Работа над текстом

II. Укажите какие из данных утверждений соответствуют содержанию текста.

1. The conductive properties of semiconductors may be modified.

1. Проводящие свойства полупроводников могут быть изменены.

4. The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its electric properties.

4.Концентрация примеси, представленная собственно в полупроводнике определяет его электрические свойства.

5. Doped semiconductors have conductivity levels comparable to metals.

5. У легированных полупроводников есть уровни проводимости, сопоставимые металлам.

III. Выберите правильные ответы на вопросы.

1) How is the process of introduction of impurities into the crystal lattice of semiconductors called?

1) Как называется процесс введения примесей в кристаллическую решетку полупроводников?

b) Doping.

b) Легирование

2) What does the choice of materials as dopants depend on?

2) От чего зависит выбор материала в качестве примесей?

a) The atomic properties.

а) От атомных свойств.

3) What is the most important factor that doping directly affects?

3) Что является наиболее важным фактором, который непосредственно влияет на легирование?

c) Material’s carrier concentration.

с) концентрация носителей материала.

IV. Прочитайте предложения. Выберите правильный вариант перевода.

1. The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped.

b) Материалы в качестве легирующих зависят от атомных свойств обоих материалов: и примеси, и легируемого.

2. Therefore, a silicon crystal chopped with boron creates a p-type semiconductor, whereas one doped with phosphorus result in n-type material.

c) Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

3. It is useful to note that even degenerate levels of doping imply low concentrations of impurities with respect to the base semiconductor.

с) Следует отметить, что даже высокие уровни легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к базовому полупроводнику.

V. Переведите письменно абзацы 1 – 3 текста.

1. The property of semiconductors that makes them most useful for constructing electronic devices is that their conductivity may easily be modified by introducing impurities into their crystal lattice.

1. Свойство полупроводников, которое делает их самыми полезными для построения электронных устройств, - то, что их проводимость может быть легко быть изменена, вводя примеси в их кристаллическую решетку.

The process of adding controlled impurities to a semiconductor is known as doping.

Процесс добавления контролируемых примесей в полупроводник известен как легирование.

The amount of impurity, or dopant, added to an intrinsic (pure) semiconductor varies its level of conductivity.

Количество примеси, или легированных примесей, добавленных к свойственному (чистому) полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.

Doped semiconductors are often referred to as extrinsic.

Легированные полупроводники часто называют внешними.

2. The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped.

2.Материалы, выбранные в качестве подходящих легирующих примесей зависят от атомных свойств и легирующей примеси и материала, которого нужно легировать.

In general, dopants that produce the desired controlled changes are classified as either electron acceptors or donors.

В общем, легирующие примеси, которые производят желаемые контролируемые изменения классифицируются как акцепторы электронов или доноров.

A donor atom that activates (that is, becomes incorporated into the crystal lattice) donates weakly-bound valence electrons to the material, creating excess negative charge carriers.

Донорный атом, который активирует (то есть, становится включен в кристаллической решетке) жертвует слабо связанные валентные электроны в материал, создавая избыток отрицательных носителей заряда.

Semiconductors doped with donor impurities are called n-type, while those doped with acceptor impurities are known as p-type.

Полупроводники, легированные донорными примесями называют N-типа, а, легированные акцепторными примесями называют р-типа.

3. The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its concentration and indirectly affects many of its electrical properties.

3.Концентрация примеси введенная собственному полупроводнику определяет его концентрацию и косвенно влияет на многие из его электрические свойства.

The most important factor that doping directly affects is the material's carrier concentration.

Наиболее важным фактором, который непосредственно влияет на легирование, является концентрация носителей материала.

In an intrinsic semiconductor under thermal equilibrium, the concentration of electrons and holes is equivalent.

В собственном полупроводнике при тепловом равновесии, концентрации электронов и дырок эквивалентны.

Intrinsic carrier concentration varies between materials and is dependent on temperature.

Внутренняя концентрация носителей варьируется от материалов и зависит от температуры.

Silicon's n_i, for example, is roughly 1×10¹⁰ cm^-3 at 300 Kelvin (room temperature).

Внутренняя коцентрация кремния, например, составляет примерно 1 × 1010 см^-3 при 300 градусах Кельвина (комнатной температуры).