- •Введение
- •1 Основы теории электропроводности полупроводников
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.1.1 Полупроводники с собственной электропроводностью
- •1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •1.1.3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •1.2 Токи в полупроводниках
- •1.2.1 Дрейфовый ток
- •1.2.2 Диффузионный ток
- •1.3 Контактные явления
- •Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •1.3.2 Прямое включение p-n перехода
- •1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
- •1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.5 Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.6 Емкости p-n перехода
- •1.4 Разновидности электрических переходов
- •1.4.1 Гетеропереходы
- •1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •1.4.3 Контакт металла с полупроводником
- •1.4.4 Омические контакты
- •1.4.5 Явления на поверхности полупроводника
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Классификация
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.3 Стабилитроны и стабисторы
- •2.4 Универсальные и импульсные диоды
- •2.5 Варикапы
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
- •3.1.1 Общие сведения
- •3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном
- •3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов
- •3.2.1 Схема с общей базой
- •3.2.2 Схема с общим эмиттером
- •3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •3.5 Частотные свойства биполярного транзистора
- •3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •3.7 Работа транзистора в усилительном режиме
- •3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме
- •3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
- •3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения
- •3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора
- •4 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор с p-n переходом.
- •4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
- •Логические операции
- •Структура микропроцессора
4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
(МДП-транзистор).
Этот транзистор имеет структуру металл - диэлектрик - полупроводник и может быть двух типов: с индуцированным каналом (рисунок 4.4,а) и с встроенным каналом (рисунок 4.4,б). Если основой транзистора является кремний, то диэлектриком может быть слой окиси кремния, поэтому такую структуру иногда называют МОП-транзистор (металл - окисел - полупроводник).
а) |
б) |
Рисунок 4.4 Структура МДП ПТ с индуцированным (а) и встроенным (б) каналами. |
Транзистор с индуцированным каналом имеет области истока n+ и стока n+, которые выведены путем металлизации через отверстие в окиси кремния на контакты - исток и сток. На слой двуокиси окиси кремния напыляют слой алюминия, служащий затвором. Можно считать, что алюминиевый затвор и полупроводниковый материал p-типа образуют плоский конденсатор с окисным диэлектриком, Если на металлическую часть затвора подать положительное напряжение, то положительный заряд обкладки затвора индуцирует соответствующий отрицательный заряд в полупроводниковой области канала. С возрастанием положительного напряжения этот заряд, созданный притянутыми из глубины p-области проводника электронами, которые являются неосновными носителями, превращает поверхностны слой полупроводника p-типа в проводящий канал n-типа, соединяющий исходные n+-области истока и стока. Поэтому уменьшается сопротивление материала между истоком и стоком, что ведет к увеличению тока стока. Таким образом, благодаря электростатической индукции между истоком и стоком происходит инверсия типа проводимости полупроводника. Слой полупроводника p-типа превращается в полупроводник
n-типа. До инверсии сопротивление между истоком и стоком определяется сопротивлением закрытого перехода, так как до инверсии имеет место структура n+-р-n+. После инверсии образуется n-проводимость и структура становится n+-n-n+. Меняя напряжение на затворе, можно управлять током стока. Если взять подложку n-типа, то можно построить МДП-транзистор с индуцированным p-каналом, который управляется отрицательным напряжением на затворе.
Транзистор с встроенным каналом имеет конструкцию, подобную предыдущей. Между истоком и стоком методом диффузии создают слаболегированный канал c проводимостью n--типа при проводимости подложки p-типа. Возможно другое сочетание. Канал имеет проводимость p-типа, а подложка — проводимость n-типа. В отсутствие напряжения на затворе (рис. 2.91б) ток между истоком и стоком определяется сопротивлением n--канала. При отрицательном напряжении на затворе концентрация носителей заряда и канале уменьшится и в нем появляется обедненный слой. Сопротивление между истоком и стоком увеличивается и ток уменьшается. При положительном напряжении на затворе ток стока увеличивается, потому что в канале индуцируется дополнительный отрицательный заряд, увеличивающий его проводимость.
