- •1. Основні відомості про кристали
- •1. 1. Історія розвитку уявлень про кристали
- •1. 2. Застосування кристалів
- •1.3. Взаємозв'язок між структурою кристалів та їх фізичними властивостями.
- •2. Вирощування кристалів із розчинів
- •2. 1. Основні відомості
- •2. 2. Вирощування кристалів способом випаровування
- •2. 3. Вирощування кристалів способом охолодження
- •2. 4. Вирощування кристалів змішаним способом
- •2. 5. Вирощування кристалічної міді
- •3. Результати дослідження
- •3. 1. Визначення оптимальних умов для росту кристалів із розчинних у воді солей
- •3. 2. Дослідження залежності процесу кристалізації від температури розчину
- •Висновки
- •Література
- •Готуємо перенасичений розчин кухонної солі
- •Додаток е. Спроби виростити кристал цукру
- •Додаток ж. Діаграма залежності швидкості процесу кристалізації від температури розчину
Д
Сіль хлориду натрію
Готуємо перенасичений розчин кухонної солі
одаток В. Вирощування кристалів кухонної солі
Минуло 20 днів при вирощуванні способом охолодження
При вирощуванні способом випаровування, через 20 днів на дні склянки можна помітити невеликі монокристали
Минуло 30 днів при вирощуванні способом охолодження
Кристал кухонної солі
Додаток Г. Вирощування кристалів кобальт хлориду
Сіль кобальт хлориду
Залишаємо розчин в інкубаторі
Минуло 35 днів при вирощуванні способом охолодження
Минуло 10 днів при вирощуванні способом випаровування
Минуло 15 днів при вирощуванні способом випаровування
Монокристал кобальт хлориду
Полікристал кобальт хлориду
Додаток Д. Вирощування кристалічної міді
Робимо розчин
В ирощування при 45˚С Вирощування при 15˚С
Минула доба
Минуло 7 діб
Минуло 2 доби
Минуло 14 діб
Минуло 7 діб
Минуло 25 діб
Кристалічна мідь вирощена у перенасиченому розчині мідного купоросу
Такі кристали утворилися над кристалічною міддю в результаті реакції мідного купоросу та кухонної солі
Додаток е. Спроби виростити кристал цукру
Готуємо сироп
Пройшло 7 діб – розчин почав густіть
Пройшло 15 діб
Додаток ж. Діаграма залежності швидкості процесу кристалізації від температури розчину
Додаток З. Установка для вимірювання сили поверхневого натягу
Додаток И. Залежність сили поверхневого натягу від процесу кристалізації при вирощуванні кристалів за температури 45˚С
Додаток К. Залежність сили поверхневого натягу від процесу кристалізації при вирощуванні кристалів за температури 20˚С