- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов.
- •Поэтому плотность дрейфового тока
- •2. Механизм собственной электропроводности полупроводника.
- •3. Распределение электронов по энергетическим уровням.
- •4. Механизм примесной электропроводности полупроводников.
- •5. Физика явлений в p-n переходе.
- •6. Вентильные свойства p-n перехода.
- •7. Вольт - амперная характеристика р-n перехода.
- •8. Типы электрических пробоев.
- •9. Емкость р-n-перехода.
- •10. Другие типы p-n-переходов.
- •11. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости.
- •12. Омические контакты.
- •13. Почему изменяется ширина канала в полевике от истока к стоку?
- •14. Что такое h параметры транзистора?
- •Выходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •18. Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом p-типа.
- •19. Импульсные диоды.
- •20. Туннельные диоды.
- •21. Обращенный диод.
- •22. Диоды Шотки.
- •23. Варикапы.
- •24. Стабилитроны.
- •25. Стабисторы.
- •26. Выпрямительные диоды.
- •27. Система обозначения диодов.
- •30. Схема с общим коллектором.
- •Поскольку RвхБ представляет собой очень малую величину, то можно считать, что
- •31. Статические характеристики для схемы с общей базой.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость:
- •Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимости:
- •32. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при фиксированных значениях напряжения Uкэ:
- •В ыходные статические характеристики представляют собой зависимости:
- •33. Режим класса а.
- •34. Режим класса в.
- •35. Режим класса с.
- •36. Режим класса д.
- •37. Влияние температуры на работу транзистора.
- •38. Схема эмиттерной стабилизации.
- •39. Схема коллекторной стабилизации.
- •Полевики
- •41.Принцип работы полевого транзистора
- •42. Схемы включения полевого транзистора
- •43. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока в функции от напряжения на затворе (Uз) при постоянстве напряжения стока (Uc):
- •44. Основные параметры полевых транзисторов.
- •4 5. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •46. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом.
- •47. Тиристор
- •48, Вах тиристора
- •49. Диаграмма вольтамперной характеристики управляющей цепи
- •50. В чём заключается частичная управляемость тиристора
- •51. Основные параметры тиристоров.
- •52. Способы запирания тиристоров.
- •53. Двухоперационные тиристоры
- •54. Симисторы
- •59. Фотоэлементы.
- •60. Основные характеристики фотоэлементов.
- •61. Фотоэлектронные умножители.
- •62. Фоторезисторы.
- •63. Фотодиоды.
- •64. Основными характеристиками фотодиодов являются:
- •65. Фотодиодное включение.
- •66. Фототранзисторы
- •67. Вах фототранзистора
- •68. Фототиристоры.
- •69. Светодиоды.
- •70. Оптоэлектронные устройства.
48, Вах тиристора
В ольтамперная характеристика тиристора представлена на рис (109).Прямая ветвь ее имеет три явно выраженных участка. Первый участок (I) представляет собой обратную ветвь вольтамперной характеристики среднего p-n- перехода. Участок II является участком с отрицательным динамическим сопротивлением, а участок III является прямой ветвью вольтамперной характеристики p-n-перехода. Напряжение между анодом и катодом, при котором происходит переход тиристора в проводящее состояние, называют напряжением переключения. Чем больше ток управления, тем меньше напряжение переключения Uпер. Ток управления, при котором тиристор переходит на спрямленный участок вольтамперной характеристики (показано на рис (109) пунктиром) называют током управления спрямления (iуспр).
При изменении полярности приложенного к тиристору напряжения, верхний и нижний p-n-переходы будут смещены в обратном направлении, тиристор будет закрыт, а вольтамперная характеристика будет представлять собой обратную ветвь вольтамперной характеристики обыкновенного диода.
49. Диаграмма вольтамперной характеристики управляющей цепи
Поскольку включение тиристора зависит от тока управления, то в справочной литературе приводят также диаграмму вольтамперной характеристики управляющей цепи:
Uy
С
Рис.110
Uymin
Iymin
50. В чём заключается частичная управляемость тиристора
Частичная управляемость тиристора заключается в том, что после включения тиристора, цепь управления становится ненужной, так как он сам себя поддерживает во включенном состоянии. Выключить обычный тиристор по цепи управления невозможно, что требует применения дополнительных устройств, обеспечивающих его выключение, так называемых коммутирующих устройств.
51. Основные параметры тиристоров.
Силовые тиристоры характеризуются параметрами, аналогичным тем, которые рассматривались выше для силовых диодов. Но, кроме того, в технических условиях приводятся параметры цепи управления тиристоров, а также дополнительные параметры, характеризующие силовую цепь тиристора:
1.Время включения (tвкл). Это время от момента подачи управляющего импульса до момента снижения напряжения Uак тиристора до 10% начального значения при работе на активную нагрузку.
2.Время выключения (tвыкл), называемое также временем восстановления управляющей способности тиристора. Это время от момента, когда прямой ток тиристора становится равным нулю, до момента, когда прибор снова будет способен выдерживать прямое напряжение между анодом и катодом. Это время в основном определяется временем рассасывания неосновных носителей в зонах полупроводника.
3.Ток утечки (Iут). Это ток,протекающий через тиристор с разомкнутой цепью управления при прямом напряжении между анодом и катодом.
4.Ток удержания (Iуд). Это минимальный прямой ток,проходящий через тиристор при разомкнутой цепи управления,при котором тиристор еще находится в открытом состоянии.