1980. 327 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ А

Рис. 1. Пример сборки металлокерамического узла для торцевой пайки

Рис. 2. Пример сборки металлокерамического узла на конической посадке для пайки

а	в
б	г
	д

Рис. 3. Металлокерамические изоляторы в корпусах ПП:

а, б – патронных; в, г – таблеточных; д – с винтом

а

б

Рис. 4. Конструкции корпусов транзисторов:

1 – кристаллодержатель; 2 – проходной изолятор; 3 – крышка; 4 – выводы

а

б

Рис. 5. Конструкции корпусов туннельных диодов: 1 – кристаллодержатель;

2 – верхний фланец; 3 – керамическая втулка; 4 – крышка

а б

Рис. 6. Схемы фланцевых соединений с металлическими уплотнениями

а

б

Рис. 7. Схемы бесфланцевых грибковых соединений

с резиновыми уплотнителями: а – неразборное; б – разборное