11. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.

О бласти вблизи контакта полупроводников с одним типом проводимости, но с различной концентрацией примесей, обычно обозначают р⁺ -р или n⁺ -n - переход, причем значком + обозначают полупроводник с большей концентрацией. На рис. 16 приведен пример контакта р⁺ - р , где обе области полупроводника обладают электропроводностью р - типа.

Процессы вблизи такого контакта аналогичны происхо­дящим в р-n-переходе, то-есть носители из области с большой концентрацией пере­ходят в область с меньшей кон­центрацией, в результате чего в области р⁺ возникает объемный заряд из нескомпенсированных зарядов ионов примеси, а в об­ласти р - объемный заряд из из­быточных носителей - дырок, перешедших из области р⁺. По­явление объемных электриче­ских зарядов приводит к обра­зованию диффузионного элек­трического поля Едиф и кон­тактной разности потенциалов. Но в отличии от обычных р-n переходов здесь отсутствует запирающий слой, так как здесь не может быть области с концентрацией, меньшей чем в слабо легированном полупроводнике. Поэтому такие кон­такты вентильными свойствами не обладают, но зато в них при любой по­лярности приложенного напряжения не происходит инжекции из низкоом­ной области в высокоомную, что является важным для некоторых типов по­лупроводниковых приборов.

12. Омические контакты.

Контакты металл - полупроводник, не обладающие вентильными свойствами и имеющие линейную вольт-амперную характеристику, называют омическими. Такие контакты необходимы для присоединения внешних выводов к кристаллу полупроводника, когда дополнительные переходы с односторонней проводимостью являются нежелательными или даже недопустимыми. Такие контакты образуются тогда, когда работа выхода электрона из металла и из полупроводника одинакова : Ам = Ап. Поэтому в этих случаях каждому типу полупроводника подбирается свой тип металла или сплава для выполнения указанного условия.

13. Почему изменяется ширина канала в полевике от истока к стоку?

Вдоль канала появляется распределённое падение напряжения за счёт протекающего тока стока, величина этого напряжения зависит от расстояния до истока. Совместное воздействие Е2 и этого напряжения, а так же Uзи изменяют ширину канала по его протяжённости. Минимальная вблизи канала стока, максимальная вблизи канала истока.

14. Что такое h параметры транзистора?

Транзистор всегда можно представить в виде четырёхполюсника, т.н. «чёрного ящика» с определёнными параметрами.

В ыбираем независимыми переменными I 1

и U2. В этом случае h параметры

представятся в виде следующих

параметров транзистора.

h11 – входное сопротивление

h12 - коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

h21 - коэффициент передачи транзистора по току

h 22 - выходная проводимость транзистора

15. Объяснить механизм внутренней обратной связи в транзисторе

При повышении температуры транзистора его начальный коллекторный ток I_ОК возрастает. Это приводит к снижению величины напряжения на базе (U_ОБ) и к уменьшению тока базы смещения I_Бсм и к снижению начального коллекторного тока I_ОК. То есть в данной схеме имеет место передача части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную, что называется обратной связью.

16. Изобразить схему с общим истоком полевого транзистора (канал p-типа)

17. Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

1. С емейство входных статических характеристик представляет собой зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при фиксированных значениях напряжения Uкэ:

Вид этих характеристик показан на рис.55

П ри Uкэ=0 эта характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода. При этом коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении на напряжение источника Е₁ (рис.56).

При включении источника Е₂ (Uкэ<0) характеристика пойдет несколько ниже предыдущей, так как в случае Uбэ=0 (рис.57) источник Е₁ отсутствует и через коллекторный переход протекает маленький обратный ток Iк0 под действием источника Е₂, направление которого в базе противоположно тому, когда включен источник Е₁.

При включении Е₁ (Uбэ>0) этот ток будет уменьшаться, т.к. в цепи его протекания Е₁ и Е₂ будут включены встречно, а затем он перейдет через ноль и будет возрастать в положительном направлении под действием Е₁. Однако в справочной литературе этим малым значением тока пренебрегают и входные характеристики представляют исходящими из начала координат.