39. Схема коллекторной стабилизации.

В этой схеме (рис.90) стабилизация осуществляется введением отрицательной обратной связи по напряжению. Действительно, при повышении температуры возрастает начальный ток коллектора I_ок. Это приводит к увеличению падения напряжения на сопротивлении R _к и к уменьшению напряжения U_ок:

U_ок=Е_к – I_ок R_к (106)

То есть отрицательный потенциал коллектора относительно эмиттера будет уменьшаться ; а поскольку он через резистор R_Б приложен к базе транзистора , то и отрицательный потенциал базы относительно эмиттера будет уменьшаться , т.е. будет снижаться начальный базовый ток (ток смещения ), а начальный коллекторный ток вернется к прежнему значению. Здесь так же, как и в предыдущей схеме под действием сигнала обратной связи стабилизируется начальный коллекторный ток I_ок. Чтобы при этом не снижать коэффициент усиления по переменной составляющей и не ослаблять полезный сигнал в схему вводят конденсатор С_ф (рис.91). В этом случае резистор R _б заменяют двумя резисторами R_Б1 и R_Б2. Переменная составляющая коллекторного напряжения замыкается через конденсатор С_ф и не оказывает влияние на напряжение U_бэ транзистора, а, следовательно, и на коэффициент усиления полезного сигнала.

Полевики

40. Основные параметры полевых транзисторов.

1.Крутизна

, (108 )

где: Ic – приращение тока стока;

Uз – приращение напряжения на затворе;

Uc – напряжение стока.

Этот параметр определяют по стоко-затворным характеристикам (рис 98)

2.Внутреннее (выходное) сопротивление Ri

, (109)

где: Uc – приращение напряжения стока;

Ic – приращение тока стока;

Uз – напряжение на затворе.

Этот параметр определяют по выходным характеристикам транзистора (рис.99).

3. Коэффициент усиления

, (110)

Эти три параметра связаны между собой зависимостью:

, (111)

4. Входное сопротивление Rвх.

, (112)

где: Uз – приращение напряжения на затворе;

Ic – приращение тока затвора;

Uз – напряжение стока.

Поскольку током затвора является обратный ток p-n-перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.

Еще одним важным достоинством полевого транзистора является гораздо меньшая температурная зависимость по сравнению с биполярными транзисторами. Недостатком полевых транзисторов является недостаточно высокая крутизна S ,что несколько ограничивает область их применения

41.Принцип работы полевого транзистора

П ринцип действия такого полевого транзистора рассмотрим на примере рис.96. Возьмем монокристалл полупроводника, например, n-типа проводимости; по торцам его методом напыления сформируем электроды, а посередине создадим область противоположного типа проводимости и тоже с электрическим выводом от этой области. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n–переход. Назовем электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника истоком и стоком, а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости назовем затвором. Подключим внешние источники Е₁ и Е₂ так, чтобы источник Е₁ – источник входного сигнала смещал р-n–переход в обратном направлении, а в цепь источника Е₂ введем сопротивление нагрузки R _н. Под действием напряжения этого источника между торцевыми поверхностями полупроводника потечет ток основных носителей. Образуется так называемый канал. Площадь поперечного сечения этого канала, а, следовательно, и его сопротивление зависит от ширины р-n–перехода. Изменяя величину напряжения источника Е₁ , меняем обратное напряжение на р-n–переходе, а, значит, и его ширину. При увеличении этого напряжения ширина р-n–перехода возрастает, а поперечное сечение канала между истоком и стоком уменьшается. Можно подобрать такую величину напряжения на затворе, при котором р-n–переход полностью перекроет канал и ток в цепи нагрузки прекратится. Это напряжение называют напряжением отсечки. Таким образом, в цепи мощного источника Е₂ протекает ток истока I_С, величина которого зависит от величины управляющего сигнала – напряжения источника Е₁ и повторяет все изменения этого сигнала. Падение напряжения на сопротивлении нагрузки при протекании тока I_С является выходным сигналом, мощность которого значительно больше мощности, затраченной во входной цепи. Принципиальным отличием полевого транзистора от биполярного является то, что источник входного сигнала подключен к р-n–переходу в обратном, запирающем направлении и, следовательно, входное сопротивление здесь очень большое, а потребляемый от источника входного сигнала ток очень маленький.