На рисунке 4.4 приведены характеристики прямой передачи МДП-транзисторов с индуцированным (кривая 2) и встроенным (кривая 1) каналами.
Из рисунка
при . ( 3.41 )
Здесь А - постоянный коэффициент; UЗИ ПОР - напряжение, которое для транзистора с индуцированным каналом принято называть пороговым. Инверсия типа проводимости начинается лишь при достижении напряжения UПОР.
Рисунок 4.4 Характеристики прямой передачи МДП ПТ. |
Выходные характеристики МДП-транзистора с индуциро- ванным каналом n-типа приведены на рисунке 4.5,а со встроенным каналом - на рисунке 4.5,б.
В области UCИ < |UЗИ - UЗИ ПОР | теоретический ток стока
. ( 3.42 )
Уравнение (3.42) описывает восходящие ветви выходной характеристики Входное сопротивление МДП-транзистора из-за наличия изолятора между затвором и каналом составляет около 1012 - 1014 Ом и уменьшается с ростом частоты вследствие шунтирования входной емкостью транзистора. Выходное сопротивление находится в пределах десятков - сотен килоомов. Входная и выходная емкости составляют единицы пикофарад, а проходная емкость -десятые доли пикофарад.
-
а)
б)
Рисунок 4.5 Выходные характеристики ПТ с индуцированным (а) и встроенным (б) каналами.
ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ В УСИЛИТЕЛЯХ
Обратная связь - это такая связь между элементами устройства, при которой часть энергии выходного сигнала поступает на вход устройства.
Виды обратной связи
Положительная обратная связь - выходной сигнал в канале обратной связи совпадает по фазе с входным сигналом устройства, способствуя его усилению (повышению коэффициента усиления). Это дестабилизирует работу устройства, т. к. любые незначительные изменения выходного параметра приводятся каналом обратной связи к предельным значениям (используется в генераторах).
Отрицательная обратная связь - выходной сигнал в канале обратной связи в противофазе с входным сигналом устройства. Стабилизирует выходной сигнал при воздействии внешних факторов, повышает частоту пропускания.
По виду снимаемого с выхода устройства сигнала - обратная связь по напряжению и обратная связь по току.
По схеме включения сигнала обратной связи на вход устройства (по отношению к источнику входного сигнала) - последовательная обратная связь и параллельная обратная связь.
Внутренняя обратная связь проявляется в каждом компоненте усилителя из-за функциональной связи между их электрическими и физическими параметрами.
Внешняя обратная связь обеспечивается включением дополнительных цепей, действие которых направлено на улучшение характеристик устройства.
Паразитная обратная связь создается емкостными и индуктивными связями, не предусмотренные схемотехническими решениями, проявляются на больших частотах.
УСИЛИТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА
Усилитель постоянного тока (УПТ) - это усилитель медленно изменяющихся сигналов, способный обеспечивать усилительные свойства при частоте сигнала равного нулю (f=0).
Особенность УПТ - линейная зависимость выходного сигнала от входного.
Для работы усилителя на низких частотах необходимо исключить емкостные и трансформаторные связи. Но из-за этого усилитель не огражден от возможности прохождения через него одновременно с полезным сигналом изменений, обусловленным нестабильностью источников питания и электрических параметров элементов (из-за их старения элементов и температурной зависимостью).
Непостоянство выходного напряжения УПТ называют дрейфом нуля.
Дифференциальные цепи позволяют реализовать УПТ с малым дрейфом нуля.
Рассмотрим важнейшие свойства дифференциальной цепи, в которой нагрузка подключена к внутренней диагонали моста.
R1R4= R2R3 ;
a=b ; IН=0 ; UН=ab =0.
Изменение параметров источника питания (UП) не нарушает условия балансировки.
При пропорциональном изменении параметров резисторов смежных плеч (R1 и R2 или R3 и R4) балансировка не нарушается.
Синфазные сигналы - сигналы равной амплитуды и одного знака (фазы).
Противофазные сигналы - сигналы равной амплитуды и разного знака (фазы).
Дифференциальный усилитель - усилитель, у которого выходной сигнал пропорционален разности двух входных сигналов.
Простейший дифференциальный усилитель может быть получен из рассмотренной дифференциальной цепи заменой резисторов R3 и R4 на транзисторы VT1 и VT2.
Одна из важнейших особенностей дифференциального усилителя - возможность получения на нагрузочном устройстве разнополярного напряжения.
ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Операционный усилитель (ОУ) - унифицированный многокаскадный усилитель постоянного тока с большим коэффициентом усиления по напряжению, выполненный как правило в виде интегральной микросхемы с дифференциальным входом и несимметричным выходом.
ОУ применяется для решения многих технических задач: усиления и преобразования сигналов, стабилизации напряжения и тока, а также для выполнения математических операций с сигналами (суммирование, вычитание, дифференцирование, интегрирование).
На ранних стадиях развития вычислительной техники ОУ применялся в аналоговых вычислительных машинах для выполнения математических операций.
В ОУ один вход выполняется с инвертирующим, другой с неинвертирующим включением по отношению к выходному сигналу.
ДУ - входной дифференциальный усилитель, имеющий симметричный вход и обеспечивающий высокую стабильность, малое напряжение шумов.
УН - промежуточный усилиитель напряжения, выполненный в виде дифференциального усилителя с большим коэффициентом усиления.
ЭП - выходной эмиттерный повторитель, выполненный по двухтактной схеме и обеспечивающий малое выходное сопротивление ОУ.
Требования к характеристикам ОУ:
высокий коэффициент усиления по напряжению КU (106);
большое входное сопротивление Rвх (109 Ом);
малое выходное сопротивление Rвых0 (10 Ом);
линейность передаточной (амплитудной) характеристики;
высокая верхняя граничная частота пропускания fВ до 50 МHz .
Кроме указанных выше параметрами ОУ являются:
напряжение смещения нуля Uсм (мВ) - напряжение, которое необходимо подать на один из входов ОУ, чтобы Uвых =0;
частота единичного усиления f1 (Mhz) - частота, при которой КU=1;
максимальное входное напряжение;
максимальный выходной ток.
Характеристики ОУ
Амплитудная (передаточная) характеристика представляется в виде двух кривых, относящихся соответственно к инвертирующему и неинвертирующему входам. Характеристики снимают при подачи сигнала на один из входов при нулевом сигнале на другом.
КU ОУ = Uвых /Uвх . Uвх=0, Uвых=0 - условие баланса ОУ.
Схемы включения ОУ
Решающий усилитель - это усилитель, включающий ОУ и элементы обратной связи, предназначенный для выполнения математических операций с сигналами. Используется параллельная отрицательная обратная связь по напряжению.
Сумматор
Повторитель
Интегратор
Дифференцирующий усилитель
ЦИФРОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
В современной информационной электронике импульсный принцип построения систем занимает доминирующее положение по сравнению с аналоговым.
На базе импульсной техники выполняются системы управления и регулирования, устройства измерения и отображения информации, цифровая вычислительная техника.
В отличии от аналоговых систем, в которых сигналы изменяются непрерывно во времени в импульсных системах используются сигналы импульсной формы.
Преимущества импульсных систем:
меньше потребление тока (больший к. п. д.);
более высокая точность;
помехоустойчивость;
простота представления информации и эффективные способы ее преобразования.
В схемах импульсной техники для обработки и преобразования информации используют цифровые методы.
Они базируются на использовании сигналов прямоугольной формы, имеющие два фиксированных уровня напряжения, что позволяет представить сигнал в цифровой форме:
уровню более высокого напряжения присваивают символ “1”, более низкого - “0” (положительная потенциальная логика).
Но может быть наоборот - (отрицательная потенциальная логика).
Цифровая форма представления сигнала упрощает рассмотрение импульсных систем и позволяет использовать при их анализе и синтезе соответствующий математический аппарат - Алгебру логики.
АЛГЕБРА ЛОГИКИ
(Булева алгебра)
Алгебру логики разработал ирландский математик Д. Буль в середине прошлого века.
Булева алгебра изучает связь между переменными, принимающими два дискретных значения:
логическая единица - истинное высказывание,
логический ноль - ложное высказывание.
Булева алгебра является алгеброй состояний